Manufacturing method of array substrate and the application provides a multilayer film pattern, multilayer film pattern, in order to solve the existing technology to form a two layer patterned functional layer through a film on the film, making efficiency of multilayer film pattern of the lower problem. Including the production method: in sequence on the substrate to form a layer of film and the second film of the first layer; a first photoresist layer is formed on the patterned second functional layer on the film; the first photoresist layer by occlusion, the formation of second layer pattern; second patterned photoresist layer is formed on the first photoresist layer; occlusion using the second photoresist layer, forming a first functional layer pattern, the pattern of the first layer and the second layer function pattern projection on the substrate are not mutually overlap; with the removal of the second layer of the photoresist layer and the first photoresist layer.
【技术实现步骤摘要】
一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板。
技术介绍
液晶显示器,由于功耗很低,并且具有高画质、体积小、重量轻的特点,因此倍受大家青睐,成为当前显示器的主流。目前液晶显示器以薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)为主,其显示面板通常包括相对设置的彩膜基板、阵列基板以及设置于两基板之间的液晶层。现有技术在制作阵列基板的栅极保护层图案和栅极保护层上的有源层图案时,通常是通过一次成膜,即,依次连续形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜。而在形成有源层的图案后,则将形成有源层图案时所使用的第一光刻胶层通过剥离工艺去除,接着,再在图案化后的有源层上形成制作栅极保护层图案的第二光刻胶层薄膜,再通过曝光、显影、刻蚀形成栅极保护层的图案,最后,将制作该栅极保护层图案的第二光刻胶层通过剥离工艺去除。即,现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时,例如,形成栅极保护层和有源层,通常都需要进行两次光刻胶的剥离工艺,存在多 ...
【技术保护点】
一种多层膜层图案的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜;在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层;利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案;在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层;利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,其中,所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠;同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。
【技术特征摘要】
1.一种多层膜层图案的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜;在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层;利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案;在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层;利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,其中,所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠;同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一功能层为栅极保护层,所述第二功能层为有源层,在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜之前,所述制作方法还包括:在衬底上形成栅极层的图案,其中,所述栅极层的图案包括栅电极以及用作信号线的信号电极;所述在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜,具体包括:在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜;所述利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案,具体包括:利用所述第一光刻胶层的遮挡,对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀,形成有源层图案;所述利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,具体包括:利用所述第二光刻胶层的遮挡,对所述栅极保护层薄膜的与所述信号电极对应的区域进行刻蚀,形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底上形成栅极层的图案,具体包括:在所述衬底上溅射形成栅极金属薄膜;在所述栅极金属薄膜上形成第三光刻胶层薄膜,并形成具有第一遮挡部和第二遮挡部的第三光刻胶层的图案;在所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的遮挡下,对所述栅极金属薄膜刻蚀,形成具有与所述第一遮挡部对应的栅电极以及与所述第二遮挡部对应的信号电极的栅极层的图案;去除所述第三光刻胶层。4.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述栅...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈磊,董宜萍,安杨,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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