【技术实现步骤摘要】
本专利技术属 于半导体光电子
，是一种可实现模式间距为IOOGHz的双模激射半导体激光器。
技术介绍
随着互联网的迅猛发展，通讯网中交换系统的规模越来越大，运行速率越来越高，未来的大型交换系统将需要处理总量达几百Tbit/s的信息，这使得传统的基于电子信号处理技术的网络，由于“电子瓶颈”的限制，而逐渐显得难以应付，于是，基于全光信号处理技术的采用全光交换和全光路由选择的全光网络，将是未来网络的发展趋势。从光数据中同步地提取光时钟信号的过程就叫做光时钟提取，也称为光时钟恢复。光时钟恢复技术不仅是光信号再定位的关键步骤之一，而且对于光数字通信系统有着很重要的作用，它为系统的正常运作提供了准确可靠的基准时钟。在数字通信系统中，进行信号处理必须要有一个准确的时钟信号作为时间基准，它必须在相位和频率上与数据信号是一致的。而对于异步网络而言，时钟信号只能是从接收的数据信号中来获得。在全光网络中要进行诸如全光3R(放大、整形、定时)，复用/解复用，全光交换，同步等在光域的信号处理的都是光的时钟信号。当前光通信网络中采用的时钟恢复技术都是基于光/电/光的方式来实现的，这些...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可实现模式间距为IOOGHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，包括 ー衬底； 一 n-InP缓冲层，该n-InP缓冲层制作在衬底上； 一 InGaAsP下限制层，该InGaAsP下限制层制作在该n_InP缓冲层上； 一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在该InGaAsP下限制层上； 一 InGaAsP上限制层，该InGaAsP上限制层制作在该多量子阱有源层上，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区； 一 p-InP层，该p-InP层制作在该InGaAsP上限制层上； 一 p-InGaAsP刻蚀阻止层，该p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在该p-InP层上； 一上P-InP盖层，该上p-InP盖层制作在该p-InGaAsP刻蚀阻止层上； 一 p-InGaAs欧姆接触层，该p-InGaAs欧姆接触层制作在该上p_InP盖层上，在该P-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段P-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层； 其中，该P-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构前増益区、相区、光栅区和后放大区。2.根据权利要求I所述的可实现模式间距为IOOGHz的双模激射半导体激光器，其特征在于，所述前增益区和所述后放大区称...
【专利技术属性】
技术研发人员：余力强，赵玲娟，朱洪亮，吉晨，陆丹，潘教青，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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