【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子
，尤其涉及一种。
技术介绍
光互连是指用光子代替电子作为信号载体实现信号传输和交换，具有高速率、大容量、低串扰、低延时、低功耗等优点，是解决信息系统能耗问题的关键技术之一，目前的一个关键问题就是如何实现电泵浦硅基激光，这已经成为实现片上光互连的瓶颈。该领域研究虽然取得很多重要的进展，例如拉曼激光器，在硅衬底上外延GeSi/Si，或者GaSb/GaAs激光器，稀土掺杂Si/Si02发光器件，微腔激光器，采用光子晶体纳米腔的方式等等，但是这些器件结构或者由于光泵浦的原因，或者因为寿命、效率等原因，无法真正应用于片上光互 连。美国加州大学伯克利分校J. Bowers教授于2005年提出了一种新型激光器结构——娃基混合激光器，它是指将III-V族半导体激光器与Si波导通过直接或者介质辅助键合的方式集成在一起的新型激光器，当III-V族激光器有源区与Si波导空间距离很近，在III-V族激光器中的激光通过倏逝波耦合的方式耦合进入Si波导中，因此可在波导中进行激光信号传输。这种混合激光器既利用了 III-V族直接带隙材料的发光效率高的优势，又与硅基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种混合集成激光器，包括依次纵向层叠的衬底1，其特征在于，还包括将光实现90度偏转功能的光耦合器2、键合层3和垂直腔面发射激光光源4。2.根据权利要求I所述的混合集成激光器，其特征在于，所述光耦合器2为光栅耦合器或高对比度光栅结构，实现将垂直入射的光偏转90度的功能；其主要结构包括两个部分，一是光栅结构部分，二是波导结构部分，根据动量守恒定律，当光栅在水平方向的传播常数K1等于波导结构的传播常数K2时，垂直入射的光将发生90度偏转。3.根据权利要求I所述的混合集成激光器，其特征在于，所述光耦合器2采用硅、二氧化硅、SOI、InP、GaAs或玻璃材料制成。4.根据权利要求I所述的混合集成激光器，其特征在于，所述键合层3通过直接键合、媒质键合或倒装焊的方式产生。5.根据权利要求4所述的混合集成激光器，其特征在于，所述媒质采用BCB、ITO或PEDOT导电透光物质。6.根据权利要求I所述的混合集成激光器，其特征在...
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