双模式纠错码/可写入一次存储器编解码器制造技术

技术编号:14123857 阅读:86 留言:0更新日期:2016-12-09 10:45
一种用于可写入一次存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统,包括,例如用于在WOM(只写存储器)模式和ECC(纠错码)模式之间选择一个的控制器。一种编解码器布置为在所选的模式中操作。所述编解码器在所述ECC模式中操作时,布置为响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位,标识至少一个位错误的位位置。所述编解码器在所述WOM模式中操作时,布置为从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收要编码且写到所述编址地址的第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的编址位置的WOM编码的字。所述用于写到所述编址位置的WOM编码的字可选地是ECC编码的。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
计算机系统包括可操作地检索、处理和存储存储器设备中的数据的处理器。用于计算机系统中的存储器设备包括不同种类的存储器设备,其中不同类型的存储器设备一般具有不同的能力和操作特性。根据所述计算机系统的特定应用的需求,选择用于特定系统的存储器设备类型。例如,某些系统设计需要将数据写到非易失性存储器位置并从其读取数据的能力。然而,由于成本增加和/或性能特性降低,某些存储器设备解决方案(例如电可擦除只读存储器)不适于某些应用。
技术实现思路
上面指出的问题能够在用于双模式纠错码(ECC)和可写入一次存储器(WOM)编码及解码的系统中解决,其包括例如用于在WOM模式和ECC模式之间选择一个的控制器。响应于所述控制器的编解码器布置为在所选的模式中操作。所述编解码器在所述ECC模式中操作时,布置为响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位(parity bit),标识至少一个位错误(bit error)的位位置(bit position)。所述编解码器在所述WOM模式中操作时,布置为从WOM设备中的编址位置(addressed location)接收WOM编码的字、接收要编码并写到所述编址位置的第二接收的数据字以及生成用于写到所述WOM设备中的编址位置的WOM编码的字。用于写到所述编址位置的WOM编码的字可选地是ECC编码的。提出本概述,理解其不用于解释或限制权利要求的范围或含义。进一步地,所述概述既不旨在标识请求保护的主题的关键特征或基本特征,也不旨在用于帮助确定请求保护的主题的范围。附图说明图1显示了根据本公开文件的实例性实施例的一种示意性计算系统。图2为根据本公开文件的实施例、包括管理ECC的WOM的一种处理系统的框图。图3示出了一种实例性存储器系统中的符号级WOM编码。图4为根据本公开文件的实施例、在ECC模式中操作的一种双模式ECC/WOM编解码器的框图。图5为用于根据本公开文件的实施例、在ECC模式中操作的一种双模式ECC/WOM编解码器的数据流图。图6为根据本公开文件的实施例、在WOM模式中操作的一种双模式ECC/WOM编解码器的框图。图7为用于根据本公开文件的实施例、在WOM模式中操作的一种双模式ECC/WOM编解码器的数据流图。图8为根据本公开文件的实施例的一种过程流图。具体实施方式下面的讨论导向本专利技术的各种实施例。虽然这些实施例中的一个或更多个可能是优选的,但不该将所述公开的实施例解释为或另外用于限制本公开文件、包括权利要求的范围。此外,本领域技术人员会理解下面的描述具有广泛的应用,任意实施例的讨论仅意指那个实施例的实例,不旨在暗示本公开文件、包括权利要求的范围限于那个实施例。整个以下描述——以及权利要求——中的某些术语用于指示特定的系统组件。如本领域技术人员理解的,各种名称可以用来指示组件或系统。因此,本文不必区分名称不同、功能并非不同的组件。进一步地,系统可以是另一系统的子系统。在下面的讨论和权利要求中,术语“包括”和“包含”以开放的方式使用,因此解释为意指“包括,但不限于......”。而且,术语“耦接到”或“与......耦接”(等等)旨在描述间接或直接的电连接。因而,假如第一设备耦接到第二设备,能够通过直接的电连接或经由其它设备和连接的间接电连接进行该连接。术语“部分”可能意指整个部分或小于整个部分的部分。图1显示了根据本公开文件的某些实施例的示意性计算系统100。例如,计算系统100为电子系统129或并入电子系统129,例如计算机、电子控制“盒”或显示器、通信装置(包括发送器)或任意其它类型的布置为生成射频信号的电子系统。在某些实施例中,计算系统100包括兆单元或片上系统(SoC),其包括例如CPU112(中央处理单元)的控制逻辑、存储114(例如,随机存取存储器(RAM))和电源110。CPU 112可能是例如CISC型(复杂指令集计算机)CPU、RISC型CPU(精简指令集计算机)、MCU型(微控制器单元)或数字信号处理器(DSP)。存储114(可能是例如处理器上的高速缓存、脱离处理器的高速缓存、RAM、闪存或磁盘存储)存储一个或更多个软件应用130(例如,嵌入式应用),其由CPU 112执行时,执行与计算系统100关联的任意适当功能。CPU 112包括存储由存储114频繁访问的信息的存储器和逻辑。计算系统100通常受控于使用UI(用户界面)116的用户,在执行软件应用130期间UI(用户界面)116提供输出给所述用户并从其接收输入。使用显示器118、指示灯、扬声器、振动等提供所述输出。使用音频和/或视频输入(例如,使用语音或图像识别)和例如小键盘、开关、邻近探测器、陀螺仪、加速计等电和/或机械设备接收所述输入。CPU 112耦接到I/O(输入-输出)端口128,其提供配置为从联网设备131接收输入(和/或提供输出给联网设备131)的接口。联网设备131能够包括任意能够与计算系统100点对点和/或联网通信的设备。计算系统100还能够耦接到外围设备和/或计算设备,包括有形的非瞬时性介质(例如闪存存储器)和/或有线或无线介质。这些及其它输入及输出设备选择性地由使用无线或无线连接的外部设备耦接到计算系统100。存储114能够例如由联网设备131访问。CPU 112耦接到I/O(输入-输出)端口128,其提供配置为从外围设备和/或计算设备131接收输入(和/或提供输出给外围设备和/或计算设备131)的接口,所述接口包括有形的(例如,“非瞬时性”)介质(例如闪存存储器)和/或有线或无线介质(例如,联合测试行动小组(JTAG)接口)。这些及其它输入和输出设备选择性地由使用或有线连接的外部设备耦接到计算系统100。CPU 112、存储114和电源110能够耦接到外部电源(未示出)或耦接到本地电源(例如电池、太阳能电池、交流发电机、电感场、燃料电池、电容器等)。计算系统100包括存储器138。存储器138适于相对快速的存储器访问,且一般使用固态存储器设备形成。此类固态存储器设备包括(电子纠错码)管理-ECC的WOM(可写入一次存储器)140。WOM 140为在(例如)丢弃或擦除之前一般可写入一次(或相对少的次数)的存储器。管理ECC的WOM 140写访问一般快于管理ECC的WOM 140擦除循环(若有),且在一个实施例中,所述写访问能够将管理ECC的WOM 140中的位位置从擦除状态变为写状态(例如“0”到“1”)。所述擦除状态一般取决于所选的技术,因此能够从“0”到“1”,或从“1”到“0”,所述写状态一般与所述擦除状态相反。(某些存储器设备可以在单个存储器单元中存储多个信息位,在此情况下,所写的位包括具有与擦除状态相反的状态的一个或更多个信息位。使用用于有效地写到WOM的WOM码写管理ECC的WOM 140,这样被写到的WOM能够无(例如,块)擦除地多次被写。管理ECC的WOM 140能够用于提供成本效率的非易失性存储器(NVM),其具有有限的重编程能力和/或数目增加的写/擦除循环(例如,相较于常规的NVM解决方案)。存储器138包括ECC-WOM(双模式)编解码器(编码器/解码器)142。编解码器142可操作地编码/解码ECC码、并编码\本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种电路,包括:控制器,其可操作地选择WOM模式即只写存储器模式和ECC模式即纠错码模式中的一个;以及响应于所述控制器的编解码器,在所述ECC模式中可操作地响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位,标识至少一个位错误的位位置,并在所述WOM模式中可操作地从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的所述编址位置的WOM编码的字,其中所生成的WOM编码的字是响应于所述第二接收的数据字生成的,并包括来自所述第二接收的数据字的信息。

【技术特征摘要】
2015.05.22 US 14/720,4421.一种电路,包括:控制器,其可操作地选择WOM模式即只写存储器模式和ECC模式即纠错码模式中的一个;以及响应于所述控制器的编解码器,在所述ECC模式中可操作地响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位,标识至少一个位错误的位位置,并在所述WOM模式中可操作地从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的所述编址位置的WOM编码的字,其中所生成的WOM编码的字是响应于所述第二接收的数据字生成的,并包括来自所述第二接收的数据字的信息。2.根据权利要求1所述的电路,其中通过改变之前写到所述WOM设备的所述编址位置的WOM编码的字的选择位的块初始化状态,将所述WOM编码的字写到所述WOM设备中的所述编址位置。3.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一接收的数据字是与所述第二接收的数据字相同的接收的数据字。4.根据权利要求1所述的电路,其中所述编解码器在所述ECC模式中可操作地根据所述第一接收的数据字生成校正子。5.根据权利要求4所述的电路,其中所述编解码器在所述ECC模式中可操作地根据校验矩阵生成所述校正子。6.根据权利要求5所述的电路,其中所述编解码器在所述ECC模式中可操作地根据生成的校正子编址校正子表。7.根据权利要求6所述的电路,其中所述编解码器在所述WOM模式中可操作地根据所述第二接收的数据字编址部分所述校正子表。8.根据权利要求7所述的电路,所述编解码器包括计数器,其可操作地生成用于编址所述校正子表的第一部分的第一候选数据字。9.根据权利要求8所述的电路,所述编解码器包括比较器,其可操作地生成用于编址所述校正子表的第二部分的第二候选数据字。10.根据权利要求9所述的电路,其中可操作地生成第二候选数据字的所述比较器响应于第一德尔塔值与所述第一候选数据字的比较,生成所述第二候选数据字。11.根据权利要求10所述的电路,其中响应于比较所述第二接收的数据字与解码的WOM字,生成所述第一德尔塔值,其中响应于从所述WOM设备中的所述编址位置接收的WOM编码的字,解码所述解码的WOM字。12.根据权利要求9所述的电路,其中响应于所述校正子表的第一部分的输出和响应于所述校正子表的第二部分的输出,生成第二德尔塔字。13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·张Y·朱C·彼特斯通S·拉马斯瓦米
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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