【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、无源器件(诸如电感器、电容器和电阻器)通常被用于电子电路中。与晶体管一样，可以通过图案化集成电路的各种层(例如，金属、绝缘体等)来制造无源器件。例如，可以通过蚀刻金属层以创建期望的电感器图案来制造电感器。类似地，可以通过蚀刻金属层以创建电容器的顶板和底板来制造电容器。
技术实现思路
1、在一个示例中，一种电路包括半导体衬底和集成无源器件。集成无源器件在半导体衬底的表面上。集成无源器件在半导体衬底上的金属层中。金属层为至少几十微米厚。
2、在另一示例中，一种谐振器电路包括半导体衬底。体声波谐振器在半导体衬底上。至少几十微米厚的金属层也在半导体衬底的表面上。金属层被图案化以形成耦合到体声波谐振器的电感器。
3、在进一步的示例中，一种射频(rf)电路包括半导体衬底。金属层在半导体衬底的表面上。金属层为至少30微米厚。金属层被图案化以形成第一i/o端子、第二i/o端子和电感器。电感器包括耦合到第一i/o端子的端子。
【技术保护点】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述集成无源器件是电感器。
3.根据权利要求2所述的电路，进一步包括在所述半导体衬底上的体声波谐振器，所述体声波谐振器耦合到所述电感器。
4.根据权利要求3所述的电路，进一步包括在所述金属层中的密封环；其中所述体声波谐振器和所述电感器在所述密封环内。
5.根据权利要求3所述的电路，其中所述体声波谐振器与所述电感器串联耦合。
6.根据权利要求5所述的电路，进一步包括：
7.根据权利要求3所述的电路，其中所述体声波谐振器与所述电感器并联耦合。
8.根据权利要求7所述的电路，进一步包括：
9.根据权利要求3所述的电路，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的电路，其中：
11.一种谐振器电路，包括：
12.根据权利要求11所述的谐振器电路，进一步包括在所述金属层中的密封环；其中所述体声波谐振器和所述电感器在所述密封环内。
13.根据权利要求11所述的谐振器电路，其中所述体声波谐振器与所述电
14.根据权利要求13所述的谐振器电路，进一步包括：
15.根据权利要求11所述的谐振器电路，其中所述体声波谐振器与所述电感器并联耦合。
16.根据权利要求15所述的谐振器电路，进一步包括：
17.一种射频电路即RF电路，包括：
18.根据权利要求17所述的RF电路，其中：
19.根据权利要求18所述的RF电路，其中：
20.根据权利要求17所述的RF电路，其中所述金属层被图案化以形成围绕所述电感器、所述第一I/O端子和所述第二I/O端子的密封环。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述集成无源器件是电感器。
3.根据权利要求2所述的电路，进一步包括在所述半导体衬底上的体声波谐振器，所述体声波谐振器耦合到所述电感器。
4.根据权利要求3所述的电路，进一步包括在所述金属层中的密封环；其中所述体声波谐振器和所述电感器在所述密封环内。
5.根据权利要求3所述的电路，其中所述体声波谐振器与所述电感器串联耦合。
6.根据权利要求5所述的电路，进一步包括：
7.根据权利要求3所述的电路，其中所述体声波谐振器与所述电感器并联耦合。
8.根据权利要求7所述的电路，进一步包括：
9.根据权利要求3所述的电路，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的电路，其中：
11.一种谐振器电路，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：TT·叶，Y·余，H·O·阿里，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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