【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电流隔离器件领域。更具体地，但不排他地，本公开涉及电流隔离器件中的线键合部。
技术介绍
1、电流隔离器件可以与其他器件集成到多芯片模块中。到电流隔离器件的连接可以通过线键合件形成。线键合件必须满足各种标准，诸如提供可靠的电连接、减少密封剂材料上的电场应力以及满足封装尺寸约束。
技术实现思路
1、本公开介绍了一种包括电流隔离部件的微电子器件。电流隔离部件包括在基板上方的下隔离元件与连接到下隔离元件的下键合焊盘。电流隔离部件还包括在下隔离元件上方的介电平台(plateau)，其中，介电平台不延伸到下键合焊盘。电流隔离部件进一步包括在介电平台上方的上隔离元件与在介电平台上方的连接到上隔离元件的上键合焊盘。上键合焊盘与下键合焊盘横向分离隔离距离。微电子器件包括在上键合焊盘上的高电压线键合部。高电压线键合部的上部线在竖直方向的10度内向上延伸大于隔离距离的竖直距离。微电子器件进一步包括在下键合焊盘上的低电压线键合部。低电压线键合部具有直接在基板的周边上方的环高度，该环高度小于低电压线键合部的线直径的5倍。公开了形成高电压线键合部和低电压线键合部的方法。
【技术保护点】
1.一种微电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述高电压线键合部和所述低电压线键合部以大于60度的隔离角彼此远离延伸大于所述隔离距离的距离。
3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述介电平台距所述下键合焊盘中的一个的中心小于90微米。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述高电压线键合部包括在所述上键合焊盘上的球键合部。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部具有在所述下键合焊盘上的具有弧形构造的球键合部。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上的支座针脚键合部。
7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上的具有折叠线构造的球键合部。
8.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部和所述高电压线键合部包括镀钯的铜键合线。
9.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括与所述电流隔离部件接触并包围所述高电压线键合部和所述低电压线键合
10.一种形成包括电流隔离部件的微电子器件的方法，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述高电压线键合部和所述低电压线键合部以大于60度的隔离角彼此远离延伸大于所述上键合焊盘和所述下键合焊盘之间的横向距离的距离。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述介电平台距所述下键合焊盘中的一个的中心小于90微米。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述高电压线键合部包括在所述上键合焊盘上形成球键合部。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上形成低环球键合部。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上形成球上球针脚键合部。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上形成折叠球键合部。
17.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述高电压线键合部和形成所述低电压线键合部是用镀钯的铜键合线执行的。
18.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述电流隔离部件、所述高电压线键合部和所述低电压线键合部上形成密封剂材料。
19.一种微电子器件，包括：
20.根据权利要求19所述的微电子器件，其中，所述介电平台距所述下键合焊盘中的一个的中心小于90微米。
...【技术特征摘要】
1.一种微电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述高电压线键合部和所述低电压线键合部以大于60度的隔离角彼此远离延伸大于所述隔离距离的距离。
3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述介电平台距所述下键合焊盘中的一个的中心小于90微米。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述高电压线键合部包括在所述上键合焊盘上的球键合部。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部具有在所述下键合焊盘上的具有弧形构造的球键合部。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上的支座针脚键合部。
7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部包括在所述下键合焊盘上的具有折叠线构造的球键合部。
8.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述低电压线键合部和所述高电压线键合部包括镀钯的铜键合线。
9.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括与所述电流隔离部件接触并包围所述高电压线键合部和所述低电压线键合部的密封剂材料。
10.一种形成包括电流隔离部件的微电子器件的方法，包括：
11.根据权利要求10所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·韦斯特，HY·周，B·L·威廉姆斯，T·D·博尼费尔德，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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