面板蚀刻制程设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体封装结构蚀刻制程技术领域，且公开了面板蚀刻制程设备,包括电机、旋转磁场机构，所述旋转磁场机构包括转动轴、带轮、皮带、磁力支架和磁石，所述电机的上侧传动连接有转动轴，所述转动轴的上侧固定连接有带轮，所述带轮的外侧传动连接有皮带，所述皮带的另一端内侧传动连接有磁力支架，所述磁力支架的内侧固定连接有磁石，所述磁石关于磁力支架对称设置。该蚀刻制程设备，通过旋转磁场机构和干蚀刻腔体之间的配合作用，使腔体的的电浆受安培右手定律影响，使电浆之电场因磁场影响后朝向被蚀刻产品表面，实现了蚀刻离子集中朝向蚀刻产品表面的目的，达到了蚀刻均匀的效果，解决了蚀刻不均匀，蚀刻效果不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装结构蚀刻制程，具体为面板蚀刻制程设备。

技术介绍

1、有鉴于台积电、三星、及英特尔提出之半导体先进封装结构，其不同功能之ic晶片以3d方式堆叠来增加整体功能，而ic间之连接以导线及tsv 连接，其制程流程为种子pvd—上光祖—瀑光—显影—电镀—去光组—蚀刻 流程来实现， 而蚀刻制程乃是将经过微影制程在表面定义出ic电路图案的晶圆， 以化学腐蚀反应的方式，或物理撞击的方式，或上述两种方式的合成效果，去除部份材质，留下ic电路结构。 蚀刻技术主要分成两大类：湿式蚀刻法与干式蚀刻法。干式蚀刻一般是利用承载产品的载台施与-vbias (偏差电压) 来吸引带电离子撞击产品表面或施与相对应的气体腐蚀蚀刻，如今面板产业ledmini-led甚至进展到micro-led，所需半导体制程愈发重要。

2、现有的面板蚀刻制程设备主要存在如下技术缺陷：现有的蚀刻制程，仅以腔体下方产品载台施与偏差电压来吸引蚀刻离子。于腔体上方通过装置来施以推力，无法将蚀刻腔体内之电浆能量场中的离子稳定朝向产品进行蚀刻制程，使得蚀刻离子会四周发散，无法集中，面板边本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.面板蚀刻制程设备，包括电机（1）、金属座（32），其特征在于：所述电机（1）的上侧传动连接有旋转磁场机构（2），所述旋转磁场机构（2）的内侧固定安装有连接组件（3），所述连接组件（3）的上侧固定连接有干蚀刻腔体（4），所述干蚀刻腔体（4）上设置有射频线圈（5），所述连接组件（3）的内部设置有控制组件（6）；

2.根据权利要求1所述的面板蚀刻制程设备，其特征在于：所述连接组件（3）包括滚珠轴承（31）和金属座（32），所述磁力支架（24）的下部内侧固定连接有滚珠轴承（31），所述滚珠轴承（31）的轴向内侧固定连接有金属座（32）。

3.根据权利要求1所述的面板蚀...

【技术特征摘要】

1.面板蚀刻制程设备，包括电机（1）、金属座（32），其特征在于：所述电机（1）的上侧传动连接有旋转磁场机构（2），所述旋转磁场机构（2）的内侧固定安装有连接组件（3），所述连接组件（3）的上侧固定连接有干蚀刻腔体（4），所述干蚀刻腔体（4）上设置有射频线圈（5），所述连接组件（3）的内部设置有控制组件（6）；

2.根据权利要求1所述的面板蚀刻制程设备，其特征在于：所述连接组件（3）包括滚珠轴承（31）和金属座（32），所述磁力支架（24）的下部内侧固定连接有滚珠轴承（31），所述滚珠轴承（31）的轴向内侧固定连接有金属座（32）。

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，
申请(专利权)人：苏州成汉芯业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：