【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体
,尤其涉及一种具有复合式多量子阱层的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(英文为LightEmittingDiode,简称LED)是一种固态半导体器件,被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域发。其中,氮化镓系发光二极管因其带隙覆盖各种色光,成为国内外产学研各界重点研究的对象,尤其是近年来有源区结构逐渐成为各界研究的热点。由于有源区中量子阱段长晶温度低且In掺杂较高,极易形成大而密的漏电通道,该漏电通道促成了载流子的过冲现象,使得有源区的辐射复合效率随着载流子浓度的增加或者器件操作温度的升高而呈下降趋势,即产生EfficiencyDroop。
技术实现思路
针对上述问题,本技术提出一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,至少包括:一衬底,及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层,所述复合式多量子阱层包括交替层叠的势垒层和势阱层,其特征在于:所述势阱层包括带隙能级依次增大且周期性层叠的第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层。优选的,所述第一氮化物层为氮化铟层。优选的,所述第二氮化物层为铟镓氮层。优选的,所述第三氮化物层为氮化铝层。优选的,所述多量子阱层还包括一位于所述势阱层上的保护层。优选的,所述势阱层的周期数为1~20。优选的,所述复合式多量子阱层的周期数为1~30。优选的,所述第一氮化物层的厚度为3~50Å。优选的,所述第二氮化物层的厚度为3~50Å。优选的,所述第三氮化物层的厚度为3~50Å。优选的,所述衬底上具有一缓冲层,所述N型层位于该缓冲层上。附图说明:附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术 ...
【技术保护点】
一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,至少包括:一衬底,及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层,所述复合式多量子阱层包括交替层叠的势垒层和势阱层,其特征在于:所述势阱层包括带隙能级依次增大且周期性层叠的第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层。
【技术特征摘要】
1.一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,至少包括:一衬底,及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层,所述复合式多量子阱层包括交替层叠的势垒层和势阱层,其特征在于:所述势阱层包括带隙能级依次增大且周期性层叠的第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层。2.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,其特征在于:所述第一氮化物层为氮化铟层。3.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,其特征在于:所述第二氮化物层为铟镓氮层。4.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管,其特征在于:所述第三氮化物层为氮化铝层。5.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄理承,谢翔麟,林兓兓,蔡吉明,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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