一种ITO结构LED芯片制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体发光二极管芯片制造
，尤其是涉及一种ITO结构LED芯片。
技术介绍
发光二极管具有高光效、低能耗、长寿命、多波段等优势，是一种有广阔应用前景的新光源，目前AlGaInP发光二极管已大量应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。作为AlGaInP发光二极管首选的半导体GaAs衬底材料，其化学性质稳定，具有与AlGaInP材料晶格匹配性佳、导电性、导热性好、制造的晶体质量高、大批量制造成本低等明显优势。对于GaAs衬底的AlGaInP LED芯片，一般采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转（30000-45000r/min）的超薄钻石刀片（厚度为10-25μm）对AlGaInP LED芯片进行切割，使AlGaInP LED芯片分割成为单个的芯粒。掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为ITO，由于GaAs衬底材料属于硬脆材料，特别是对于常规ITO结构的AlGaInP LED芯片而言，在芯片制造过程中会在外延片上表面生长一层ITO薄膜层，然后再进行制作金属电极层，这使得AlGaInP LED芯片本身的应力增加，而且ITO薄膜层与外延层的结合力远小于外延片内部的各个外延层之间的结合力，再加上切割时超薄钻石刀片直接接触ITO薄膜层、外延层和GaAs衬底，这就使得AlGaInP LED芯片加工时极其容易造成不同程度的物理损伤，特别是在AlGaInP LED芯片的正面周围、边缘容易产生外延层和GaAs衬底材料的崩角、崩边、裂纹、裂纹等问题，从而影响AlGaInP LED芯片的...
【技术保护点】
一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面设有n电极层，其特征在于：在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层。
【技术特征摘要】
1.一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs...
【专利技术属性】
技术研发人员：张银桥，潘彬，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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