用于LED芯片上的复合结构层及LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于LED芯片上的复合结构层及LED芯片。本实用新型专利技术提供的用于LED芯片上的复合结构层，包括：位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于电流扩散层上的电流阻挡层，电流阻挡层位于P型结构层上的P型电极的正下方。本实用新型专利技术提供的用于LED芯片上的复合结构层，能够使P型电极端的电流扩散到P型电极正下方的P型结构层上，使整个P型结构层上均有电流通过，增加了电流的有效注入区域，提高了电流注入到有源层的均匀性，提高了芯片的出光效率及芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED技术，尤其涉及一种用于LED芯片上的复合结构层层及LED芯片。
技术介绍
发光二极管作为一种能够将电能转化为光能的半导体电子组件，因其具有高效、节能、环保、寿命长等优点，已被广泛的应有于显示器、电视机采光装饰、照明等领域。发光二极管芯片中由于不同层材料导电率的不同，当P型电极端的电流密度过大时，会导致垂直注入有源层的电流密度不均匀，发生电流拥堵现象。并且当P型电极端的电流密度过大时，垂直注入正对P型电极的P型结构层上的电流密度也较大，会造成芯片的放电击穿现象。为避免以上现象发生，在发光二极管芯片的制作过程中，首先在正对P型电极的P型结构层上生长一层具有电流阻挡作用的薄膜，然后再在具有电流阻挡作用的薄膜上及其他暴露的P型结构层上蒸镀一层具有电流扩散作用的薄膜，如图1所示，这样，能够避免P型电极端的电流垂直注入到P型结构层上，降低电流拥堵现象的发生以及芯片的放电击穿现象。但是，由于在正对P型电极的P型结构层上生长着一层具有电流阻挡作用的薄膜，使得P型电极端的电流不能够到达P型电极正下方的P型结构层上，电流注入P型结构层的有效面积减少。
技术实现思路
本技术提供一种用于LED芯片上的复合结构层，能够使P型电极端的电流注入到P型电极正下方的P型结构层上，增大电流注入P型结构层的面积。本技术提供的用于LED芯片上的复合结构层，包括：位于芯片P型 结构层表面的电流扩散层，以及生长于上述电流扩散层上的电流阻挡层，上述电流阻挡层位于上述P型结构层上的P型电极的正下方。进一步地，上述电流扩散层为ITO薄膜，上述电流阻挡层为SiO2薄膜。进一步地，上述电流扩散层为ITO薄膜，上述电流阻挡层为AlN薄膜。进一步地，上述ITO薄膜通过蒸镀工艺形成于上述P型结构层表面；上述AlN薄膜通过如下方法形成：在位于上述P型电极正下方的上述ITO薄膜上蚀刻出规则的凹坑，采用镀膜工艺在上述凹坑内覆盖上述AlN薄膜，在上述AlN薄膜及暴露的上述ITO薄膜上方通过蒸镀工艺再形成一层ITO薄膜。进一步地，上述ITO薄膜的厚度介于之间，上述AlN薄膜的厚度介于之间。进一步地，上述ITO薄膜的厚度为上述AlN薄膜的厚度为进一步地，上述P型电极正下方的上述ITO薄膜上方还包括一层蒸镀形成的金膜。进一步地，上述金膜的厚度为500nm。本技术还提供一种LED芯片，包括：生长衬底、N型结构层、有源层、P型结构层、用于LED芯片上的复合结构层、P型电极，N型电极；其中，上述生长衬底上部从下至上依次生长着上述N型结构层、上述有源层、上述P型结构层、上述复合结构层；上述P型电极形成于上述复合结构层上；上述N型电极形成于暴露的上述N型结构层上。本技术还提供一种LED芯片，包括：生长衬底、N型结构层、有源层、P型结构层、用于LED芯片上的复合结构层、P型电极，N型电极；其中，上述生长衬底上部从下至上依次生长着上述N型结构层、上述有源层、上述P型结构层、上述复合结构层；上述P型电极形成于上述复合结构层上部；上述N型电极形成于上述生长衬底下部。本技术提供的用于LED芯片上的复合结构层，包括位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于电流扩散层上的电流阻挡层，电流阻挡层位于P型结构层上的P型电极的正下方。使电流阻挡层不直接生长在P型结构层上，P型电极上的电流在经过电流阻挡层的阻挡作用之后向四周扩散并在电流扩散层的扩散作用下，能够扩散到P型电极正下方的P型结构层上， 这样P型电极正下方的P型结构层表面上均有电流通过。利用此复合结构层能够增加电流的有效注入区域，提高电流注入到有源层的均匀性，提高芯片的出光效率及芯片的亮度。附图说明图1为现有技术中LED芯片的结构示意图；图2为本技术实施例一提供的用于LED芯片上的复合结构层的结构示意图；图3为本技术提供的用于LED芯片的复合结构层内电流的流动方向示意图；图4为本技术实施例二提供的用于LED芯片上的复合结构层的结构示意图；图5为本技术实施例三提供的LED芯片的结构示意图；图6为本技术实施例四提供的LED芯片的结构示意图。附图标记说明：1：复合结构层；11：电流扩散层；12：电流阻挡层；13：金膜；2：P型结构层；3：P型电极；4：生长衬底； 5：N型结构层；6：有源层； 7：N型电极。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为现有技术中LED芯片的结构示意图，如图1所示，LED芯片包括：生长衬底4、N型结构层5、有源层6、P型结构层2、复合结构层1、P型电极3，N型电极7；其中，生长衬底4上部从下至上依次生长着N型结构层5、有源层6、P型结构层2、复合结构层1；P型电极3形成于复合结构层1上部；N型电极7形成于暴露的N型结构层5上。由图1可知，现有技术中的用于LED芯片上的复合结构层，包括形成于P型电极3正下方的P型结构层2上的电流阻挡层12以及形成于电流阻挡层12和其他暴露的P型结构层2上的电流扩散层11。图1中的箭头指向示出P型电极端电流的流动方向，如图1中的箭头所示，现有技术中的用于LED芯片上的复合结构层，由于电流阻挡层12直接形成于P型结构层2上，使得P型电极3上的电流不能够流入到电流阻挡层12下方的P型结构层2上，电流的有效注入面积减少。这样就不利于提高电流注入有源层的均匀性，提高LED芯片的出光效率及亮度。实施例一本实施例提供一种用于LED芯片上的复合结构层，能够使P型电极端的电流到达P型电极正下方的P型结构层上，增加电流的有效注入面积，提高电流注入到有源层的均匀性，提高芯片的出光效率。图2为本技术实施例一提供的用于LED芯片上的复合结构层的结构示意图，如图2所示，本实施例提供的用于LED芯片上的复合结构层1，包括位于芯片P型结构层2表面的电流扩散层11，以及生长于电流扩散层11上的电流阻挡层12，电流阻挡层12位于P型结构层2上的P型电极3的正下方。具体地，电流扩散层11材料可选用ITO、ZnO、Al掺杂ZnO或Ga掺杂ZnO材料中的一种或任意组合。电流阻挡层材料12可选用TaO3、ZrO2、TiO3、TiO2、Si3N4、SiO2中的一种或任意组合。图3为本技术提供的用于LED芯片的复合结构层内电流的流动方向示意图。如图3所示，本技术提供的用于LED芯片上的复合结构层，通 过将电流阻挡层12生长于电流扩散层11上，使得电流阻挡层12与P型结构层2之间存在电流扩散层11，P型电极3上的电流受到电流阻挡层12的阻挡作用后，在电流扩散层11的扩散作用下，能够到达电流阻挡层12正下方的电流扩散层11内，进而注入到电流阻挡层12正下方的P型结构层2上，以使整个P型结构层上均有电流注入，提高电流注入P型结构层的有效面积，进而提高电流注入有源层的均匀性，降低P型电极与P型结构层之间的结温，提高芯片的出光效率及芯片的亮度。优选地，本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，包括：位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于所述电流扩散层上的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P型结构层上的P型电极的正下方。

【技术特征摘要】
1.一种用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，包括：位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于所述电流扩散层上的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P型结构层上的P型电极的正下方。2.根据权利要求1所述的用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，所述电流扩散层为ITO薄膜，所述电流阻挡层为SiO2薄膜。3.根据权利要求1所述的用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，所述电流扩散层为ITO薄膜，所述电流阻挡层为AlN薄膜。4.根据权利要求3所述的用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，所述ITO薄膜通过蒸镀工艺形成于所述P型结构层表面；所述ITO薄膜的位于所述P型电极正下方的部位内包裹有所述AlN薄膜。5.根据权利要求3或4所述的用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度介于之间，所述AlN薄膜的厚度介于 之间。6.根据权利要求5所述的用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度为所述AlN薄膜的厚度为7.根据权利要求3或...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦建军，周德保，康建，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34