一种深紫外LED外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明专利技术提供了一种深紫外LED外延结构，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。本发明专利技术所述深紫外LED外延结构具有较高的光电转化效率和老化寿命。有较高的光电转化效率和老化寿命。有较高的光电转化效率和老化寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED外延结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体结构
，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，Ⅲ族氮化物作为宽禁带半导体材料中的杰出代表，已经实现了高效的蓝绿光发光二极管(LED)、激光器等固态光源器件，其在平板显示、白光照明等应用方面取得了巨大的成功。近十年来，人们期望将这种高效的发光材料应用于紫外波段，以满足日益增长的紫外光源需求。紫外波段根据其生物效应通常可分为：长波紫外(UVA，320～400nm)、中波紫外(UVB，280～320nm)、短波紫外(UVC，200～280nm)以及真空紫外(VUV，10～200nm)。紫外线虽然不能被人类眼睛所感知，但其应用却非常广泛。长波紫外光源在医学治疗、紫外固化、紫外光刻、信息存储、植物照明等领域有着巨大的应用前景；而中波紫外及短波紫外(统称深紫外)则在杀菌消毒、水净化、生化探测和非视距通信等方面有着不可替代的作用。目前，传统紫外光源主要是汞灯，具有体积大、功耗高、电压高和污染环境等缺点，不利于其在日常生活及特殊环境下的应用。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴注入层和P型接触层；所述复合电子阻挡层包括由下自上依次层叠设置的第一AlGaN主体结构层、吸收层和第二AlGaN主体结构层。2.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层中Al的原子百分含量独立的为45％～75％。3.如权利要求1或2所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层独立的为单层AlGaN层或交替层叠设置的超晶格层。4.如权利要求3所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN主体结构层和第二AlGaN主体结构层的厚度≥5nm。5.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述吸收层包括由下到上依次交替层叠设置的InGaN吸收层和AlGaN吸收...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡武，康建，杨天鹏，陈向东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：