温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供了一种深紫外LED外延结构，包括由下自上依次层叠设置的衬底、缓冲层、AlN本征层、应力调控层、电子注入层、电流扩散层、多量子阱有源层、复合电子阻挡层、空穴...
该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。