发光二极管外延片及发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管外延片及发光二极管，其中，发光二极管外延片包括：衬底以及在衬底上生长的缓冲层，所述缓冲层的上表面具有局部沉陷区。本实用新型专利技术实施例提供的发光二极管外延片及发光二极管，可减小衬底在生长过程中的翘曲，提升外延片的波长均匀性等参数。数。数。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及发光二极管


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种发光二极管外延片及发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，是指由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成的可以把电能转化为光能的半导体二极管的一种。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
[0003]外延片是发光二极管中的主要构成部分，相关技术中，发光二极管外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、N型层、有源层和P型层。在发光二极管外延片的生长过程中，缓冲层生长技术是关键的一步。发光二极管发光品质很大一部分取决于缓冲层的生长技术，因为缓冲层生长的厚度决定衬底翘曲的变化，衬底的翘曲会进一步影响到整个外延片在生长过程中温度的均匀性，进而可以影响有源层发出的光的集中度。因此通过控制缓冲层的生长厚度可以有效的提升外延片的光电性能的均匀性。
[0004]传统的生长缓冲层技术是在金属有机化合物化学气相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括：衬底以及在衬底上生长的缓冲层；所述缓冲层的上表面具有局部沉陷区。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层包括：第一缓冲层和第二缓冲层；所述第一缓冲层和所述第二缓冲层在衬底上从下至上依次生长；所述局部沉陷区位于所述第二缓冲层上。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述局部沉陷区为以所述缓冲层的中心为圆心的圆形区域。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述局部沉陷区为以所述缓冲层的中心为圆心的环形区域。5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述衬底的半径介于44.8mm
‑
89.6mm之间。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：康建，焦建军，陈向东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：