一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法技术

一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，本发明专利技术从下到上依次包括：第一电极、衬底、半导体发光层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；所述电流阻挡层设置在第二电极下方的所述透明导电层和半导体发光层之间。电流经过第二电极注入到氧化铟锡透明薄膜后，受电流阻挡层的影响在透明导电层进行横向扩展，将大部分电流注入到半导体发光层的有源区，这种分布式电流注入方式减缓了电流在电极下方的积聚，减少电流的无效注入，提升了发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子
，特别涉及AlGaInP四元系发光二极管的制造

技术介绍
四元系 AlGaInP 是一种具有直接宽带隙的半导体材料，已广泛应用于多种光电子器件的制备。由于材料发光波段可以覆盖可见光的红光到黄绿波段，由此制成的可见光发光二极管受到广泛关注。传统的垂直结构AlGaInP发光二极管借助厚的P-GaP电流扩展层进行横向扩展后将电流注入发光区，一方面由于P-GaP电流扩展能力有限，电极下方附近区域电流密度较高，离电极较远的区域电流密度较低，导致整体的电流注入效率偏低，从而降低了发光二极管的出光效率。另一方面厚的P-GaP需要较长的生长时间，源耗较高，导致成本大大增加。高亮度反极性AlGaInP芯片采用键合工艺实现衬底置换，用到热性能好的硅衬底（硅的热导率约为1.5W/K.cm）代替砷化镓衬底（砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm），芯片具有更低热阻值，散热性能更好。目前虽然有采用高反射率的全方位反射镜技术来提高反射效率的方法，也有采用表面粗化技术改善芯片与封装材料界面处的全反射，亮度会更高。但是由于制作步骤繁多，工艺非常复杂，导致制作成本偏高，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，从下到上依次包括：第一电极、衬底、半导体发光层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；其特征在于所述电流阻挡层设置在第二电极下方的所述透明导电层和半导体发光层之间。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，从下到上依次包括：第一电极、衬底、半导体发光层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；其特征在于所述电流阻挡层设置在第二电极下方的所述透明导电层和半导体发光层之间。2.根据权利要求1所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层在半导体发光层上所占的面积不小于第二电极在透明导电层上所占的面积。3.根据权利要求1或2所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述半导体发光层包括依次设置在衬底上的N-GaAs缓冲层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层和电流扩展层。4.根据权利要求1或2所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层的厚度为100～350nm。5.根据权利要求4所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的厚度为200～300nm。6.如权利要求1所述垂直结构AlGaInP基发光二极管的制造方法，先在一衬底的同一侧外延生长半导体发光层，取得外延片；其特征在于还包括以下步骤：1）在外延片的半导体发光层表面通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，杨凯，何胜，徐洲，林鸿亮，张永，张双翔，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32