The invention provides an integrated high brightness LED light emitting unit includes: a substrate, LED chip, rectifier circuit, the rectifier circuit arranged on the substrate of rectifier diode bare crystal and silver layer lines, phosphor coating, the LED chip and the substrate, the whole rectifying circuit sealed in the fluorescent coating in. The rectifier circuit of LED lamp required in fluorescent coating to the bare wafer form together with LED chip, substrate, the overall package, to solve the external rectifier circuit caused by LED light larger problems, increase the steady flow pipe, and other components together with the package, the relatively constant current circuit, LED light stability. By using high temperature glue fixed electrode, the electrode will not loose in the sealing process of LED lamp.
【技术实现步骤摘要】
一种集成式高亮度LED发光单元及其制作方法
本专利技术涉及LED
,具体是涉及一种集成式高亮度LED发光单元及其制作方法。
技术介绍
LED灯发光效率主要取决于其发光单元,特别是大功率LED灯是利用LED灯珠,采用SMT工艺将LED灯珠利用锡膏固定在带有电路的铝基板、陶瓷板上,然后通过线路与驱动电源连接,经驱动电源将交流电转变成直流电进而点亮LED灯珠,而制作成LED灯泡,这样的LED发光角度小,体积大,热量大,并且在LED封装过程中,特别是高温状态下,各焊点容易脱落,特别是电极容易松动造成质量隐患。另外,LED发光时LED芯片会产生大量的热,目前LED产生的热量的散发主要通过热传导进行,但这些热量不能及时有效地完全排除,LED芯片产生的热量不断积聚,LED芯片效能下降,温度不断升高,出光减弱,温度升高后,LED内部电阻增加,产生的热量进一步增多,出光进一步减弱,造成恶性循环。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提供一种集成式高亮度LED发光单元,包括:基板,所述基板材料为YAG荧光复相多晶体、蓝宝石、陶瓷、玻璃基 ...
【技术保护点】
一种集成式高亮度LED发光单元,其特征在于,包括:基板,所述基板材料为YAG荧光复相多晶体、蓝宝石、陶瓷、玻璃基板中的一种;LED芯片,所述LED芯片为LED蓝光芯片;所述LED芯片设置在所述基板上;整流电路,所述整流电路包括设置在所述基板上的整流二极管裸晶及银层线路,所述整流电路的正极与所述LED芯片的负极相连,所述整流电路的负极与所述LED芯片的正极相连;所述整流电路的正极、负极分别连接有电极;荧光涂层,所述LED芯片、基板、整流电路整体封装在所述荧光涂层中。
【技术特征摘要】
1.一种集成式高亮度LED发光单元,其特征在于,包括:基板,所述基板材料为YAG荧光复相多晶体、蓝宝石、陶瓷、玻璃基板中的一种;LED芯片,所述LED芯片为LED蓝光芯片;所述LED芯片设置在所述基板上;整流电路,所述整流电路包括设置在所述基板上的整流二极管裸晶及银层线路,所述整流电路的正极与所述LED芯片的负极相连,所述整流电路的负极与所述LED芯片的正极相连;所述整流电路的正极、负极分别连接有电极;荧光涂层,所述LED芯片、基板、整流电路整体封装在所述荧光涂层中。2.根据权利要求1所述的集成式高亮度LED发光单元,其特征在于,所述电极的材料为钼。3.根据权利要求1所述的集成式高亮度LED发光单元,其特征在于,还包括稳流管裸晶,所述稳流管裸晶设置在所述整流电路与所述LED...
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