有源发光二极管模块制造技术
【技术实现步骤摘要】
有源发光二极管模块分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2013年1月25日、申请号为201380008594.4、专利技术名称为“有源发光二极管模块”的专利技术专利申请案。
本专利技术涉及发光二极管(LED)且特定来说涉及一种含有与LED串联以控制穿过LED的电流的有源电路的单裸片。
技术介绍
LED通常形成为具有阳极端子及阴极端子的裸片。LED裸片通常安装在较大衬底上用于散热及封装。衬底可含有额外电路，例如无源静电放电装置。随后通常对LED裸片及任选的衬底进行封装，其中封装具有稳固阳极及阴极引线以焊接到印刷电路板(PCB)。LED可由电流源控制以实现所要亮度。电流源可为形成在单独裸片中的MOSFET或双极晶体管。电流源及LED通常由导线或PCB连接在一起。提供与LED裸片分开的电流源需要额外空间及互连，从而增加成本。存在其它缺点，所述缺点包含与组件不匹配的可能性。需要提供一种具有集成电流源驱动器电路的非常紧凑的LED模块。当驱动多色彩LED时出现额外问题，例如在彩色显示器中或为了形成白光源。LED为具有非线性电压对电流特性的两端子电装置。在特...
【技术保护点】
一种照明装置，其包括：第一发光二极管LED，其至少具有第一电导率的第一LED层和第二电导率的第二LED层，所述第一LED层和所述第二LED层在半导体材料的顶部表面上被外延生长；第一晶体管，其在所述半导体材料的所述顶部表面上或其中形成，所述第一晶体管具有第一载流节点、第二载流节点和控制节点，其中所述第一LED围绕所述第一晶体管，且所述第一晶体管大体上位于所述第一LED的中央；及第一导体，其将所述第一晶体管的所述第一载流节点连接到所述第一LED层以将所述第一晶体管与所述LED串联连接，以使得当跨越所述第二LED层和所述第一晶体管的所述第二载流节电而施加电压且当所述晶体管传导电流...
【技术特征摘要】
2012.02.23 US 61/602,439;2013.01.09 US 13/737,6721.一种照明装置，其包括：第一发光二极管LED，其至少具有第一电导率的第一LED层和第二电导率的第二LED层，所述第一LED层和所述第二LED层在半导体材料的顶部表面上被外延生长；第一晶体管，其在所述半导体材料的所述顶部表面上或其中形成，所述第一晶体管具有第一载流节点、第二载流节点和控制节点，其中所述第一LED围绕所述第一晶体管，且所述第一晶体管大体上位于所述第一LED的中央；及第一导体，其将所述第一晶体管的所述第一载流节点连接到所述第一LED层以将所述第一晶体管与所述LED串联连接，以使得当跨越所述第二LED层和所述第一晶体管的所述第二载流节电而施加电压且当所述晶体管传导电流时，电流穿过所述第一晶体管而横向流动且穿过所述LED而垂直流动以照亮所述LED。2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括穿过所述半导体材料而形成的第二导体，所述第二导体将所述第一晶体管的所述第二载流节点耦合到所述装置的底部端子，且其中跨越所述装置的所述底部端子和所述第二LED层施加所述电压以当所述第一晶体管接通时照亮所述LED。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体材料包括导电衬底，其中跨越所述衬底的底部表面和所述第二LED层施加所述电压以当所述第一晶体管接通时照亮所述LED。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管为场效应晶体管FET。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管为双极性晶体管。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置为三端子装置，其中所述LED的所述第二LED层连接到所述装置的第一端子，所述第一晶体管的所述第二载流节点电耦合到所述装置的第二端子，且所述第一晶体管的所述控制节点耦合到所述装置的第三端子。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体材料包括硅、SiC、GaN和GaAs中的一者。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体材料为高电阻率层，其中所述第一LED层为覆盖所述高电阻率层而生长的第一基于GaN的层，其中所述第一晶体管的至少一部分形成在所述第一基于GaN的层中。9.根据权利要求1所述的装置，其中在所述半导体材料上形成有高电阻率层，在所述高电阻率层上生长有所述第一LED层和所述第二LED层，且其中所述第一晶体管的至少一部分形成在所述半导体材料中但没有覆盖所述高电阻率层。10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：布拉德利·S·奥拉韦，
申请(专利权)人：尼斯迪格瑞科技环球公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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