发光二极管光源模块制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二极管光源模块，包括多个发光二极管组件及基座。发光二极管组件供产生白光；基座包含基板及保护墙，发光二极管组件及保护墙分别设于基板上，且保护墙的高度大于发光二极管组件的高度。当满足特定条件时，本实用新型专利技术可以避免发光二极管组件在固晶程序中短路的问题产生。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管光源模块
本技术关于发光二极管光源模块，且特别是有关于使用发光二极管作为光源并应用于车辆头灯的发光模块。
技术介绍
发光二极管(lightemittingdiode,LED)为一种半导体组件，主要通过半导体化合物将电能转换为光能以达到发光效果，因此具有寿命长、稳定性高及耗电量小等优点，已逐渐地应用于车辆照明，取代传统的氙气灯。依法规的要求，应用于车辆头灯照明的发光二极管光源模块除了必须为条状光源且具有预设的光强度(或称照度)以提供驾驶员充分的能见度外，其产生的光束也不得对迎面而来的车流中的驾驶产生不舒适度；也就是说，发光二极管发光模块的发光角度不得过广。因此，如何设计一种具有预设光强度及发光角度的发光二极管发光模块，以供车辆照明，实为本领域技术人员一大课题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术提供一种发光二极管光源模块。本技术提供一种发光二极管光源模块，包括：呈串联连接的多个发光二极管组件，且各该发光二极管组件均包括一垂直式结构发光二极管芯片；以及一基座，包含一基板及一保护墙，该多个发光二极管组件及该保护墙分别设于该基板上，且该保护墙的高度大于各该发光二极管组件的高度，其中，相邻二个发光二极管组件之间的距离为D，并满足下列条件：0.05mm<D≤0.10mm。其中相邻二个发光二极管组件之间的距离为0.08mm。其中各该发光二极管组件还包括包覆该垂直式结构发光二极管芯片的一波长转换层，该发光二极管芯片的高度为H，该波长转换层在该发光二极管芯片的顶面上的厚度为T，并满足下列条件：H>2T。其中该波长转换层位于相邻二个发光二极管芯片之间的间隔中。还包括：一导线；以及一上电路层，设于该基板的一上表面并包含相分隔的一第一电极及一第二电极，该垂直式结构发光二极管芯片的一下电极连接于该第一电极，该导线跨接于该垂直式结构发光二极管芯片的一上电极及该第二电极之间，以电性连接该上电极及该第二电极，该第一电极及该第二电极之间的距离小于0.10mm。其中该保护墙的高度为h，该导线与该基板的该上表面之间的最大距离为d，并满足下列条件：h>d。其中该保护墙呈封闭状地围绕该多个发光二极管组件。其中该保护墙非呈封闭状结构。其中该基板及该保护墙为一体成型。还包括一胶材，该胶材设于该基板及该保护墙之间。附图说明图1绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管光源模块的立体图；图2绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管光源模块的上视图；图3绘示沿着图2中3-3线的剖视图；图4绘示沿着图2中4-4线的剖视图；图5绘示依照本技术第二实施方式的发光二极管光源模块的剖视图；以及图6绘示依照本技术第三实施方式的发光二极管光源模块的立体图。图中：10发光二极管光源模块；100发光二极管组件；102发光二极管芯片；1020顶面；1022底面；1024侧面；1026上电极；1028下电极；103间隙；104波长转换层；120基座；122基板；1220贯穿孔；1222上表面；1224下表面；1226、1240外侧面；124保护墙；1242内侧面；1260第一电极；1262第二电极；1264沟道；1265分隔道；1280第三电极；1282第四电极；1284凹沟；130、130’辅助电极；140导线；150胶材。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。请参照图1及图2，图1绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管光源模块的立体图，图2绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管光源模块的上视图。图1及图2所示的发光二极管光源模块10应用于提供车辆头灯用的光源；车辆头灯用以提供车辆驾驶员在光源照度不佳的状况(如黑暗)下看见道路上及道路旁边的对象(例如交通标示、行人、动物等)。发光二极管光源模块10包括多个发光二极管组件100及基座120，所述的发光二极管光源模块10由电子装置(未图标)来驱动。基座120用以承载发光二极管组件100；发光二极管组件100用以提供白光，且当相邻二发光二极管组件100之间的距离为D时，满足下列条件:0.05mm≤D≤0.10mm。借此，可以有效地避免发光二极管组件100在进行固晶程序时，相邻二个发光二极管组件100因距离过近而发生短路的情况产生。每个发光二极管组件100包含用以发出蓝光的发光二极管芯片(或称发光二极管晶粒)102。发光二极管芯片102等间隔地排列于基座120上，且每个发光二极管芯片102为用以提供正向光源的垂直式结构(perpendicularstructure)发光二极管芯片。更具体言之，每个发光二极管芯片102包含相反设置的顶面1020及底面1022，上电极1026设在发光二极管芯片102的顶面1020，下电极1028设在发光二极管芯片102的底面1022。在发光二极管组件100操作时，只有发光二极管芯片102的顶部1020发出蓝光，发光二极管102的底面1022及侧面1024并不会发出蓝光；其中侧面1024连接顶面1020及底面1024。发光二极管芯片102呈串联连接。为了提供无暗带的光型，还要避免呈串联连接的相邻二发光二极管芯片102在进行固晶程序时发生短路而让发光二极管光源模块10无法正常操作，相邻二发光二极管芯片102具有间隙103(如图4所示)。请参照图3及图4，在发光二极管芯片102的顶面1020提供波长转换层104；波长转换层104可以使用环氧树脂或硅树脂等透光材料混合荧光体制作而成。在发光二极管组件100操作时，自发光二极管芯片顶面1020发出的蓝光被部分吸收且由覆盖于其上的波长转换层104的荧光体转换为黄光。未经转换的蓝光与经转换的黄光随后混合为白光。进一步地，为了避免波长转换层104的使用造成发光二极管组件100产生的白光的光强度下降，波长转换层104必须经设计而具有特定厚度；如图3所示，当发光二极管芯片102的芯片高度为H，波长转换层104在发光二极管芯片顶面1020上的厚度为T时，满足下列条件:H>2T。举例来说，发光二极管芯片102的高度为0.15毫米时，波长转换层104在发光二极管芯片顶部1020的厚度不得超过0.075毫米，并可以例如是0.05毫米。要特别说明的是，在本技术中，波长转换层104使用喷涂的方式形成在发光二极管芯片102上，之后再经干燥成型；因此，相邻二发光二极管芯片102之间的间隙103(如图4所示)中也会存在有波长转换层104。进一步地，虽然相邻二发光二极管芯片102之间的间隙103会存在有波长转换层104，但波长转换层104并不会完全填满此间隙103；也就是说，尚有空气填存在于相邻二发光二极管芯片102之间的间隙103中。基座120包含基板122及设于基板122上的保护墙124。基板122呈矩形，且其上设有多个贯穿孔1220。保护墙124设在基板120的上表面1222，并环绕发光二极管组件100及波长转换层104。在图1中，保护墙124经设计使呈封闭环形，保护墙124的外侧面1240与基板122的外侧面1226位于相同垂直平面上，且保护墙124的内侧面1242与基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管光源模块，其特征在于，包括：呈串联连接的多个发光二极管组件，且各该发光二极管组件均包括一垂直式结构发光二极管芯片；以及一基座，包含一基板及一保护墙，该多个发光二极管组件及该保护墙分别设于该基板上，且该保护墙的高度大于各该发光二极管组件的高度，其中，相邻二个发光二极管组件之间的距离为D，并满足下列条件：0.05mm<D≤0.10mm。

【技术特征摘要】
2016.03.17 TW 1052036821.一种发光二极管光源模块，其特征在于，包括：呈串联连接的多个发光二极管组件，且各该发光二极管组件均包括一垂直式结构发光二极管芯片；以及一基座，包含一基板及一保护墙，该多个发光二极管组件及该保护墙分别设于该基板上，且该保护墙的高度大于各该发光二极管组件的高度，其中，相邻二个发光二极管组件之间的距离为D，并满足下列条件：0.05mm<D≤0.10mm。2.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中相邻二个发光二极管组件之间的距离为0.08mm。3.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中各该发光二极管组件还包括包覆该垂直式结构发光二极管芯片的一波长转换层，该发光二极管芯片的高度为H，该波长转换层在该发光二极管芯片的顶面上的厚度为T，并满足下列条件：H>2T。4.根据权利要求3所述的发光二极管光源模块，其特征在于，其中该波长转换层位于相邻二个发光二极管芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢陈震崙，洪荣豪，谢孟庭，
申请(专利权)人：葳天科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71