发光二极管元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管元件，包含：一基板；一第一发光叠层位于基板上，包含一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于第一发光叠层上，且位于邻近三角形上表面三个边中的一第一边；以及一第二电极位于第一发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫往两方向延伸，沿三角形上表面的另两个边设置以围绕第一电极，并停在第一边上以形成一开口部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有改善亮度的发光元件。
技术介绍
固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、耐摔、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展，固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步，发光二极管被预期成为未来照明装置的主流。现有的发光二极管包含一基板、n型半导体层、活性层及p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p/n电极。当通过电极对发光二极管输入一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，这些电极会遮蔽活性层所发出的光，且电流易集聚壅塞在电极附近的半导体层内。因此，对于改善发光二极管的亮度、光场均匀性及降低操作电压，一优化的电极结构乃是必要的。此外，现有的发光二极管为方形，其基板的侧壁形成四个九十度的内角。由于这种发光二极管的形状，会容易在这种方形的发光二极管中产生内部全反射，以致于光不易从发光二极管中导出，导致光萃取及亮度都恶化。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种发光元件，包含：一基板；一第一发光叠层位于基板上，包含：一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于第一发光叠层上，且位于邻近三角形上表面三个边中的一第一边；以及一第二电极位于第一发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫往两方向延伸，沿三角形上表面的另两个边设置以围绕第一电极，并停在第一边上以形成一开口部。本专利技术提供另一种发光元件，包含：一基板；一发光叠层位于基板上，包含：一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于发光叠层上，且位于三角形上表面的一内切圆内；以及一第二电极位于发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫延伸且沿三角形上表面的三个边设置，以形成一封闭回圈围绕第一电极。附图说明图1A为本专利技术的一实施例的发光元件上视图；图1B为图1A中发光元件的截面图；图1C为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图1D为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图2A～图2C分别为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图3A～图3C分别为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图4A～图4B分别为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图5A～图5C分别为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图6为现有发光元件上视图；图7A为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图；图7B为图7A中发光元件的截面图；图7C为本专利技术的另一实施例的发光元件上视图。符号说明1、1’、1”、2、2’、2”、3、3’、3”、4、4’、5、5’、5”、7、7’：发光元件10：发光叠层10a、10b、10a’、10b’：发光单元11：反射层12：第一型半导体层14：活性层16：第二型半导体层18：透明导电层20、20’、20”：第一电极201、201’、201”：第一打线垫202、202”：第一延伸电极203’：Y字型分支204”：分支28：沟槽30、30’、30”：第二电极301、301’、301”、301a、301b、301c：第二打线垫302、302’、302”：第二延伸电极303、303’、303”：第一分支304、304’：第二分支305’：第三延伸电极50：电流阻障层501：第一区502：第二区52：保护层60a、60b、60c：顶点80a：第一边80b：第二边80c：第三边具体实施方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的符号在各附图以及说明出现。图1A为依据本专利技术的一实施例发光元件1的上视图。图1B为图1A中发光元件1沿A-A’线的截面图。如图1A及图1B所示，发光元件1包含一基板101以及一发光叠层10设置于基板101上。发光叠层10包含一第一导电型半导体层12(例如为n型半导体层)、一活性层14以及一第二导电型半导体层16(例如为p型半导体层)依序形成于基板101的一表面。一透明导电层18形成于p型半导体层16上，一第一电极20形成于n型半导体12上，以及一包含第二打线垫301及第二延伸电极302的第二电极302形成于p型半导体层16上。一电流阻障层50包含一第一区501以及一第二区502分别形成于第二打线垫301及第二延伸电极302之下，且电流阻障层50与第二电极30具有相似的形状。一用以保护发光叠层10的保护层52覆盖发光元件1的上表面与第二延伸电极302，且暴露第一电极20及第二打线垫301。一反射层11设置于基板101相对于发光叠层10的一面，用以反射发光叠层10所发出的光。反射层11可以是金属，也可以是布拉格反射镜(distributedBraggreflector,DBR)，包含至少两种以上折射率不同的材料交互堆叠形成。布拉格反射镜可为绝缘材料或导电材料。反射层11也可以是由介电层与金属层所组成的全方向反射镜(omnidirectionalreflector,ODR)。介电层可为绝缘材料或导电材料，绝缘材料包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、SU8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(AcrylicResin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TEOS)。导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包含：基板；第一发光叠层，位于该基板上，包含：三角形上表面，与该基板平行且具有三个边及三个顶点；第一电极，位于该第一发光叠层上，且位于邻近该三角形上表面三个边中的一第一边；以及第二电极，位于该第一发光叠层上，包含：第二电极打线垫，位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及第二电极延伸部，自该第二电极打线垫往两方向延伸，沿该三角形上表面的另两个边设置以围绕该第一电极，并停在该第一边上以形成一开口部。

【技术特征摘要】
2014.11.13 US 62/079,4531.一种发光元件，包含：
基板；
第一发光叠层，位于该基板上，包含：
三角形上表面，与该基板平行且具有三个边及三个顶点；
第一电极，位于该第一发光叠层上，且位于邻近该三角形上表面三个边
中的一第一边；以及
第二电极，位于该第一发光叠层上，包含：
第二电极打线垫，位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及
第二电极延伸部，自该第二电极打线垫往两方向延伸，沿该三角形
上表面的另两个边设置以围绕该第一电极，并停在该第一边上以形成一开口
部。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极设置于该三角形上表
面的一内切圆内。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一电极包含第一电极打线垫
及自该第一电极打线垫延伸的第一电极延伸部，该第一电极打线垫及该第一
电极延伸部都位于该内切圆内。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中：
该第一电极包含第一电极打线垫及自该第一电极打线垫延伸的第一电
极延伸部；以及该第二电极延伸部具有自该第二电极延伸部突出且朝向该第
一电极的分支部，其中
该第一电极延伸部与及该分支部为交错设置或互相形成指叉，及/或该分
支部垂直于该分支部所突出的该第二电极延伸部。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中：
该第二电极延伸部具有第一分支部自该第二电极延伸部的弯曲部突出，
且朝向该另两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王心盈，郭得山，庄文宏，柯淙凯，蔡佳珍，许琪扬，陈俊昌，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71