【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件，特别涉及一种具有图案化基板的发光元件。
技术介绍
1、iii-v族材料在半导体相关产业上扮演愈来愈重要的角色。由于异质基板与iii-v族材料之间存在晶格不匹配的问题，难以在无形成缺陷或裂缝的情况下成长iii-v族材料于异质基板上，通常需在基板与iii-v族材料之间加入一或多层缓冲层作为应力调节。
2、然而，若图案化基板的突出部尺寸过大，造成缓冲层的厚度过厚，将不利应用于小尺寸裸片。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一实施例，提供一种发光元件，包括：一基板，包括一上表面；多个突出部形成于上表面，其中多个突出部包括一高度小于或等于1微米；以及一叠层结构，形成于基板上，其中叠层结构包括一第一掺杂半导体层、一发光层、以及一第二掺杂半导体层，且叠层结构包括一总厚度小于4微米。
【技术保护点】
1.一种发光元件，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该基板包括蓝宝石基板。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个突出部包括锥形体。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该多个突出部的高宽比介于0.55至0.85。
5.如权利要求3所述的发光元件，其中该多个突出部的间距介于0.1微米至0.3微米。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该基板未被该多个突出部占据的表面积与该多个突出部的表面积的比例大于35％。
7.如权利要求1所述的发光元件，还包括缓冲层，包括氮氧化铝，顺应性地形成于该基板的该上表面与该多个突出部上。
8.如权利要求7所述的发光元件，其中该缓冲层的厚度介于15纳米至25纳米。
9.如权利要求1所述的发光元件，其中该叠层结构还包括未掺杂半导体层，形成于该基板与该第一掺杂半导体层之间，且该第一掺杂半导体层的厚度与该未掺杂半导体层的厚度包括一比值介于0.9跟1.1之间。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中该叠层结构还包括未掺杂半导体层，形成于该基板
...【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该基板包括蓝宝石基板。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个突出部包括锥形体。
4.如权利要求3所述的发光元件，其中该多个突出部的高宽比介于0.55至0.85。
5.如权利要求3所述的发光元件，其中该多个突出部的间距介于0.1微米至0.3微米。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该基板未被该多个突出部占据的表面积与该多个突出部的表面积的比例大于35％。
7.如权利要求1所述的发光元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖世国，曾超逸，居仲，林海，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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