一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法。所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜，所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜；其中，所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起。本发明专利技术在半导体激光器巴条的前、后端腔面上均设置了具有微纳米级凸起的疏水膜，这种疏水膜可以有效降低水的表面张力，使巴条的前、后端腔面达到疏水效果，防止水、污渍等污染物的污染。同时，这种疏水膜还能够提高增透膜的透过率，降低腔面的吸收损耗，有助于延长半导体激光器寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种具有疏水腔面的半 导体激光器及其制造方法。

技术介绍

1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理 解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一 般技术人员所公知的现有技术。

2、半导体激光器由于高的电光转换效率、较小的体积和较宽的发光波长 等独特优势，使其广泛应用于工业、医学和军事等行业。目前，半导体激 光器一般采用热蒸发、等离子体辅助沉积和磁控溅射等方法在腔面处蒸镀 增透膜和高反膜的方式来满足市场需求。然而，由于半导体激光器腔面处 的光功率密度较高，缺陷密度较大，再加上位错等原因将产生表面光吸收 和非辐射复合，进而导致出光面的透过率下降和温度升高。再加上水汽和氧气等环境的影响会加速激光器腔面发生光学灾变损伤(cod)。因此，高功 率和高亮度的半导体激光器在使用过程中存在转换效率降低和寿命较短等 问题。

3、目前，为解决上述问题，通常在激光器腔面处先使用等离子清洗或者 蒸镀钝化膜，后蒸镀增透膜和高反膜。等离子清洗是先利用高能等离子体 去除腔面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有疏水腔面的半导体激光器，其中，所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜，所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜；其中，所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起。

2.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述增透膜的材质包括：SiO2、Al2O3中的任意一种；

3.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述第一高反膜材质包括：SiO2和Ti3O5的复合物、SiO2和Ta2O5复合物中的任意一种；

4.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述第二高...

【技术特征摘要】

1.一种具有疏水腔面的半导体激光器，其中，所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜，所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜；其中，所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起。

2.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述增透膜的材质包括：sio2、al2o3中的任意一种；

3.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述第一高反膜材质包括：sio2和ti3o5的复合物、sio2和ta2o5复合物中的任意一种；

4.根据权利要求1所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述第二高反膜的材质包括：sio2、al2o3中的任意一种；

5.根据权利要求1-4任一项所述的具有疏水腔面的半导体激光器，其特征在于，所述疏水膜材质包括：sio2、al2o3中的任意一种；

6.权利要求1～5任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张积波，苏建，陈康，任夫洋，刘琪，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：