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本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法。所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜,所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜;其中,所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起...该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种具有疏水腔面的半导体激光器及其制造方法。所述激光器的巴条的前端腔面依次覆盖有增透膜和疏水膜,所述巴条的后端腔面依次覆盖有第一高反膜、第二高反膜和疏水膜;其中,所述疏水膜的外表面上具有微纳米级的凸起...