发光元件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种进一步降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明专利技术实施方式的发光元件(1)具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层(5)和设于半导体层(5)上的第一电极(6)及第二电极(7)，第一电极(6)具有：第一焊盘部(7a)；沿着在与多边形的重心相同的位置具有中心且第一焊盘部(7a)在内侧相接的假想圆从第一焊盘部(7a)延伸的第一延伸部(7b)；从第一焊盘部(7a)沿着假想圆向第一延伸部(7b)相反侧延伸的第二延伸部(7b)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件。
技术介绍
目前，就发光元件而言，为了可实现均匀的发光，正在进行各种开发。例如，作为平面形状为四边形的发光元件的电极构造，提出有第一电极及第二电极中的一方配置在发光元件的上面，以将一方的电极的周围包围的方式配置有另一方的电极的发光元件(专利文献1～3)。这些电极构造分别以遍及发光元件的整个上面而射出均匀的光的方式可实现电流密度的均均分布。专利文献1：(日本)特开2010－225771号公报专利文献2：(日本)特开2002－319705号公报专利文献3：WO2012/011458号小册子正在寻求与上述各种电极构造实现的电流密度分布相比，可实现更均匀的电流密度分布，且遍及发光元件的整个上面射出更均匀的光的发光元件。
技术实现思路
因此，本专利技术实施方式的目的在于提供一种进一步降低了电流密度分布的偏差的发光元件。本专利技术实施方式的发光元件具有：(1)一种发光元件，其具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层和设于所述半导体层上的第一电极及第二电极，其特征在于，所述第一电极具有：第一焊盘部；沿着在与所述多边形的重心相同的位置具有中心且所述第一焊盘部在内侧相接的假想圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层和设于所述半导体层上的第一电极及第二电极，其特征在于，所述第一电极具有：第一焊盘部；沿着在与所述多边形的重心相同的位置具有中心且所述第一焊盘部在内侧相接的假想圆从所述第一焊盘部延伸的第一延伸部；从所述第一焊盘部沿着所述假想圆向所述第一延伸部的相反侧延伸的第二延伸部。

【技术特征摘要】
2015.02.26 JP 2015-036172;2015.12.03 JP 2015-236331.一种发光元件，其具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层和设于所述半导体层上的第一电极及第二电极，其特征在于，所述第一电极具有：第一焊盘部；沿着在与所述多边形的重心相同的位置具有中心且所述第一焊盘部在内侧相接的假想圆从所述第一焊盘部延伸的第一延伸部；从所述第一焊盘部沿着所述假想圆向所述第一延伸部的相反侧延伸的第二延伸部。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一延伸部及所述第二延伸部在所述假想圆上延伸、一边与所述假想圆的内侧或外侧相接一边延伸、或远离所述假想圆的外侧而延伸。3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一延伸部及所述第二延伸部一边与所述假想圆的外侧相接一边延伸、或远离所述假想圆的外侧而延伸。4.一种发光元件，其具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层和设于所述半导体层上的第一电极及第二电极，其特征在于，所述第一电极具有：第一焊盘部；以与在与所述多边形的重心相同的位置具有中心的假想圆重合的方式从所述第一焊盘部延伸的第一延伸部；以与所述假想圆重合的方式从所述第一焊盘部向所述第一延伸部的相反侧延伸的第二延伸部，所述第一焊盘部相对于所述假想圆偏向内侧。5.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述半导体层的平面形状为六边形。6.如权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第二电极配置在比所述假想圆更靠内侧的位置。7.如权利要求1～6中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第二电极具有第二焊盘部，所述第二焊盘部与构成所述多边形的一边面对面而配置。8.如权利要求1～7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第二电极具有：第二焊盘部；从该第二焊盘部沿着所述第一延伸部延伸的第三延伸部；从所述第二焊盘部沿着所述第二延伸部延伸的第四延伸
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【专利技术属性】
技术研发人员：榎村惠慈，北滨俊，三好康夫，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP