一种倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种导热、散热性良好的倒装LED芯片，本实用新型专利技术提供的一种倒装LED芯片，新增P极金属导热电极、N极金属导热电极分别连接P型层和N型层，P电极、N电极再分别设置在P极金属导热电极、N极金属导热电极的表面，P极金属导热电极与N极金属导热电极之间用绝缘层隔离，P电极、N电极作为焊接电极以符合焊接的间距设置，P极金属导热电极、N极金属导热电极均作为中间导电层及导热层，可缩短其间距，更好的将绝缘层的热量吸收，保护绝缘层，P极金属导热电极、N极金属导热电极吸收的热量分别通过P电极、N电极导出；该结构的倒装LED芯片，具有导热、散热性良好的特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明领域，具体涉及一种导热、散热性良好的倒装LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。半导体照明行业内，一般将LED芯片的结构分成正装LED芯片结构、垂直LED芯片结构和倒装LED芯片结构三类。与其它两种芯片结构相比，倒装LED芯片结构具有散热性能良好、出光效率高、饱和电流高和制作成本适中等优点，已经受到各大LED芯片厂家的重视。在进行封装时，倒装LED芯片直接通过表面凸点金属层与基板相连接，不需要金线连接，因此也被称为无金线封装技术，具有耐大电流冲击和长期工作可靠性高等优点，如中国技术专利CN203521472U中揭示的一种倒装LED芯片的焊接电极结构及倒装LED芯片。因为利用倒装的封装模式，为避免P、N电极在封装时出现直接导通，现有技术中会将P、N电极之间设置一间距，和/或在P、N电极之间设置一绝缘层。二氧化硅等绝缘层因散热性能差，LED芯片发出的热量聚集在P、N电极之外的绝缘层上不易散出，最后因积累过多的热量导致烧毁。
技术实现思路
为解决现有技术中因绝缘层热量无法及时散出导致LED芯片烧毁的问题，本技术旨在提供一种导热、散热性良好的倒装LED芯片。为解决上述问题，本技术提供一种倒装LED芯片，包括：衬底，依次设于该衬底上的N型层、发光层、P型层，在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层；电流扩散层，所述电流扩散层设于P型层表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在电流扩散层、裸露出的N型层的表面，以及被蚀刻裸露出的N型层、发光层及P型层的侧壁面；并分别裸露出电流扩散层及N型层的部分表面；P极金属导热电极、N极金属导热电极，所述P极金属导热电极、N极金属导热电极有间距的设于第一绝缘层的表面，并分别与裸露出的电流扩散层、N型层的表面相连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在第一绝缘层、P极金属导热电极及N极金属导热电极的表面，并分别裸露出P极金属导热电极、N极金属导热电极的部分表面；P电极、N电极，所述P电极设于P极金属导热电极裸露出的表面，所述N电极设于N极金属导热电极裸露出的表面。本技术的一种优选方案，还包括：P极电极线、N极电极线，所述P极电极线设于P极金属导热电极与电流扩散层之间及第一绝缘层与电流扩散层之间的部分区域，所述N极电极线设于N极金属导热电极与N型层之间及第一绝缘层与N型层之间的部分区域；所述P极金属导热电极通过P极电极线与电流扩散层相连接，所述N极金属导热电极通过N极电极线与N型层相连接。本技术的另一种优选方案，所述P极电极线为条形、环形或点状的结构。本技术的另一种优选方案，所述N极电极线为条形、环形或点状的结构。本技术的另一种优选方案，所述P极金属导热电极、N极金属导热电极的间距大于10μm。本技术的另一种优选方案，所述第一绝缘层为绝缘反射层。本技术的另一种优选方案，所述P极金属导热电极包括：一层金属层结构或多层金属层的层叠复合结构。本技术的另一种优选方案，所述P极金属导热电极的材料选自：银、铬、铜、铝、镍、钛、金、铂和钯。本技术的另一种优选方案，所述N极金属导热电极包括：一层金属层结构或多层金属层的层叠复合结构。本技术的另一种优选方案，所述N极金属导热电极的材料选自：银、铬、铜、铝、镍、钛、金、铂和钯。通过本技术提供的技术方案，具有如下有益效果：新增P极金属导热电极、N极金属导热电极分别连接P型层和N型层，P电极、N电极再分别设置在P极金属导热电极、N极金属导热电极的表面，P极金属导热电极与N极金属导热电极之间用绝缘层隔离，P电极、N电极作为焊接电极以符合焊接的间距设置，P极金属导热电极、N极金属导热电极均作为中间导电层及导热层，可缩短其间距，更好的将绝缘层的热量吸收，保护绝缘层，P极金属导热电极、N极金属导热电极吸收的热量分别通过P电极、N电极导出。该结构的倒装LED芯片，具有导热、散热性良好的特点。附图说明图1所示为实施例一中提供一种倒装LED芯片的截面示意图；图2所示为实施例二中提供一种倒装LED芯片的截面示意图；图3所示为实施例三中提供一种倒装LED芯片的截面示意图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。实施例一参照图1所示，本实施例提供倒装LED芯片，包括：衬底101，依次设于该衬底101上的N型层102、发光层103、P型层104，电流扩散层20，第一绝缘层40，第二绝缘层60，P极金属导热电极501，N极金属导热电极502，P电极701及N电极702；在部分P型层104表面蚀刻至裸露出N型层102，电流扩散层20设于P型层104的表面。第一绝缘层40覆盖在P型层104、电流扩散层20的部分表面、裸露出的N型层102的的部分表面，以及被蚀刻裸露出的N型层102、发光层103及P型层104的侧壁面；并分别裸露出电流扩散层20及N型层102的另一部分表面。P极金属导热电极501、N极金属导热电极502有间距的设于第一绝缘层40的表面，其间距为W，P极金属导热电极501、N极金属导热电极502分别与裸露出的电流扩散层20、N型层102裸露出的表面相连接。第二绝缘层60覆盖在第一绝缘层40、P极金属导热电极501及N极金属导热电极502的部份表面，并分别裸露出P极金属导热电极501、N极金属导热电极502的另一部分表面。P电极701设于P极金属导热电极501裸露出的表面，N电极702设于N极金属导热电极502裸露出的表面。本实施例中，电流扩散层20目的是将电流均匀扩散，使发光均匀。其材质可以是铟锡氧化物(ITO)膜层、ZnO膜层或者石墨烯膜层。本实施例中，第一绝缘层40为绝缘反射层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：衬底，依次设于该衬底上的N型层、发光层、P型层，在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层；电流扩散层，所述电流扩散层设于P型层表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在电流扩散层、裸露出的N型层的表面，以及被蚀刻裸露出的N型层、发光层及P型层的侧壁面；并分别裸露出电流扩散层及N型层的部分表面；P极金属导热电极、N极金属导热电极，所述P极金属导热电极、N极金属导热电极有间距的设于第一绝缘层的表面，并分别与裸露出的电流扩散层、N型层的表面相连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在第一绝缘层、P极金属导热电极及N极金属导热电极的表面，并分别裸露出P极金属导热电极、N极金属导热电极的部分表面；P电极、N电极，所述P电极设于P极金属导热电极裸露出的表面，所述N电极设于N极金属导热电极裸露出的表面。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
衬底，依次设于该衬底上的N型层、发光层、P型层，在部分P型层表面蚀
刻至裸露出N型层；
电流扩散层，所述电流扩散层设于P型层表面；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在电流扩散层、裸露出的N型层的表面，
以及被蚀刻裸露出的N型层、发光层及P型层的侧壁面；并分别裸露出电流扩
散层及N型层的部分表面；
P极金属导热电极、N极金属导热电极，所述P极金属导热电极、N极金属
导热电极有间距的设于第一绝缘层的表面，并分别与裸露出的电流扩散层、N型
层的表面相连接；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在第一绝缘层、P极金属导热电极及N极
金属导热电极的表面，并分别裸露出P极金属导热电极、N极金属导热电极的部
分表面；
P电极、N电极，所述P电极设于P极金属导热电极裸露出的表面，所述N
电极设于N极金属导热电极裸露出的表面。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：还包括：P极电极线、
N极电极线，所述P极电极线设于P极金属导热电极与电流扩散层之间及第一绝
缘层与电流扩散层之间的部分区域，所述N极电极线设于N极金属导热电极与N
型层之间及第一绝缘层与N型层之间的部...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲雄，吕瞻旸，李冠亿，林聪辉，翁荣宗，曹亮清，白梅英，王旭，
申请(专利权)人：晶宇光电厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35