【技术实现步骤摘要】
一种倒装高压LED芯片
本技术涉及发光二极管
,更为具体的说,涉及一种倒装高压LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode,发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件,LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来,随着对LED芯片研究的不断深入,LED芯片的发光效率得到的极大的提高,目前已经被广泛应用于显示等各个领域。倒装高压芯片在大功率芯片的应用市场中,有广阔的空间。但是,如何提高倒装高压芯片的出光效率已成为倒装高压芯片大规模生产需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种倒装高压LED芯片,提高倒装高压LED芯片的出光效率。为实现上述目的,本技术提供的技术方案如下:一种倒装高压LED芯片,包括:衬底;发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极,位于所述有源层表面的P型氮化镓层,位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层,位于所述金属反射层表面的P型电极,N型电极与P型电极之间相互绝缘;连接电极,所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构;分布布拉格反射层,所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面;N型焊盘,所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述N型电极连接;P型焊盘,所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述P型电极连接。优选的,所述发光微结构为梯形结构。优选的,所述发光微结构具有预设区域即为形成所述N型电极的区域 ...
【技术保护点】
一种倒装高压LED芯片,包括:衬底;发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极,位于所述有源层表面的P型氮化镓层,位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层,位于所述金属反射层表面的P型电极, N型电极与P型电极之间相互绝缘;连接电极,所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构;分布布拉格反射层,所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面;N型焊盘,所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述N型电极连接;P型焊盘,所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述P型电极连接。
【技术特征摘要】
1.一种倒装高压LED芯片,包括:衬底;发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极,位于所述有源层表面的P型氮化镓层,位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层,位于所述金属反射层表面的P型电极,N型电极与P型电极之间相互绝缘;连接电极,所述连接电极将相连的发光微结构的N型电极和P型电极导电连接形成串联结构;分布布拉格反射层,所述分布布拉格反射层覆盖在所述发光微结构表面、且延伸覆盖至所述衬底表面;N型焊盘,所述N型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述N型电极连接;P型焊盘,所述P型焊盘位于在所述分布布拉格反射层表面形,且与所述P型电极连接。2.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片,其特征在于,所述发...
【专利技术属性】
技术研发人员:何键云,
申请(专利权)人:佛山市国星半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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