芯片级LED封装器件以及LED显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种芯片级LED封装器件以及LED显示装置，其中，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。本实用新型专利技术芯片级LED封装器件通过在覆膜层上设置标记而判断倒装芯片的正极或负极，应用于应用端时，可快速区分正负极，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
芯片级LED封装器件以及LED显示装置
本技术涉及LED
，尤其涉及一种芯片级LED封装器件以及LED显示装置。
技术介绍
LED封装中的芯片级封装(ChipScalePackage,CSP)也称圆片级封装(WaferLevelPackage,WLP)或者晶圆级封装，是指在未划片前完成对于LED芯片的封装，使得测试、划片都可以在封装完成之后进行，对于降低封装成本、提高良品率、缩小封装尺寸都有积极的作用。芯片级LED封装器件，由芯片级封装工艺获得，一般定义为：封装体积与LED芯片体积相同或者封装体积不大于LED芯片体积的20％，且功能完整的封装元件。相比传统封装方式，芯片级封装方式免去了支架、焊线流程，获得的封装器件可以直接贴合在设有驱动电路的载板上。其中，芯片级LED封装器件的一般生产工艺是通过模具注塑成型或者压膜直接对倒装芯片进行覆膜，后期切割分离，即划片。现有的采用PPA(Polyphthalamide，聚对苯二酰对苯二胺)支架的LED封装器件通过注塑成型带有缺角的支架，并通过缺角标识正负极。然而，由于工艺和尺寸的限制，芯片级LED封装器件很难通过上述成型工艺实现正负极的区分，进而芯片级LED封装器件在应用端应用时无法快速的区分正负极，影响生产效率。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种芯片级LED封装器件，旨在通过设置标记而判断该芯片级LED封装器件的正极或负极。为实现上述目的，本技术提供一种芯片级LED封装器件，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。优选地，所述标记为形成于所述覆膜层的表面的凹陷结构。优选地，所述标记为多个间隔设置的凹点。优选地，所述标记为可分离设于所述覆膜层的表面的凸起结构。优选地，所述标记包括可分离粘贴于所述覆膜层的表面的粘贴层以及设于所述粘贴层上的热缩性薄膜层。优选地，所述标记为可光分解的光刻胶层。优选地，所述标记呈多边形、圆形、椭圆形、十字形或者“⊥”形。优选地，所述覆膜层包括覆盖于所述倒装芯片上的荧光层以及覆盖于所述荧光层上的透镜层，所述标记设于所述透镜层的表面。优选地，所述芯片级LED封装器件还包括基板，所述倒装芯片固晶于所述基板上。此外，为实现上述目的，本技术还提供一种LED显示装置，所述LED显示装置包括安装板以及阵列分布于所述安装板上的多个芯片级LED封装器件，所述芯片级LED封装器件包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。本技术技术方案，通过在覆膜层上设置标记，该标记对应倒装芯片的正极和/或负极设置或者指向正极和/或负极设置，从而可以通过观察该标记而判断芯片级LED封装器件的正负极；因此，在应用端应用时，可快速识别电极极性，提高生产效率，避免电极连接错误。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本技术芯片级LED封装器件第一实施例的俯视图；图2为图1中芯片级LED封装器件沿A-A线的剖视图；图3为本技术芯片级LED封装器件第二实施例的俯视图；图4为图3中芯片级LED封装器件沿B-B线的剖视图；图5为本技术芯片级LED封装器件第三实施例的俯视图；图6为图5中芯片级LED封装器件沿C-C线的剖视图；图7为本技术芯片级LED封装器件第四实施例的俯视图；图8为图7中芯片级LED封装器件沿D-D线的剖视图；图9为图7中芯片级LED封装器件的制程示意图。本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。本技术提供一种芯片级LED封装器件，请参照图1及图2，在第一实施例中，该芯片级LED封装器件包括依次设置的倒装芯片1和覆膜层2，该覆膜层2覆盖在倒装芯片1上。其中，该芯片级LED封装器件还包括标记3，该标记3设于该覆膜层2上，用于标识倒装芯片1的正极和/或负极。本实施例的芯片级LED封装器件通过在覆膜层2上设置标记3，该标记3对应倒装芯片1的正极和/或负极设置或者指向正极和/或负极设置，从而可以通过观察该标记3而判断芯片级LED封装器件的正负极；因此，在应用端应用时，可快速识别电极极性，提高生产效率，避免电极连接错误。需要说明的是，在本技术中，该倒装芯片1可以设置在基板上，也可以不设置在基板，即该芯片级LED封装器件为带基板或者不带基板的芯片级LED封装器件。该覆膜层2可以仅覆盖倒装芯片1的顶面，也可以覆盖倒装芯片1的顶面和四个侧面；该覆膜层2可以包含荧光粉和凝胶，通过流体状的凝胶的固化而将荧光粉均匀地覆盖在倒装芯片1上；该覆膜层2也可以包括覆盖倒装芯片1的荧光层和设置在荧光层上的透镜层，透镜层通常选用折射率较高的硅胶。该标记3可以对应正极和/或负极设置而标识正极和/或负极，或者指向正极和/或负极而判断正极和/或负极，例如箭头指向或三角形指向等等。在本实施例中，进一步地，该标记3为形成于覆膜层2的表面的凹陷结构。由于该凹陷结构设置在覆膜层2的表面，其容易被观察到，且该凹陷结构容易设置，方便加工，有利于成本控制。在本实施例中，进一步地，该标记3通过压印或者激光烧蚀成型。通过压印方式设置标记3，仅在覆膜层2上形成凹陷结构，基本不会影响覆膜层2的性能，保证了芯片级LED封装器件的光学性能；同时，压印技术为现有工艺，其工序简单，容易操作。通过激光烧蚀部分覆膜层2，而形成凹陷结构，可以容易地识别该标记3；而且，激光烧蚀技术为现有工艺，其可以准确控制标记3的位置、大小，提高工艺的效率。在本实施例中，进一步地，该标记3呈多边形、圆形、椭圆形、十字形或者“⊥”形，但不限于列举的情况。其中，多边形不限于三角形、方形、或五边形等等。通过设置上述形状的标记3，使该标记3更容易被识别，更易于判断正极或负极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片级LED封装器件，其特征在于，包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。

【技术特征摘要】
1.一种芯片级LED封装器件，其特征在于，包括：倒装芯片；覆膜层，覆盖于所述倒装芯片上；标记，设于所述覆膜层上，用于标识所述倒装芯片的正极和/或负极。2.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为形成于所述覆膜层的表面的凹陷结构。3.如权利要求2所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为多个间隔设置的凹点。4.如权利要求1所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记为可分离设于所述覆膜层的表面的凸起结构。5.如权利要求4所述的芯片级LED封装器件，其特征在于，所述标记包括可分离粘贴于所述覆膜层的表面的粘贴层以及设于所述粘贴层上的热缩性薄膜层。6.如权利要求4所述的芯片级L...

【专利技术属性】
技术研发人员：李漫铁，屠孟龙，余应森，
申请(专利权)人：深圳雷曼光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44