本发明公开了一种倒装LED芯片阵列及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括以下步骤：(1)将倒装LED芯片的衬底一侧固定到胶膜层上，得到芯片阵列；(2)将芯片阵列的焊盘焊接到封装基板的焊点上；剥离胶膜层，得到焊接阵列；(3)去...

本发明公开了一种高可靠性LED及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供外延片，形成光刻胶层；将光刻胶层曝光显影形成具有底切部的第一孔洞，在第一孔洞中形成至少一层第一金属层；在60℃～120℃烘烤5min～15min，以使...

本发明公开了一种同时激发出双色光谱的外延结构及其制备方法，其中，多量子阱层包括依次生长于电子注入层上的第一量子层、第二量子层和第三量子层；第一量子层为3‑10个周期的In<subgt;x1</subgt;Ga<subg...

本技术公开了一种LED芯片分选用承载装置，包括承载环和基座环，承载环和基座环固定连接，承载环位于基座环上，承载环沿着自身的厚度方向贯穿设置有多个通气孔，基座环的内部设置有环形空腔，多个通气孔和环形空腔连通；基座环的底部设置有至少一个螺纹...

本发明公开了一种LED器件的多层全介质膜层衬底及制备方法，所述LED器件的多层全介质膜层衬底包括：衬底、设置在衬底上的多层全介质膜层，覆盖在在所述多层全介质膜层上的外延层；所述多层全介质膜层包括若干个子介质层单元，任一所述子介质层单元包...

本发明公开了一种蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片的其制备方法，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上依次生长AlGaN层、GaN层、非掺杂GaN层、U‑GaN层和AlGaN异质结层；所述AlGaN层的生长温度为100℃～6...

本发明公开了一种高可靠性的蓝宝石衬底GaN功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括蓝宝石衬底、GaN高阻缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、栅极台面结构、第一钝化层、电极层和第二钝化层，电极层包括源极电极、栅极电极和漏极电...

本发明公开了一种mini‑LED晶粒分选方法及设备，包括：调整第一蓝膜和第二蓝膜的相对位置，驱动顶针组件贴合在第一蓝膜对应待分选mini‑LED晶粒位置的背面，驱动吸附组件贴合在第二蓝膜对应分选位置的背面；驱动顶针组件的顶针向第一蓝膜伸...

本发明公开了一种GaN功率器件的制备方法，通过将蓝宝石衬底GaN功率器件晶圆转移到磁性衬底上，再通过激光剥离的方式照射到蓝宝石与GaN材料之间的剥离层，使得蓝宝石与GaN材料之间可以进行低损伤分离，而后通过共晶键合的方式将高导热衬底通过...

本发明公开了一种LED晶圆片的裂片方法，涉及半导体技术领域，包括：在LED晶圆片的正面贴上白膜，并背面朝上放置在裂片机的工作台上；复位裂片机的劈刀和承受台；获取LED晶圆片正面的原始晶粒图像，并进行晶粒分区，LED晶圆片的内接正方形区域...

本发明公开了一种钙钛矿量子点光刻胶及其制备方法与应用方法，涉及光刻胶技术领域，包括以下步骤：S11、制备CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿量子点溶液；S12、制备光敏剂溶液；S13、制备钙钛矿量子点光刻胶。本...

本发明公开了一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件，制备方法包括：提供一临时载板，在临时载板上制备形成钝化层；在钝化层上制备一层图案化掩膜，在钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层；在图案化金属层上设定芯片安装位置，并在芯片安装位置涂...

本发明公开了一种具有保护层的封装器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括以下步骤：S1、提供封装器件，所述封装器件包括基板、固定在所述基板上的半导体元件和覆盖所述半导体元件的封装胶层；S2、沿着所述封装器件的侧面和上表面沉积形成S...

本发明公开了一种LED封装器件的制备方法，其方法包括：在临时载板的顶面上粘贴一层耐高温PET双面胶带；在耐高温PET双面胶带上形成若干个图案化金属层；通过压胶工艺在所述耐高温PET双面胶带上压合形成包覆所述LED芯片的封装胶体；通过切割...

本发明公开了一种

本发明公开了一种蓝宝石衬底

本发明公开了一种

本发明公开了一种LED芯片结构，所述LED芯片结构包括衬底、层叠在衬底上的发光层和导电层，LED芯片结构上设置对称分布的两个焊盘区域，焊盘区域内填充有金锡材料；LED芯片结构设置有若干个孔洞，若干个孔洞对称分布在两个焊盘区域内，金锡材料...

本发明公开了一种高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，高亮度发光二极管外延结构，包括衬底，依次层叠的缓冲层、未掺杂GaN层、N

本发明公开了一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的外延层、透明导电层、保护层、金属扩展层、绝缘层和电极焊盘，所述电极焊盘穿过所述绝缘层延伸至所述金属扩展层的表面；所述电极焊盘...