【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种led晶圆片的裂片方法。
技术介绍
1、在led芯片的制作流程中，裂片指的是依靠裂片机将整个led晶圆片劈裂成独立的晶粒。裂片机的裂片方式是以承受台为支撑，用劈刀劈裂led晶圆片。由于led晶圆片的形状为圆形，因此劈刀在劈裂不同区域时，承受台对led晶圆片的支撑面积会改变，即led晶圆片的受力方式会改变；但是，现有裂片机的承受台的间隙间距是固定的，没有跟随裂片区域的改变而变化，导致承受台对led晶圆片裂片区域的支撑力不适配，容易导致劈刀无法有效将连在一起的晶粒劈裂，从而导致产生双胞(两个晶粒未分离成功)，降低了led芯片的制作质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种led晶圆片的裂片方法，通过将led晶圆片分区域，并使承受台对应使用不同的间隙间距，能有效减少双胞的产生，有利于提高led芯片的制作质量。
2、本专利技术提供了一种led晶圆片的裂片方法，所述裂片方法包括以下步骤：
3、s1、在完成划片的led晶圆片的正面贴上白膜，并将所述led晶圆片的背面朝上放置在裂片机的工作台上；
4、s2、复位所述裂片机的劈刀和承受台；
5、使所述劈刀对准所述led晶圆片的背面，使所述承受台对准所述led晶圆片的正面，操作所述劈刀对准所述承受台的间隙中央；
6、s3、操作所述裂片机的图像识别系统获取所述led晶圆片正面的原始晶粒图像，并基于所述原始晶粒图像对所
7、所述led晶圆片的内接正方形区域为a1区，所述led晶圆片的非内接正方形区域为a2区；
8、s4、启动所述裂片机，所述劈刀基于所述晶粒分区所划分的区域对所述led晶圆片进行裂片；
9、当所述劈刀仅对所述a2区进行劈裂时，控制所述承受台的间隙间距为c2；当所述劈刀对所述a1区和所述a2区同时进行劈裂时，控制所述承受台的间隙间距为c1，c1＞c2。
10、具体的，所述裂片方法还包括：
11、在启动所述裂片机之前，操作所述裂片机的激光测厚仪对所述led晶圆片的厚度进行测量，解析出所述led晶圆片的厚度整体分布，并计算出所述led晶圆片的平均厚度h；将所述led晶圆片上厚度大于所述平均厚度h的区域划分为h1区，将所述led晶圆片上厚度等于所述平均厚度h的区域划分为h2区，将所述led晶圆片上厚度小于所述平均厚度h的区域划分为h3区；
12、所述劈刀通过击锤敲击劈裂所述led晶圆片，当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述h1区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为g1；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述h2区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为g3；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述h3区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为g4；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述h1区、所述h2区和所述h3区的占比均小于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为g2，g1＞g2＞g3＞g4。
13、具体的，所述裂片方法还包括：
14、在启动所述裂片机之前，操作所述裂片机的图像识别系统对所述led晶圆片x轴方向的切割线进行识别定位，并沿x轴的正方向对每条切割线依次赋予编号ex，x为大于0的整数；将所述ex和对应切割线经过的区域关联起来；操作所述裂片机的图像识别系统对所述led晶圆片y轴方向的切割线进行识别定位，并沿y轴的正方向对每条切割线依次赋予编号fy，y为大于0的整数；将所述fy和对应切割线经过的区域关联起来。
15、具体的，在所述led晶圆片正面的白膜的外周设置有张紧环，所述白膜和所述张紧环的粘合宽度范围为24～38mm。
16、具体的，单个完整晶粒的x轴方向的长度为a，单个完整晶粒的y轴方向的长度为b，所述a、所述b和所述c1的约束关系为：a≤c1≤1.5a，或b≤c1≤1.5b；
17、所述a、所述b和所述c2的约束关系为：0.5a≤c2≤0.8a，或0.5b≤c2≤0.8b。
18、具体的，在对所述a1区和所述a2区同时进行劈裂前，进行一次所述劈刀和所述承受台的劈裂位置校正。
19、具体的，完成对所述led晶圆片的劈裂后，操作所述裂片机的图像识别系统获取所述led晶圆片正面的裂后晶粒图像，通过计算机比较所述原始晶粒图像和所述裂后晶粒图像，判断是否存在双胞晶粒。
20、具体的，对所述led晶圆片进行劈裂时，使用干燥的冷空气吹拂所述led晶圆片，所述冷空气的温度范围为14～16℃，所述冷空气的速度范围为0.6～0.9m/s。
21、具体的，在将所述led晶圆片放入所述裂片机之前，将所述led晶圆片外圈的残缺型晶粒剔除。
22、具体的，所述led晶圆片的尺寸为4英寸。
23、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
24、本专利技术基于原始晶粒图像将led晶圆片的内接正方形区域划分为a1区，将led晶圆片的非内接正方形区域划分为a2区；由于a2区的形状限制，承受台的两侧与a2区的接触面积差异较大，当劈刀仅对a2区进行劈裂时，承受台对a2区的支撑力容易失衡，因此承受台此时用较小的间隙间距c2对led晶圆片进行支撑，能有效提高承受台对led晶圆片的支撑稳定性，从而使劈刀有效将连在一起的晶粒劈裂，有效地减少了双胞的产生；当劈刀对a1区和a2区同时进行劈裂时，承受台的两侧均与led晶圆片拥有足够的接触面积，对led晶圆片的支撑稳定性好，因此承受台此时用较大的间隙间距c1(c1＞c2)对led晶圆片进行支撑，能使劈刀更容易将连在一起的晶粒劈裂，也能有效减少双胞的产生；
25、本专利技术的裂片方法，使承受台的间隙间距跟随裂片区域的改变而变化，提高了承受台对led晶圆片裂片区域的支撑适配度，从而有效提高晶粒的劈裂效果，减少了双胞的产生，有利于提高led芯片的制作质量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种LED晶圆片的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法还包括：
3.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法还包括：
4.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，在所述LED晶圆片正面的白膜的外周设置有张紧环，所述白膜和所述张紧环的粘合宽度范围为24～38mm。
5.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，单个完整晶粒的X轴方向的长度为a，单个完整晶粒的Y轴方向的长度为b，所述a、所述b和所述c1的约束关系为：a≤c1≤1.5a，或b≤c1≤1.5b；
6.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，在对所述A1区和所述A2区同时进行劈裂前，进行一次所述劈刀和所述承受台的劈裂位置校正。
7.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，完成对所述LED晶圆片的劈裂后，操作所述裂片机的图像识别系统获取所述LED晶圆片正面的裂后晶粒图像，通过计算机比较所述原始晶粒图像和所述裂后晶粒图像，判断是否存在双胞晶粒。
8.如权利要求1
9.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，在将所述LED晶圆片放入所述裂片机之前，将所述LED晶圆片外圈的残缺型晶粒剔除。
10.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，所述LED晶圆片的尺寸为4英寸。
...【技术特征摘要】
1.一种led晶圆片的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法还包括：
3.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法还包括：
4.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，在所述led晶圆片正面的白膜的外周设置有张紧环，所述白膜和所述张紧环的粘合宽度范围为24～38mm。
5.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，单个完整晶粒的x轴方向的长度为a，单个完整晶粒的y轴方向的长度为b，所述a、所述b和所述c1的约束关系为：a≤c1≤1.5a，或b≤c1≤1.5b；
6.如权利要求1所述的裂片方法，其特征在于，在对所述a1区和所述a2区同时进行劈裂前，进行一次所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎银英，刘佑芝，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。