本发明实施例提供一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，...

本发明提供了一种LED发光芯片的光提取层及LED装置，所述LED发光芯片包括半导体层和与所述半导体层直接接触的光提取层，所述光提取层与所述半导体层直接接触的表面为第一表面，所述光提取层与外部介质直接接触的表面为第二表面，所述第一表面的折...

本发明实施例提供一种InGaN基多量子阱结构的制备方法及LED结构；其中该InGaN基多量子阱结构包括M+1个势垒层和M个量子阱层；设定制备相邻的一个所述势垒层和一个所述量子阱层的阶段为一个生长周期，在至少一个所述生长周期内执行：步骤A...