一种发光结构制造技术

本发明专利技术实施例提供一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。根据本发明专利技术实施例，在第二半导体层和导电材料层之间增加一薄绝缘层，从而将第二半导体层和导电材料层电绝缘；避免了发光结构中的导电材料层和半导体层直接接触而产生的肖特基接触或者欧姆接触，从而降低了发光结构中的正向串联电阻，进而提高了发光结构整体的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种具有量子隧穿效应的发光结构。
技术介绍
GaN基发光二级管(LED)具有高亮度、低能耗、长寿命、响应速度快等优点，作为新型高效固体光源，在室内照明、景观照明、显示屏、信号指示等领域都有广泛的应用。当电源的正极与LED的正极相连，电源的负极与LED的负极相连，此时的电压为正向电压。正向电压一般包括PN结电压、N型氮化镓电压、P型氮化镓电压及金属-半导体接触电压的总和。金属-半导体接触是制作半导体器件中十分重要的问题，金属-半导体接触可分为肖特基接触和欧姆接触两种，接触情况直接影响到器件的性能，肖特基接触或欧姆接触产生的电阻会降低器件的出光效率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种器件出光效率较高的发光结构。为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。优选地,所述绝缘层的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，其特征在于，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，其特征在于，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度不大于10nm。3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘层采用氧化硅或者氮化硅。4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述导电材料层采用掺杂的氮化镓、掺杂的碳化娃、掺杂的娃、氧化铟锡、合金或者金属中的一种或者几种的组合。5.根据权利要求1-4任一项所述的发光结构，其特征在于，所述第一半导体层采用N型半导体材料，所述第二半导体层采用P型半导体材料。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：康学军，李鹏，祝进田，张冀，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：