一种LED外延结构制造技术

本发明专利技术涉及一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低；本发明专利技术所述LED外延结构具有结构简单、制作方便等优点，相对传统结构，能较大地提高强LED的发光效率与信赖性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED外延结构。
技术介绍
近年来，III族氮化物 半导体材料(AlN、GaN和InN)由于其较宽的直接带隙、良好的热学和化学稳定性而在固态照明、固体激光器、光信息存储、紫外探测器等微电子及光电子器件方面具有显著的优势，并在近几年的研究和应用中取得了突破性的进展，特别是在能源供给和环境污染问题的背景下，半导体照明光源作为一种具有高效、节能、环保、长寿命、易维护等显著特性的器件，吸引了全世界的目光。外延结构的生长是LED芯片的关键技术，而怎样提高二极管的发光效率，是外延结构生长的一个重要难点。目前市场上大部分GaN基LED都是侧向结构，都存在电流密度分布不均的问题，导致LED发光区域没有得到充分利用，其结构如图1所示，电流密度分布不均，会影响边角发光区域得不到充分利用，降低发光二极管的发光效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种能有效解决LED电流密度分布不均的问题，能大大提高LED发光效率的LED外延结构。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，其特征在于，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层的一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、η型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、P型电极和形成于η型氮化镓层上的η型电极，其特征在于，还包括P型接触层，所述P型接触层介于P型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且P型接触层的空穴浓度渐变，靠近P型氮化镓层的一测空穴浓度高，远离P型氮化镓层一侧空穴浓度低。2.根据权利要求1所述一种LED外延结构，其特征在于，所述P型接触层由掺杂Mg或Be的AlyInxGa1TyN的半导体层构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：