【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氮化物LED垂直芯片结构，其特征在于，包括n型电极、氮化物LED外延片结构及p型电极；所述n型电极位于所述氮化物LED外延片结构的下方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上，所述p型电极位于所述氮化物LED外延片结构的上方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上；其中，所述氮化物LED外延片结构包括复合衬底、一层以上的二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述复合衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述复合衬底的上表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；所述n型电极附着在所述复合衬底的下表面上，所述p型电极附着在所述氮化物外延层上；所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料构成，所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯中的任意一种或两种的组合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，胡兵，李金权，裴晓将，刘素娟，
申请(专利权)人：北京中科天顺信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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