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本发明涉及一种氮化物LED垂直芯片结构及其制备方法，包括n型电极、氮化物LED外延片结构及p型电极；所述n型电极位于所述氮化物LED外延片结构的下方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上，所述p型电极位于所述氮化物LED外延片结构的上方，且...
该专利属于北京中科天顺信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中科天顺信息技术有限公司授权不得商用。

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