【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域,尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体封装过程中,介面电阻会影响产品可靠性,所谓介面电阻是指:凸点下金 属层到晶圆(晶元Wafer)上铝垫(A1 cap)之间的电阻,而这之间的阻值来自于金属溅镀 层与铝垫之间的接触电阻,同时,凸点下金属层到晶圆上铝垫之间的电阻还来源于铝垫上 的氧化层(铝垫在空气中会很快形成一层薄的氧化铝层)。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述,以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理 解。应当理解,这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关 键或重要部分,也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念, 以此作为稍后论述的更详细描述的前序。 本专利技术提供一种,包括步骤:将所述晶圆放入溅射蚀刻腔, 去除氧化层,并且,在此过程中保持所述晶圆温度小于120°c ;将所述晶圆放入金属溅射腔, 溅射凸点下金属层,并且,在此过程中;其中保持所述晶圆温度小于120?。 本专利技术至少一个有益效果为:在去氧化层及溅射过程中控制晶圆的温度在120°C 以下,有效的降低凸点下金属层与铝垫之间的接触电阻,提高了产品的可靠性。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图 ...
【技术保护点】
一种凸点下金属层溅射方法,其特征在于,包括步骤:将所述晶圆放入溅射蚀刻腔,去除氧化层,并且,在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃;将所述晶圆放入金属溅射腔,溅射凸点下金属层,并且,在此过程中;其中保持所述晶圆温度小于120℃。
【技术特征摘要】
1. 一种凸点下金属层溅射方法,其特征在于,包括步骤: 将所述晶圆放入溅射蚀刻腔,去除氧化层,并且,在此过程中保持所述晶圆温度小于 120。。; 将所述晶圆放入金属溅射腔,溅射凸点下金属层,并且,在此过程中;其中保持所述晶 圆温度小于120°C。2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于, 在所述溅射蚀刻腔去除氧化层的过程,以及在所述金属溅射腔溅射凸点下金属层的过 程中,所述晶圆的温度为95-105°C。3. 根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于, 使用冷却水喷洒所述溅射蚀刻腔和所述金属溅射腔的内壁,以降低所述晶圆的温度。4. 根据权利要求3所述的方法,其特征在于, 所述冷却水温度为l〇°C。5. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于, ...
【专利技术属性】
技术研发人员:王自台,
申请(专利权)人:南通富士通微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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