一种氮化镓发光二极管的外延结构制造技术

本发明专利技术为一种氮化镓发光二极管的外延结构，在多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层；N＝4～10个周期的下量子阱结构之上为M＝1～5个周期的缓冲插入层，其上为n＝1～8个周期的上量子阱结构。N≥(N+n)/2。缓冲插入层每个周期包括P型氮化镓搀杂层、P型氮化铟镓搀杂层和N型氮化镓搀杂层各一个。P型氮化镓搀杂层和P型氮化铟镓搀杂层中搀杂元素为镁、N型氮化镓搀杂层中搀杂元素为硅。缓冲插入层总厚度为35～675nm。本发明专利技术缓冲插入层防止电子越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，提高发光效率，当电流密度增加至250mA以上，发光效率持续增加，可达55％；发光二极管发光均匀性得到改善；易于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体为一种氮化镓发光二极管的外延结构。
技术介绍
LED，即半导体发光二极管，具有发光效率高，寿命长，尺寸小，颜色丰富等特点，现已广泛应用。氮化镓发光二极管是其中的典型代表，包括外延结构和设于外延结构上的电极。现有的氮化镓发光二极管的外延结构包括衬底、以及依次生长在衬底上的N型层、多个量子阱层及P型层，半导体发光二极管是利用外延结构中电子和空穴在夹于N型掺杂区和P型掺杂区之间的有源区内进行辐射复合来发光的。一般电子的迀移速率是空穴的10倍以上。电子与空穴的迀移速率的差异，导致电子大量越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，影响发光效率。不少外延结构的设计在有源区之前增加电流扩展的缓冲层来缓解电子空穴迀移速率的差异问题，但不能彻底解决。尤其是大功率的LED芯片，由于电流密度增加，发光效率明显下降，此问题急待解决。
技术实现思路
本专利技术的目的是设计一种氮化镓发光二极管的外延结构，在多个量子阱层之间增加缓冲插入层，电流密度从20mA增加至350mA时，发光效率持续增加，不会因为电流密度的增大而减小。本专利技术设计的一种氮化镓发光二极管的外延结构，包括衬底、以及依次生长在衬底上的氮化镓二维晶体层、非掺杂的氮化镓层、N型氮化镓搀杂层、多个周期的量子阱结构及P型氮化镓搀杂层，所述量子阱结构每个周期包括一个氮化镓皇层和一个非掺杂的氮化铟镓阱层，在所述多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层#个周期的下量子阱结构之上为M个周期的缓冲插入层，缓冲插入层之上为η个周期的上量子阱结构。N为4?10的整数，η为I?8的整数，N ^ (Ν+η) /2，M为I?5的整数。所述缓冲插入层每个周期包括一个P型氮化镓搀杂层、一个P型氮化铟镓搀杂层和一个N型氮化镓搀杂层。所述N为5?10的整数，η为I?4的整数。所述缓冲插入层一个P型氮化镓搀杂层，厚度为10?50nm，搀杂浓度为(5?50) X 11Vcm3;所述缓冲插入层一个P型氮化铟镓搀杂层，厚度为5?15nm，搀杂浓度为(5?50) X 11Vcm3;所述缓冲插入层一个N型氮化镓搀杂层，厚度为20?70nm，搀杂浓度为(I?10) XlO1Vcm3O所述缓冲插入层的P型氮化镓搀杂层和P型氮化铟镓搀杂层的搀杂元素为镁Mg。所述缓冲插入层的N型氮化镓搀杂层中的搀杂元素为硅Si。所述I?5个周期的缓冲插入层总厚度为35?675nm。所述缓冲插入层中各个周期的P型氮化镓搀杂层相同，各个周期的P型氮化铟镓搀杂层相同，各个周期的N型氮化镓搀杂层相同。所述下量子讲结构和上量子讲结构的一个氮化镓皇层厚度为10?12nm，一个氮化铟镓阱层厚度为2?3nm。与现有技术相比，本专利技术一种氮化镓发光二极管的外延结构的优点为:1、量子阱结构分为下量子阱结构和上量子阱结构，之间插入缓冲插入层，防止电子越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，大大提高了发光效率，以无缓冲插入层、但其它层的结构相同的外延结构制作的发光二极管为对比例，在相同电压条件下，当电流密度从20mA增加至350mA过程中，本专利技术外延结构制作的发光二极管发光效率持续增加，在电流密度达350mA，发光效率仍无衰减；2、多个周期多层结构的缓冲插入层厚度均匀，对电子的阻挡作用平均，故发光二极管发光均匀性得到改善；3、用现有半导体薄膜生长设备即可实现本外延结构的制备，易于推广应用。【附图说明】图1为本氮化镓发光二极管的外延结构实施例1剖视示意图；图2为图1中的缓冲插入层剖视示意图；图3为图1中的下量子阱剖视示意图；图4为本氮化镓发光二极管的外延结构实施例1及对比例外延结构制作成350 μ mX 350 μ m的发光二极管芯片，工作电压为3.12V，当电流密度为20mA增至350mA时，发光效率的变化曲线。【具体实施方式】实施例1本氮化镓发光二极管的外延结构实施例1如图1所示，包括蓝宝石衬底1、氮化镓二维晶体层2、非掺杂的氮化镓层3、N型氮化镓搀杂层4、5个周期的下量子阱结构5、2个周期的缓冲插入层6、4个周期的上量子阱结构7及P型氮化镓搀杂层8。本例的下量子阱结构5如图2所示，为5个周期，每个周期包括一个氮化镓皇层51和一个氮化铟镓阱层52。上量子阱结构7每个周期与下量子阱结构5的每个周期相同。本例的缓冲插入层6如图3所示，为2个周期，每个周期的缓冲插入层包括一个P型氮化镓搀杂层61、一个P型氮化铟镓搀杂层62和一个N型氮化镓搀杂层63。2个周期对应的层厚度和搀杂情况相同。本例缓冲插入层6的一个周期中，P型氮化镓搀杂层61，厚度为10nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为5 X 1017/cm3；P型氮化铟镓搀杂层62，厚度为5nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为5 X 1018/cm3；N型氮化镓搀杂层63，厚度为20nm，搀入硅Si，搀杂浓度为I X 10 18/cm3。本例缓冲插入层6的另一个周期中，P型氮化镓搀杂层61，厚度为20nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为10 X 1017/cm3；P型氮化铟镓搀杂层62，厚度为10nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为10\1018/0113办型氮化镓搀杂层63，厚度为4011111，搀入硅Si，搀杂浓度为10X1018/cm3。本例2个周期的缓冲插入层6总厚度为105nm。实施例2为了便于比较，本例的衬底1、氮化镓二维晶体层2、非掺杂的氮化镓层3、N型氮化镓搀杂层4及P型氮化镓搀杂层8与实施例1相同。本例的下量子阱结构5为4个周期，每个周期包括一个氮化镓皇层51和一个氮化铟镓阱层52，上量子阱结构7为I个周期，与下量子阱结构的一个周期相同。本例的缓冲插入层6为I个周期，包括一个P型氮化镓搀杂层61、一个P型氮化铟镓搀杂层62和一个N型氮化镓搀杂层63。其中P型氮化镓搀杂层61，厚度为50nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为50X 11Vcm3;本例缓冲插入层6的一个P型氮化铟镓搀杂层62，厚度为15nm，搀入镁Mg，搀杂浓度为 50 X 11Vcm3;本例缓冲插入层6的一个N型氮化镓搀杂层63，厚度为70nm，搀入硅Si，搀杂浓度为 1X 11Vcm3O本例I个周期的缓冲插入层6总厚度为135nm。实施例3本例的衬底1、氮化镓二维晶体层2、非掺杂的氮化镓层3、N型氮化镓搀杂层当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓发光二极管的外延结构，包括衬底(1)，以及依次生长在衬底(1)上的氮化镓二维晶体层(2)、非掺杂的氮化镓层(3)、N型氮化镓搀杂层(4)、多个周期的量子阱结构及P型氮化镓搀杂层(8)，所述量子阱结构每个周期包括一个氮化镓垒层和一个氮化铟镓阱层，其特征在于:在所述多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层(6)；N个周期的下量子阱结构(5)之上为M个周期的缓冲插入层(6)，缓冲插入层之上为n个周期的上量子阱结构(7)；N为4～10的整数，n为1～8的整数，N≥(N+n)/2，M为1～5的整数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于浩，
申请(专利权)人：广西盛和电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45