本发明专利技术涉及一种氮化镓基LED外延结构，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域。一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本发明专利技术通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层，其生长温度为600-900℃，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化物半导体发光器件的外延生长
，特别涉及一种氮化镓基LED外延结构。
技术介绍
随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。为了使LED能够应用于不同的领域，特别是环境恶劣的户外照明，对LED的可靠性，特别是以反向击穿电压为特征的抗静电能力提出了更高的要求。目前，LED的发光效率尽管己远大于其它光源的发光效率，但仍低于其理论最高值。显而易见，如果能通过改善LED芯片用的外延结构来提升其发光效率和抗静电能力有其广宽的实用价值和显著的社会效益和经济效益。目前，氮化镓基LED外延结构主要是采用M°CVD技术生长在各种衬底表面。通常采用的结构如图1所示，为在外延衬底11表面依次生长的GaN缓冲层12、uGaN层13、n型GaN层14、InGaN/GaN多量子阱层15、p型AlGaN电子阻挡层16以及ρ型GaN层17。如何实现高质量的ρ型AlGaN电子阻挡层的生长，将直接影响到外延层材料的质量和器件的性能。按照目前的LED生长技术存在反向击穿电压低和发光强度没有显著增强的缺陷。主要原因表现为:P型AlGaN电子阻挡层须在1000°C以上生长，而活性发光层InGaN/GaN多量子阱的生长温度为700°C至850°C，因此当活性发光层生长结束后温度升高到1000°C以上时，会使其低温生长的多量子阱结构遭到破坏，从而影响发光二极管的发光效率;再次，由于P型AlGaN的生长温度较高，加之Mg在高温下扩散系数增加很快，因此在ρ型AlGaN电子阻挡层高温生长的过程中，Mg将不可避免地向位于其下的InGaN/GaN多量子阱有源区中扩散，这又必将对发光二极管产生严重的影响。显而易见，通常采用的氮化镓基LED外延结构存在本质的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述问题，提供了一种氮化镓基LED外延结构，能够显著提高LED芯片的反向击穿电压和发光效率。本专利技术的目的是这样实现的:—种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、η型GaN: Si层、InGaN/GaN多量子阱层、ρ型AlGaN电子阻挡层和ρ型GaN:Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和ρ型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温ρ型InAlGaN层。其中，所述低温ρ型InAlGaN层中铟铝合计组份含量不超过50%。其中，所述低温ρ型InAlGaN层在氮化镓基LED外延结构中的掺杂浓度为1019-1021cm-3。其中，所述低温ρ型InAlGaN层的生长方法为:在InGaN/GaN多量子阱层生长结束后，生长一层厚度为5-100nm的低温ρ型InAlGaN层，生长温度在600-900°C之间，反应腔压力在10-200Torr之间，载气流量为5_40升/分钟，氨气流量为100-600摩尔/分钟，三甲基镓流量为80-400微摩尔/分钟，三甲基铟流量为400-600微摩尔/分钟，三甲基铝流量为20-100微摩尔/分钟，二茂镁流量为为0.5-5微摩尔/分钟，生长时间为1-10分钟。本专利技术的有益效果为:在InGaN/GaN多量子阱层和ρ型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温P型InAlGaN层，其生长温度为600_900°C，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率;而且低温P型InAlGaN层中的铟、铝还可以起到提高发光二极管的发光强度的作用，进一步保证了发光二极管的发光效率。【附图说明】图1为传统的氮化镓基LED外延结构示意图。图2为本专利技术中的氮化镓基LED外延结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本专利技术。如图2所示，一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层21上依次生长的GaN缓冲层22、uGaN层23、n型6315丨层24、11163~/^~多量子阱层254型八163~电子阻挡层27和口型6&1Mg层28，并且在InGaN/GaN多量子阱层25和ρ型AlGaN电子阻挡层27之间还插入了一层厚度为5-100nm的低温ρ型InAlGaN层26。具体为:在InGaN/GaN多量子阱层25的最后两个量子阱结构上，先于低温下生长一层厚度为5-100nm的ρ型InAlGaN层26，然后在该ρ型InAlGaN层26上生长P型AlGaN电子阻挡层27。其中，低温ρ型InAlGaN层26中铟铝合计组份含量不超过50%，且该低温ρ型InAlGaN层26在氮化镓基LED外延结构中的掺杂浓度为1019-1021cm—3。本专利技术中所述的氮化镓基LED外延结构，可以采用美国Veeco公司的M°CVDK300设备进行生长，具体以(0001)向蓝宝石(A1203)作衬底，利用高纯1€13作咐原，高纯H2和N2的混合气体作载气，三甲基镓或三乙基镓作Ga源，三甲基铟作In源，三甲基铝作A1源，η型掺杂剂为硅烷，Ρ型掺杂剂为二茂镁。一种氮化镓基LED外延结构的生长方法具体包括如下步骤:步骤一，在衬底层21上生长一层GaN缓冲层22，生长温度为500°C-800°C，反应腔压力为200-500Torr，载气流量为10-30升/分钟，三甲基镓流量为20-250微摩尔/分钟，氨气流量为20-80摩尔/分钟，生长时间为1_10分钟；步骤二，在GaN缓冲层22生长结束后，生长一层uGaN层23，生长温度为950_1180°C，反应腔压力为76-250Torr，载气流量为5_20升/分钟，三甲基镓流量为80-400微摩尔/分钟，氨气流量为200-800摩尔/分钟，生长时间为20-60分钟；步骤四，在uGaN层23生长结束后，生长一层η型GaN: Si层24，生长温度为950_1150°C，反应腔压力为76-250Torr，载气流量为5_20升/分钟，三甲基镓流量为80-400微摩尔/分钟，氨气流量为200-800摩尔/分钟，硅烷流量为0.2-2.0纳摩尔/分钟，时间为10-40分钟；步骤五:在η型GaN: Si层24生长结束后，生长InGaN/GaN多量子阱层25，所述InGaN/GaN多量子阱层25包括4至15个周期数的依次交叠的InGaN阱层和GaN皇层;所述InGaN阱层的生长温度为700-850°C，反应腔压力为100-500Torr，载气流量为5-20升/分钟，氨气流量为200-800摩尔/分钟，三甲基镓流量为0.1-1.0微摩尔/分钟，三甲基铟流量为10-50微摩尔/分钟，时间为0.1-5分钟；所述GaN皇层的生长温度为700-900°C，反应腔压力为100-500Torr，载气流量为5-20升/分钟，氨气流量为200-800摩尔/分钟，三甲基镓流量为0.1-1.0微摩尔/分钟，硅烷流量为0.2-2.0纳摩尔/分钟；步骤六，在InGaN/GaN多量子阱层生长结束后，生长一层厚度为5-100nm低温ρ型InAlGaN层26，生长温度在600-900°C之间，反应腔压力在10-200Torr之间，载气流量为5-40升/分钟，氨气流量为100-600摩尔/分钟，三甲基镓流量为80-400微摩尔/分钟，三甲基铟流量为400-600微摩尔/分钟，三甲基铝流量为20-1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5‑100nm的低温p型InAlGaN层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯雅清，
申请(专利权)人：冯雅清，
类型：发明
国别省市：上海;31
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