The invention discloses a chip packaging light emitting devices, including LED epitaxial wafer, wherein LED epitaxial wafer comprising a positive electrode, a negative electrode and electrode channel, the positive electrode and the negative electrode in the same plane, the electrode channel is located between the positive electrode and the negative electrode, including Shi Moxi layer and fluorescent powder thin layer, the lower graphene layer distribution in LED epitaxial wafer and connected, wherein the fluorescent powder layer is located below the graphene layer and connected with the. The graphene layer of the invention has good heat conduction performance, and the fluorescent powder layer is directly contacted with the graphene layer, thereby ensuring that the phosphor thin layer has a lower temperature and maintaining the color temperature stability of the light-emitting device.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件制造
,具体涉及一种芯片级封装发光器件及其制造方法。
技术介绍
芯片级封装发光器件封装体积小,封装可靠性高,并且可以制作均匀的光转换层,实现均匀光色特性,近年来得到了广泛的应用。在中国台湾、日韩、欧美等地的LED大公司纷纷发布了自己的芯片级封装LED产品。白光芯片属于芯片级尺寸水平封装,配合白光芯片应用的二次光学元件的体积将大幅度缩小。综合各企业产品,共同的特点是基于倒装芯片的基础上,使发光器件的封装体积更小,光学、热学性能更好,同时因省略了导线架与打线的步骤,使其后道工序更加便捷。但是目前的芯片级封装发光器件的LED色温还是不够稳定,还存在很多缺点。同时其制造工艺也还存在很多缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术的缺陷,提供一种芯片级封装发光器件,采用的技术方案如下:一种芯片级封装发光器件,包括LED外延片,所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道,所述正电极和负电极位于同一平面,所述电极沟道位于正电极与负电极之间,还包括石墨烯层和荧光粉薄层,所述石墨烯层分布于LED外延片的下方并与之连接,所述荧光粉薄层位于石墨烯层下方并与之连接。作为优选,所述石墨烯层为平面形状。作为优选,所述LED外延片依次包括n型层、量子阱层、p型层和正电极层,将LED外延片与石墨烯层连接时,采用激光剥离技术将蓝宝石衬底全部剥离,使LED外延片的n型层直接与石墨烯层连接。作为优选,所述石墨烯层的厚度为0.05mm~0.5mm,长宽均为2mm~3mm。作为优选,所述荧光粉薄层选用Ce:YAG荧光粉材料与硅胶混合制成,通过喷涂方法喷涂于石墨烯 ...
【技术保护点】
一种芯片级封装发光器件,包括LED外延片,所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道,所述正电极和负电极位于同一平面,所述电极沟道位于正电极与负电极之间,其特征在于,还包括石墨烯层和荧光粉薄层,所述石墨烯层分布于LED外延片的下方并与之连接,所述荧光粉薄层位于石墨烯层下方并与之连接。
【技术特征摘要】
1.一种芯片级封装发光器件,包括LED外延片,所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道,所述正电极和负电极位于同一平面,所述电极沟道位于正电极与负电极之间,其特征在于,还包括石墨烯层和荧光粉薄层,所述石墨烯层分布于LED外延片的下方并与之连接,所述荧光粉薄层位于石墨烯层下方并与之连接。2.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件,其特征在于,所述石墨烯层为平面形状。3.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件,其特征在于,所述LED外延片依次包n型层、量子阱层、p型层和正电极层,将LED外延片与石墨烯层连接时,使LED外延片的n型层直接与石墨烯层连接。4.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件,其特征在于,所述石墨烯层的厚度为0.05mm~0.5mm,长宽均为2mm~3mm。5.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光器件,其特征在于,所述荧光粉薄层选用Ce:YAG荧光粉材料与硅胶混合制成,通过喷涂方法喷涂于石墨烯层下方,其厚度为0.05mm~0.2mm。6.根据权利要求5所述的一种芯片级封装发光器件,其特征在于,使用回流焊接炉对荧光粉薄层进行固化。7.一种芯片级封装发光器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:制备LED外延片阵列:采用MO...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭志友,衣新燕,孙慧卿,孙杰,黄晶,郭敏,杨晛,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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