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本发明涉及一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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