【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含夹在两个半导体层之间的发光层的发光元件。
技术介绍
由于发光二极管具有高的光电转换效率，且最年来发射蓝光已经成为可能，因此发光二极管作为具有低环境负担的下一代照明光源而引起关注。为了充分利用光电二极管高光电转换效率的优点，无损耗地提取由PN结产生的光束是重要的。然而，由于通常可实现发光二极管的制造的化合物半导体具有高的折射率，光束被由金属制成的电极和半导体层吸收(这是由于光束在芯片中重复全反射)，从而减小了从芯片中提取出的光束。目前主流的发射蓝光的发光二极管采用GaN半导体制造。然而，由于GaN的折射率为2. 5，在将GaN置于空气中的情况下临界角为3.6°，因此从芯片中提取的光束仍然为10%左右。从芯片中提取所产 生的光束的效率通常称为光提取效率。作为用于提高光提取效率的技术，日本专利特开第10-163525号(PTL I)提出一种在芯片的透明电极上提供不平整性的构型，如图9所示。图9示出了一种包括蓝宝石衬底101，形成在蓝宝石衬底101上的η-型GaN层102，和形成在η-型GaN层102上的ρ-型GaN层103的结构。这种结构具有这样一种...
【技术保护点】
一种发光元件，包括：衬底；发光层，布置在所述衬底的表面上，处于在厚度方向上夹在导电类型彼此不同的两个半导体层之间的状态；透明电极层，布置为与所述两个半导体层中位于远离所述衬底的一个相交叠；平坦层，由透明材料制成，所述透明材料具有比所述透明电极层高的折射率，且所述平坦层设置为覆盖所述透明电极层的上表面的至少一部分；以及不平坦层，布置在所述平坦层的上侧上。
【技术特征摘要】
2011.10.04 JP 2011-2201371.一种发光兀件，包括 衬底； 发光层，布置在所述衬底的表面上，处于在厚度方向上夹在导电类型彼此不同的两个半导体层之间的状态； 透明电极层，布置为与所述两个半导体层中位于远离所述衬底的一个相交叠； 平坦层，由透明材料制成，所述透明材料具有比所述透明电极层高的折射率，且所述平坦层设置为覆盖所述透明电极层的上表面的至少一部分；以及不平坦层，布置在所述平坦层的上侧上。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述不平坦层包括突起和间隔，且所述突起由与所述平...
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