一种LED及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种LED及其制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；在所述介质层中形成凸点；外延生长第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的厚度小于等于所述凸点的高度；去除所述凸点，形成空洞；外延生长第二氮化镓层，形成掩埋空洞。光在掩埋空洞与GaN界面上发生反射，向轴向汇聚，最终在出光面射出，提高出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种LED及其制造方法。
技术介绍
在LED制造技术工艺中，由于蓝宝石衬底材料与外延材料从晶格常数、热涨系数到折射率都相差很大。这些物理性质差异直接导致衬底上生长的外延材料质量不高，致使LED内量子效率(IQE)受到限制，进而影响外量子效率(EQE)以及光效的提高。因此，图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate, PSS)技术被引入。PSS技术能提高LED效率的原理在于能够有效的减少差排密度，减少外延生长缺陷，提升外延片品质，减少非辐射复合中心，提高了内量子效应；另外，在蓝宝石衬底上形成的图形将GaN/蓝宝石界面转变为起伏的界面，这样避免了 LED产生的光在出光面和衬底面形成的波导结构中发生全反射，被限制在芯片内部无法形成有效发光的问题，并通过改变光的出射方向将光向轴向汇聚而增加出光效率。理论上衬底材料与GaN折射率的差距愈大，上述效果愈显著，出光效率越高。然而蓝宝石衬底的折射率约为1. 7，外延生长的GaN材料折射率约为2. 2 2. 4，并不能达到最佳的效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED及其 制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；在所述介质层中形成凸点；外延生长第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的厚度小于或等于所述凸点的高度；去除所述凸点，形成空洞；外延生长第二氮化镓层，形成掩埋空洞。

【技术特征摘要】
1.一种LED的制造方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成介质层；在所述介质层中形成凸点；外延生长第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的厚度小于或等于所述凸点的高度； 去除所述凸点，形成空洞；外延生长第二氮化镓层，形成掩埋空洞。2.如权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为SiO2或 SiNx,厚度为 O. 1μ -100μπι。3.如权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于，利用光刻工艺在所述介质层中形成凸点。4.如权利要求3所述的LED的制造方法，其特征在于，所述凸点周期性排布或随机排布。5.如权利要求4所述的LED的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：