发光二极管及其制造方法技术

公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层上彼此间隔开布置的至少两个发光单元，其分别包括有源层和第二导电型半导体层，并且包括第一导电型半导体层通过其而部分地暴露的一个或多个接触孔；位于发光单元之间的附加接触区域；与第二导电型半导体层欧姆接触的第二电极；下绝缘层；以及第一电极，其通过发光单元中的每一者的接触孔以及附加接触区域与第一导电型半导体层进行欧姆接触。

Light emitting diode and method of manufacturing the same

Light emitting diode and manufacturing method thereof. The light emitting diode includes a first conductive type semiconductor layer; at least arranged spaced from each other in the first conductive layer on the semiconductor light emitting unit two, respectively, including an active layer and a second conductive type semiconductor layer, and comprises a first conductive type semiconductor layer through the partially exposed one or a plurality of contact holes located; additional contact area between the light emitting unit; the second electrode is in contact with the second conductive type semiconductor layer under ohmic; insulating layer; and a first electrode, the contact hole through each of the light emitting unit and the additional contact region and a first conductive type semiconductor layer for ohmic contact.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的示例性实施例涉及一种发光二极管以及一种制造该发光二极管的方法，更具体地，涉及一种可以使发光面积的减小最小化并且具有高的电流扩散效率的发光二极管以及一种制造该发光二极管的方法。
技术介绍
发光二极管是指被配置为通过电子和空穴的重组而发射光的无机半导体装置，并且近年来，在本领域中已经开发并制造了使用具有直接跃迁特性的氮化物半导体的发光二极管。根据电极的位置，电极与外部引线的连接结构等，发光二极管可以分为横向型发光二极管和倒装芯片型发光二极管。近来，随着对高功率发光二极管的需求增加，对具有良好散热效率的大型倒装芯片型发光二极管的需求不断增加。
技术实现思路
技术问题本公开的示例性实施例提供了具有提高的电流扩散效率的发光二极管。本公开的示例性实施例提供了一种制造发光二极管的方法，其可以使有源层的去除最小化，同时提高了电流扩散效率，并且能够提供简单的工艺。技术方案根据本公开的一个方面，一种发光二极管包括：第一导电型半导体层；至少两个发光单元，该至少两个发光单元在第一导电型半导体层上设置为彼此间隔开，并且发光单元中的每一者均包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，该至少一个接触孔穿过第二导电型半导体层和有源层形成从而暴露第一导电型半导体层的一部分；附加接触区域，该附加接触区域设置在发光单元之间并部分地暴露第一导电型半导体层；第一电极，该第一电极通过发光单元中的每一者的接触孔和附加接触区域与第一导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，该第二电极设置在发光单元中的每一者上并与第二导电型半导体层形成欧姆接触；和下绝缘层，该下绝缘层覆盖第一导电型半导体层的侧表面、发光单元和第二电极，其中下绝缘层包括暴露接触孔和附加接触区域的第一开口以及部分地暴露第二电极的第二开口，并且第一电极和第二电极彼此绝缘。第一电极也可以通过附加接触区域与第一导电型半导体层形成欧姆接触，从而提高发光二极管的电流扩散效率。附加接触区域可以设置在至少四个发光单元之间的区域中，具体地，设置在至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。从附加接触区域的中心到至少四个发光单元的中心的距离可以是相同的。接触孔可以设置在发光单元中的每一者的中心区域中。发光二极管可进一步包括一个或多个连接层，该连接层将设置在发光单元之一上的第二电极电连接到设置在与一个发光单元相邻的另一个发光单元上的第二电极。第一电极可以覆盖下绝缘层的至少一部分，并且可以通过第一开口接触第一导电型半导体层。第一电极可进一步覆盖第一导电型半导体层和发光单元的侧表面，并且可以通过下绝缘层绝缘。在其他示例性实施例中，发光二极管可进一步包括至少部分地覆盖第一电极的上绝缘层，其中上绝缘层可以包括部分地暴露第一电极的第三开口和部分地暴露第二电极的第四开口。发光二极管可进一步包括设置在第三开口上并电连接到第一电极的第一焊盘；和设置在第四开口上并电连接到第二电极的第二焊盘。发光二极管可进一步包括设置在上绝缘层上的散热焊盘。散热焊盘可以设置在第一焊盘和第二焊盘之间。根据本公开的另一方面，一种制造发光二极管的方法包括：在衬底上形成第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；形成至少两个发光单元，发光单元中的每一个包括第二导电型半导体层、有源层和接触孔，以及附加接触区域，该附加接触区域通过部分地去除第二导电型半导体层和有源层而设置在发光单元之间的区域中，同时在发光单元中的每一者上形成第二电极，以便与第二导电型半导体层形成欧姆接触；形成覆盖第一导电型半导体层的侧表面、发光单元和第二电极的下绝缘层；以及形成第一电极，该第一电极通过接触孔和附加接触区域与第一导电型半导体层形成欧姆接触，其中接触孔穿过第二导电型半导体层和有源层而形成，从而暴露第一导电型半导体层的一部分，第一导电型半导体层暴露于附加接触区域的下侧，并且下绝缘层包括暴露接触孔和附加接触区域的第一开口，以及部分地暴露第二电极的第二开口。发光单元可以包括至少四个发光单元，并且附加接触区域可以设置在由至少四个发光单元环绕的区域中。附加接触区域可以设置在其中至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。该方法可进一步包括形成一个或多个连接层，该一个或多个连接层将设置在发光单元之一上的第二电极电连接到设置在与一个发光单元相邻的另一发光单元上的第二电极。连接层可以与第一电极同时形成。形成第一电极可包括采用第一电极填充第一开口，使得第一电极通过第一开口接触第一导电型半导体层。该方法可进一步包括在形成第一电极之后形成至少部分地覆盖第一电极的上绝缘层，其中上绝缘层可包括部分地暴露第一电极的第三开口和部分地暴露第二电极的第四开口。该方法可进一步包括在第三开口上形成第一焊盘以便电连接到第一电极以及在第四开口上形成第二焊盘以便电连接到第二电极。该方法可进一步包括在上绝缘层上形成散热焊盘。第一焊盘、第二焊盘和散热焊盘可以同时形成。根据本公开的另一方面，发光二极管包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，该发光结构包括在第一导电型半导体层上设置为彼此间隔开的一个或多个台面，并且每个台面包括有源层和第二导电型半导体层，并且具有至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过第二导电型半导体层和有源层而形成，从而暴露第一导电型半导体层的一部分；第一电极，该第一电极通过台面的接触孔与第一导电型半导体层形成欧姆接触；电流扩散层，该电流扩散层设置在台面上并与第二导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，该第二电极设置在电流扩散层上；以及绝缘层，该绝缘层覆盖发光结构和电流扩散层，并且包括部分地暴露第一和第二电极的开口，其中接触孔中的每一个包括彼此间隔开的多个主接触孔和将主接触孔彼此连接并且具有比主接触孔窄的宽度的多个辅助接触孔。发光二极管可进一步包括设置在电流扩展层下方的电流阻挡层，其中电流阻挡层可以设置在第二电极之下，以便对应于第二电极的位置。电流扩散层可以包括导电氧化物。电流扩散层可以包括下电流扩散层和设置在下电流扩散层上的上电流扩散层。电流扩散层可以由掺杂金属掺杂剂的导电氧化物形成。发光二极管可进一步包括设置在绝缘层上并分别电连接到第一电极和第二电极的第一焊盘和第二焊盘，其中第一焊盘和第二焊盘彼此间隔开。第一电极可包括：设置在第一焊盘下方的第一欧姆接触电极；第二欧姆接触电极，该第二欧姆接触电极包括设置在第一焊盘下方的主电极和从该主电极延伸到第一焊盘和第二焊盘之间的区域下方的部分的延伸电极；设置在第一焊盘下方并与附加接触区域形成欧姆接触的第三欧姆接触电极。第二欧姆接触电极的主电极可以设置在主接触孔中，并且第二欧姆接触电极的延伸电极可以设置在主接触孔和辅助接触孔中。设置在主接触孔中的延伸电极的一部分可以具有比设置在辅助接触孔中的延伸电极的一部分更宽的宽度，并且可以设置在第一焊盘和第二焊盘之间的区域下方。第二欧姆接触电极的延伸电极可以由绝缘层所覆盖。第二电极可以包括设置在第二焊盘下方的第一连接电极；和第二连接电极，该第二连接电极包括设置在第二焊盘下方的主电极和从主电极朝第一焊盘延伸的延伸电极。第二连接电极的延伸电极可以延伸到第一焊盘和第二焊盘之间的区域下方的部分。第二连接电极的延伸电极可以延伸到第一焊盘下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：第一导电型半导体层；至少两个发光单元，其在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开设置并且各自包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分；附加接触区，其设置在所述发光单元之间并且部分地暴露所述第一导电型半导体层；第一电极，其通过所述发光单元中的每一者的接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，其设置在所述发光单元中的每一者上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及下绝缘层，其覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述发光单元和所述第二电极，其中，所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.05 KR 10-2014-01003641.一种发光二极管，其包括：第一导电型半导体层；至少两个发光单元，其在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开设置并且各自包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分；附加接触区，其设置在所述发光单元之间并且部分地暴露所述第一导电型半导体层；第一电极，其通过所述发光单元中的每一者的接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，其设置在所述发光单元中的每一者上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及下绝缘层，其覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述发光单元和所述第二电极，其中，所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管包括至少四个发光单元，且所述附加接触区域设置在由所述至少四个发光单元环绕的区域中。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述附加接触区域设置在其中所述至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，从所述附加接触区域的中心至所述至少四个发光单元的中心的距离是相同的。5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管，其中，所述接触孔设置在所述发光单元中的每一者的中心区域中。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其进一步包括：一个或多个连接层，其将设置在所述发光单元中的一个发光单元上的所述第二电极电连接到设置在邻近于所述一个发光单元的另一个发光单元上的所述第二电极。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极覆盖所述下绝缘层的至少一部分，并且通过所述第一开口接触所述第一导电型半导体层。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述第一电极进一步覆盖所述第一导电型半导体层以及所述发光单元的侧表面，并且通过所述下绝缘层绝缘。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其进一步包括：上绝缘层，其至少部分地覆盖所述第一电极，其中所述上绝缘层包括部分地暴露所述第一电极的第三开口和部分地暴露所述第二电极的第四开口。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其进一步包括：第一焊盘，其设置在所述第三开口上并且电连接到所述第一电极；和第二焊盘，其设置在所述第四开口上并且电连接到所述第二电极。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其进一步包括：散热焊盘，其设置在所述上绝缘层上。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述散热焊盘设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。13.一种制造发光二极管的方法，其包括：在衬底上形成第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；形成至少两个发光单元，所述至少两个发光单元各自包括所述第二导电型半导体层、所述有源层和接触孔以及附加接触区域，所述附加接触区域通过部分地除去所述第二导电型半导体层和所述有源层而设置在所述发光单元之间的区域中，同时在所述发光单元中的每一者上形成第二电极以便与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；形成下绝缘层，所述下绝缘层覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述发光单元和所述第二电极；以及形成第一电极，所述第一电极通过所述接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，其中，所述接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层而形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分，所述第一导电型半导体层暴露于所述附加接触区域的下侧，且所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口。14.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其中，所述发光单元包括至少四个发光单元，且所述附加接触区域设置在由所述至少四个发光单元环绕的区域中。15.根据权利要求14所述的制造发光二极管的方法，其中，所述附加接触区域设置在其中所述至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。16.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：形成一个或多个连接层，所述一个或多个连接层将设置在所述发光单元之一上的所述第二电极电连接到设置在邻近于所述一个发光单元的另一个发光单元上的所述第二电极。17.根据权利要求16所述的制造发光二极管的方法，其中所述连接层与所述第一电极同时形成。18.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其中形成所述第一电极包括采用所述第一电极填充所述第一开口使得所述第一电极通过所述第一开口接触所述第一导电型半导体层。19.根据权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其进一步包括：在形成所述第一电极之后形成至少部分地覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世熙，金钟奎，金在权，姜珉佑，金贤儿，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR