【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，特别是，涉及具备减少电接触的电阻并提高电接触的可靠性的电极结构的半导体发光元件。在此，半导体发光元件表示通过电子与空穴的复合而生成光的半导体光元件，可例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由以Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0<x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成的化合物构成。此外，还可例举用于发出红色光的GaAs类半导体发光元件等。
技术介绍
在此，提供关于本专利技术的
技术介绍
，但它并不一定表示公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是表示美国授权专利公报第7,262,436号公开的半导体发光元件的一例的图。半导体发光元件包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的n型半导体层(300)；在n...
【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，该多个半导体层包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；上部电极，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.11 KR 10-2013-0121306;2013.12.23 KR 10-2011.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：
多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，该多个半导体层包括：第一半导
体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；
及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生
成光；
第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；
第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及
非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个
半导体层上，并形成有开口，
第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：
下部电极，其通过开口而露出至少一部分；
上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及
电连接器，其贯穿开口而与下部电极接触，并与上部电极电气地连通。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
在第二半导体层与非导电性反射膜之间包括电流扩散导电膜，
下部电极介于电流扩散导电膜与电连接器之间，和该电流扩散导电膜与该电连接
器分别接触。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
开口延长到第二半导体层、有源层及第一半导体层的一部分，
下部电极介于通过开口而露出的第一半导体层与电连接器之间，和该第一半导体
层与该电连接器分别接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
下部电极包括：
接触层，其减小与多个半导体层电气地连通的电阻；
反射层，其形成在接触层上；
扩散防止层，其形成在反射层上；
氧化防止层，其形成在扩散防止层上；及
蚀刻防止层，其形成在氧化防止层上，
通过去除与开口对应的蚀刻防止层，电连接器与氧化防止层接触。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
非导电性反射膜包括分布布拉格反射器(DistributedBraggReflector)，该
分布布拉格反射器反射来自有源层的光。
6.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，
在第二半导体层与电流扩散导电膜之间包括电流切断层(currentblocking
layer)。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上部电极的最上层由共晶接合用物质构成。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
下部电极包括从多个半导体层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，晋根模，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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