The invention discloses a power type paster semiconductor component, relating to the technical field of electronic components. The semiconductor device includes a combination of chip, the chip combination on the surface are welded on the lower surface of the welding electrode, a lower electrode plate; the outer side of the container is provided with flame retardant combination chip shaped insulating shell, a package filled between the casing and the combination of the chip, the upper electrode and lower electrode the free end extends to the outer shell, as the two connecting pins of the semiconductor element. The semiconductor device can be the same with the traditional semiconductor chip package plug-in semiconductor devices in power and other electric and plug-in components index at the same level; and a semiconductor chip electrode welding after loaded into the shell, and filled with packaging packing, packing package filled with flame retardant properties, used for housing flame retardant material, the semiconductor chip is covered in flame retardant materials, can effectively prevent the fire.
【技术实现步骤摘要】
功率型贴片半导体元件
本专利技术涉及电子元器件
,尤其涉及一种功率型贴片半导体元件。
技术介绍
现在市场上主要使用的半导体保护元件包括硅材料或碳化硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。上述瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS一般都是SOD-123、DO-214AA、DO-214AB、DO-214AC等封装形态,其能承受的电流从几安培到几百安培不等,能承受的功率从200W到最高6.5kW。而传统直插式的元件,其能承受的电流可达几千安培,功率可达30kW。现在市场上的金属氧化物材料芯片的贴片式压敏电阻,主要包括多层陶瓷结构和塑封结构,多层陶瓷结构的贴片压敏电阻受其结构限制和加工工艺的影响,无法做到很高的通流容量,一般只有几百安培。塑封型的贴片压敏电阻,市面上现在最大有做到4032封装的,其通流容量1200A。而传统的插件式压敏电阻,其通流容量可达到70kA甚至更高。如上可以看出,现在市场上的贴片式半导体元件,其耐受功率和电流往往都比较小,远低于传统的插件式半导体元件,而在诸如汽车电子、高功率电源等产品中,几千瓦的功率和几百安的通流容量远远满足不了实际使用的需求,很多产品都仍在使用插件式半导体元件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片,且在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同水平的功率型贴片半导体元件。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合 ...
【技术保护点】
一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片(1),下表面焊接有下电极片(2);所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳(3),所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料(4),所述上电极片(1)和下电极片(2)的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。
【技术特征摘要】
1.一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片(1),下表面焊接有下电极片(2);所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳(3),所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料(4),所述上电极片(1)和下电极片(2)的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。2.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述组合芯片包括一个以上叠放到一起的单芯片。3.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述组合芯片为一个压敏电阻芯片(5)或两个上、下叠放到一起的瞬态抑制二极管芯片(6)。4.如权利要求3所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述瞬态抑制二极管芯片(6)的上、下表面设有导电层,瞬态抑制二极管芯片(6)与瞬态抑制二极管芯片(6)之间以及上电极片(1)和下电极片(2)与瞬态抑制二极管芯片(6)之间通过焊料片(8)进行焊接;上电极片(1)和下电极片(2)与所述压敏电阻芯片(5)之间通过焊料片(8)进行焊接。5.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述上电极片(1)包括第一水平焊接片(11)和第一连接片(12),所述第一水平焊接片(11)焊接于所述组合芯片的上表面,所述第一连接片(12)与所述第一水平焊接片(11)垂直,所述第一连接片(12)用于作为所述半导体元件的一个连接引脚;所述下电极片(2)包括第二水平焊接片(21)和第二连接片(22),所述第二水平焊接片(21)焊接于所述组合芯片的下表面,所述第二连接片(22)与所述第二水平焊接片(21)垂直,所述第二连接片(22)用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。6.如权利要求1所述的功率型...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晗,周云福,黄亚发,
申请(专利权)人:广东百圳君耀电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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