半导体元件制造技术

一种半导体元件，其包含半导体晶片基体、第一引出电极、第二引出电极、及保护层。半导体晶片基体包含互相堆叠的至少一半导体晶片与数个导电片。这些导电片分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接。第一引出电极与第二引出电极均包含接合部、引出部、及连接接合部与引出部的第一弯曲部。第一引出电极与第二引出电极的接合部分别叠设在半导体晶片基体的正面与背面。第一引出电极与第二引出电极均为一体成型电极。保护层包覆住半导体晶片基体、以及第一引出电极与第二引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部。一体成型电极设计可解决现有的高功率贴片半导体产品在制程生产中折弯脚易损伤的缺陷。

Semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本技术是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种高功率半导体元件。
技术介绍
功率半导体元件一般又称电力电子元件，为一种功率处理的核心元件，可应用在电力设备的电能变换与电路控制上。传统的高功率半导体元件存在有较大的引线电感，如此增加了回应时间和残压幅值，而降低了电子产品的防护效果。此外，在半导体元件的生产中，折弯的引出电极脚容易产生损伤，造成半导体元件产品的防护能力及可靠性降低。
技术实现思路
本技术提出一种半导体元件，以改善习知功率半导体元件的制作技术的不足。根据本技术的上述目的，提出一种半导体元件。此半导体元件包含半导体晶片基体、第一引出电极、第二引出电极、以及保护层。半导体晶片基体包含互相堆叠的至少一半导体晶片以及数个导电片，其中这些导电片分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接。第一引出电极包含接合部、引出部、以及连接接合部与引出部的第一弯曲部，第一引出电极的接合部叠设在半导体晶片基体的正面。第二引出电极包含接合部、引出部、以及连接接合部与引出部的第一弯曲部，第二引出电极的接合部叠设在半导体晶片基体的背面，其中第一引出电极与第二引出电极均为一体成型电极。保护层包覆住半导体晶片基体、第一引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部、以及第二引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部。依据本技术的一实施例，上述的半导体晶片为瞬态抑制二极管(transientvoltagesuppressordiode)、半导体放电管、或静电保护元件。依据本技术的一实施例，上述的半导体晶片为内沟晶片、外沟晶片、或平面晶片。依据本技术的一实施例，上述的第一引出电极还包含第二弯曲部，其中第一引出电极的第一弯曲部与第二弯曲部分别接合在第一引出电极的引出部的相对二端。另外，上述的第二引出电极还包含第二弯曲部，其中第二引出电极的第一弯曲部与第二弯曲部分别接合在第二引出电极的引出部的相对二端。依据本技术的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部的弯曲方向与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲方向相对。依据本技术的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部的弯曲方向与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲方向相背。依据本技术的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲角度大于0度且小于或等于180度。依据本技术的一实施例，上述的第一引出电极的第一弯曲部与第二引出电极的第一弯曲部的弯曲角度为约90度。依据本技术的一实施例，上述的半导体晶片的数量为数个，且这些导电片的数量比半导体晶片的数量多一个，这些半导体晶片分别介于二相邻的导电片之间，且这些半导体晶片与导电片彼此交错排列。依据本技术的一实施例，上述的半导体元件还包含焊料层，其中导电片透过此焊料层分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接，第一引出电极的接合部与第二引出电极的接合部透过此焊料层而分别于半导体晶片基体的正面与背面电性连接。本技术的实施方式的半导体元件的第一引出电极与第二引出电极均为一体成型电极，因此在封装时，可避免第一引出电极及第二引出电极的折弯动作对半导体晶片造成损伤，而可提高半导体元件的封装制程的良率，提升半导体元件的品质。附图说明为让本技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：图1是绘示依照本技术的第一实施方式的一种高功率半导体元件的剖面示意图；图2A至图2C是分别绘示依照本技术的一实施方式的三种半导体晶片的剖面示意图；图3是绘示依照本技术的第二实施方式的一种高功率半导体元件的剖面示意图；图4是绘示依照本技术的第三实施方式的一种高功率半导体元件的剖面示意图；以及图5是绘示依照本技术的一实施方式的一种高功率半导体元件的制作流程图。具体实施方式请参照图1，其是绘示依照本技术的第一实施方式的一种高功率半导体元件的剖面示意图。本实施方式的高功率半导体元件100主要可包含半导体晶片基体110、第一引出电极120、第二引出电极130、以及保护层140。在本实施方式中，半导体晶片基体110包含一个半导体晶片112以及二个导电片114，其中半导体晶片112与此二导电片114互相堆叠，即半导体晶片112夹设在此二导电片114之间。半导体晶片112的正面与背面可分别包含一个或多个正面电极112a、以及一个或多个背面电极112b。此二导电片114分别与半导体晶片112的正面电极112a与背面电极112b电性连接。在一些示范例子中，高功率半导体元件100更可包含焊料层150，其中焊料层150可填入导电片114与半导体晶片112的正面电极112a之间、以及导电片114与背面电极112b之间。借此，此二导电片114可透过焊料层150而分别与半导体晶片112的正面电极112a及背面电极112b电性连接。在一些示范例子中，半导体晶片112可为瞬态抑制二极管、半导体放电管、或静电保护元件。此外，半导体晶片112的形状可例如为圆形、方形、或多边形。请先参照图2A至图2C，其是分别绘示依照本技术的一实施方式的三种半导体晶片的剖面示意图。半导体晶片基体110可包含具内沟结构的半导体晶片116a，如图2A所示。半导体晶片基体110亦可包含具外沟结构的半导体晶片116b，如图2B所示。或者，半导体晶片基体110可包含具平面结构的半导体晶片116c，如图2C所示。导电片114的形状可例如为圆形、方形、或多边形。导电片114的材质可例如为裸铜、镀金铜、镀银铜、或镀镍铜。焊料层150的材料可为合金焊料或导电胶。举例而言，上述合金焊料的材质可为锡铅合金、银合金、铜合金、或金属化合物填料。如图1所示，在本实施方式中，第一引出电极120包含接合部122、引出部124、以及第一弯曲部126，其中第一弯曲部126连接接合部122与引出部124。第一引出电极120为一体成型电极。第一引出电极120的接合部122叠设在半导体晶片基体110的正面上。举例而言，焊料层150可填入接合部122与半导体晶片基体110正面的导电片114之间，借此接合部122可透过焊料层150而与半导体晶片基体110正面的导电片114电性连接。类似的，第二引出电极130包含接合部132、引出部134、以及连接接合部132与引出部134的第一弯曲部136。第二引出电极130为一体成型电极。第二引出电极130的接合部132叠设在半导体晶片基体110的背面。可例如使焊料层150填入接合部132与半导体晶片基体110背面的导电片114之间，借此接合部132可透过焊料层150而与半导体晶片基体110背面的导电片114电性连接。在本实施方式中，第一引出电极120与第二引出电极130的剖面形状均可为类L字形。举例而言，第一引出电极120的第一弯曲部126与第二引出电极130的第一弯曲部136的弯曲角度可例如约90度。此外，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：/n一半导体晶片基体，包含互相堆叠的至少一半导体晶片以及多个导电片，其中所述多个导电片分别与该至少一半导体晶片的一正面电极与一背面电极电性连接；/n一第一引出电极，其中该第一引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第一引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一正面；/n一第二引出电极，其中该第二引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第二引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一背面，其中该第一引出电极与该第二引出电极均为一体成型电极；以及/n一保护层，包覆住该半导体晶片基体、该第一引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部、以及该第二引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：
一半导体晶片基体，包含互相堆叠的至少一半导体晶片以及多个导电片，其中所述多个导电片分别与该至少一半导体晶片的一正面电极与一背面电极电性连接；
一第一引出电极，其中该第一引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第一引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一正面；
一第二引出电极，其中该第二引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第二引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一背面，其中该第一引出电极与该第二引出电极均为一体成型电极；以及
一保护层，包覆住该半导体晶片基体、该第一引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部、以及该第二引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部。


2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一半导体晶片为瞬态抑制二极管、半导体放电管、或静电保护元件。


3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一半导体晶片为一内沟晶片、一外沟晶片、或一平面晶片。


4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
该第一引出电极还包含一第二弯曲部，其中该第一引出电极的该第一弯曲部与该第二弯曲部分别接合在该第一引出电极的该引出部的相对二端；以及
该第二引出电极还包含一第二弯曲部，其中该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李燕华，周云福，王祖江，梁湖勇，
申请(专利权)人：广东百圳君耀电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44