半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为首先提供一基底，该基底上具有一鳍状结构，然后形成一第一浅沟隔离于鳍状结构周围，将鳍状结构分隔为一第一部分与一第二部分，以及形成一第二浅沟隔离于第一部分及第二部分之间。

Semiconductor element and manufacturing method thereof

The invention discloses a semiconductor component and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing semiconductor element for a substrate is provided, having a fin structure on the substrate, then forming a first shallow trench isolation on the fin structure around the fin structure is divided into a first part and a second part, and forming a second shallow trench isolation in the first and two part.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于鳍状结构与鳍状结构之间制作浅沟隔离的方法。
技术介绍
近年来，随着场效晶体管(fieldeffecttransistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininducedbarrierlowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(shortchanneleffect,SCE)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的通道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。甚而，晶体管元件的临界电压(thresholdvoltage)亦可通过调整栅极的功函数而加以调控。在现行的鳍状场效晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一鳍状结构；形成一第一浅沟隔离于该鳍状结构周围；将该鳍状结构分隔为一第一部分与一第二部分；以及形成一第二浅沟隔离于该第一部分及该第二部分之间。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一鳍状结构；形成一第一浅沟隔离于该鳍状结构周围；将该鳍状结构分隔为一第一部分与一第二部分；以及形成一第二浅沟隔离于该第一部分及该第二部分之间。2.如权利要求1所述的方法，还包含：在形成该第一浅沟隔离后形成一开口于该鳍状结构中并由此将该鳍状结构分隔为该第一部分及该第二部分；进行一原子沉积制作工艺以形成一绝缘层于该第一部分及该第二部分并填入该开口；以及进行一蚀刻制作工艺去除部分该第一浅沟隔离及该绝缘层以形成该第二浅沟隔离。3.如权利要求1所述的方法，其中该第二浅沟隔离包含一凹陷部。4.如权利要求3所述的方法，其中该凹陷部包含一上凹表面，该上凹表面包含一谷点(valleypoint)与二顶点，且该二顶点分别接触该第一部分及该第二部分。5.如权利要求4所述的方法，其中该第一浅沟隔离的上表面与该二顶点齐平。6.如权利要求1所述的方法，其中该第一浅沟隔离的上表面为一平面。7.如权利要求1所述的方法，还包含：形成一栅极绝缘层于该第一部分及该第二部分上；形成一栅极结构于该第二浅沟隔离上；形成一间隙壁于该栅极结构周围；以及将该栅极结构转换为一金属栅极。8.一种半导体元件，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾奕铭，梁文安，黄振铭，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71