薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器技术

本发明专利技术公布了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。本发明专利技术还公布了一种薄膜晶体管及一种显示器。在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的薄膜晶体管的电子迁移率高，显示设备显示效果良好。

Method for manufacturing thin film transistor, thin film transistor and display device

The invention discloses a method of manufacturing a thin film transistor includes: active layer, a gate insulating layer, the gate capacitance and insulation layers are sequentially formed on the substrate, the gate insulating layer from the active layer and the gate layer from the substrate; one side forming hydrogen barrier layer on the capacitor insulation and the hydrogen barrier layer covers the capacitor insulating layer; the gate insulating layer and the hydrogenation active layer. The invention also discloses a thin film transistor and a display device. While improving the flexibility of the AMOLED display and ensuring the hydrogenation processing effect of the polysilicon thin film transistor, the film transistor has high electron mobility, and the display device has good display effect.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器。
技术介绍
随着显示技术的发展和用户对显示设备的外观、性能等各方面的要求越来越高，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)柔性显示器应运而生。薄膜晶体管在生产中需要经过氢化处理，以采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管的阵列结构显示面板为例，多晶硅薄膜晶体管在生产中经过氢化处理，提高了多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率，修补了缺陷，使多晶硅薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率，从而成为了制作小尺寸高解析度面板的首选。具体的，一般采用多晶硅薄膜晶体管的电容绝缘层和层间绝缘层作补氢层，并采用590℃，10min的高温退火工艺实现阵列基板的氢化处理。在液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和刚性AMOLED领域中，采用LTPS的阵列结构显示面板及其制造工艺已日趋成熟，但多晶硅薄膜晶体管在柔性AMOLED显示器的制造和应用中仍不成熟。现有技术中，为了提高柔性效果，一般将电容绝缘层和层间绝缘层设计为厚度较小的无机层，氢化处理需要依靠无机层提供氢原子，较薄的无机层本身可以提供的氢原子量相对较少，高温氢化过程中部分氢原子向外扩散而未起到氢化的作用，参加氢化过程的氢原子量不足导致氢化效果不佳，即无法在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，显示设备显示效果不佳。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法、多晶硅薄膜晶体管及显示器，用以解决现有技术中无法在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，显示设备显示效果不佳的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。进一步，所述氢化处理的温度不大于500℃，所述氢化处理的时长不超过60分钟。进一步，所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。进一步，所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：沉积导电材料于所述阻氢层之背离所述基板一侧，并图形化所述导电材料形成电容上电极。进一步，形成所述电容上电极后，在所述电容上电极之背离所述基板一侧表面形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层表面形成源极和漏极。本专利技术还提供一种薄膜晶体管，包括基板及依次层叠设置于所述基板一侧的主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述薄膜晶体管还包括阻氢层，所述阻氢层位于所述电容绝缘层之背离所述基板一侧，并覆盖所述电容绝缘层，所述阻氢层用于阻挡氢化处理时所述电容绝缘层提供的氢离子向外扩散。进一步，所述薄膜晶体管还包括层叠设置于所述阻氢层之背离所述基板一侧的电容上电极、层间绝缘层、源极及漏极，所述层间绝缘层隔离所述电容上电极与所述源极及漏极于所述层间绝缘层的两侧。进一步，所述层间绝缘层为有机材料膜层。进一步，所述阻氢层为无机材料膜层或金属材料膜层。本专利技术还提供一种显示器，包括以上任意一项所述的薄膜晶体管。本专利技术的有益效果如下：电容绝缘层提供氢原子用于氢化处理主动层和栅极绝缘层，阻氢层阻挡高温氢化过程中向外扩散的氢原子，提高氢原子的利用率，增加参加氢化处理主动层和栅极绝缘层的氢原子，提高氢化效果，当薄膜晶体管应用于AMOLED柔性显示器时，基板为柔性基板，氢化效率的提高可以减少需要提供的总的氢原子的量，即降低了提供氢原子的电容绝缘层的厚度，电容绝缘层的厚度越小，柔性显示器的柔性越好，从而在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的薄膜晶体管的电子迁移率高，显示设备显示效果良好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。图1为本专利技术实施例一提供的薄膜晶体管的制作方法流程图。图2为本专利技术实施例一提供的薄膜晶体管的制作方法S102步骤的示意图。图3为本专利技术实施例一提供的薄膜晶体管的制作方法S103步骤的示意图。图4为本专利技术实施例二提供的薄膜晶体管的制作方法流程图。图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请一并参阅图1、图2及图3，本专利技术实施例一提供的薄膜晶体管的制作方法流程包括：S101，在基板10上依次形成主动层20、栅极绝缘层30、栅极60及电容绝缘层40。基板10为薄膜晶体管整体结构的承载体，一般使用塑料材料或玻璃材料制作基板10，本实施例中，为了提高柔性显示效果，适用于AMOLED柔性显示器，基板10为柔性基板，一种较佳的实施方式中使用塑料材料制作基板10，塑料材料材质柔软易于弯曲，且材料成本低。本实施例中，在基板10上形成主动层20之前，先在基板10表面形成阻隔层90，阻隔层90位于基板10于主动层20之间。阻隔层90为电绝缘性良好的材料采用化学气相沉积或物理沉积等方法形成。阻隔层90又称缓冲层，用于防止玻璃中的金属离子(铝、钡、钠等)在热工艺中扩散到主动层20，通过调节阻隔层90厚度或沉积条件可以改善多晶硅表面的质量，有利于降低热传导，减缓加热后的硅冷却速率，利于硅的结晶。进一步的，主动层20形成于阻隔层90的表面，具体的，主动层20采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)形成薄膜于阻隔层90表面，再图像化薄膜形成主动层20。本实施例中采用多晶硅材料形成主动层20，以制作导电性和柔软性均较佳的多晶硅薄膜晶体管，但本专利技术不限于多晶硅薄膜晶体管。多晶硅材料具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，故多晶硅薄膜形成的主动层20单向导电性良好，并用于连接后续需要制作的源极802及漏极804，使源极802与漏极804电连接。本实施例中，栅极绝缘层30形成于主动层20表面，具体的，栅极绝缘层30采用等离子体增强化学气相沉积SiO2形成。进一步的，栅极绝缘层30背离主动层20一侧的表面还形成有栅极60，使用金属材料溅射或沉积于栅极绝缘层30表面形成金属膜层，并采用光刻等刻蚀方法图案化该金属层形成栅极60。栅极绝缘层30位于栅极60与主动层20之间，隔绝栅极60与主动层20，防本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氢化处理的温度不大于500℃，所述氢化处理的时长不超过60分钟。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：沉积导电材料于所述阻氢层之背离所述基板一侧，并图形化所述导电材料形成电容上电极。5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42