一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器制造技术

一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其器件工作电压低于5V且无电学迟滞效应，包括衬底、源电极、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述栅介质层具有大电容值且对温度敏感，其电容大于100nF/cm2，该栅介质层由具有低介电常数的第一介质层和具有高介电常数的第二介质层叠加而成，其中第一介质层紧邻有机半导体层，并且置于该有机半导体层与第二介质层之间，第二介质层置于栅电极与第一介质层之间。本发明专利技术工作时操作电压低，便于与光伏电池、纸电池、无线电波等电源系统集成，具有响应快、功耗小、柔韧性好、可大面积加工、制造成本低、产品周期短等优点，尤其在电子皮肤领域具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度传感器，具体涉及一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器及其制备方法，属于有机电子器件制备

技术介绍
随着诸如物联网、智能监控、人工皮肤等新型智能应用技术的出现，将信息时代推向了 “亿万传感器”时代，低成本的具有不同功能的传感器受到越来越多的关注。由于温度指标对环境变化、生化过程控制、人体感知等有着显著的影响，因此温度传感器是众多类型的传感器中极其重要的一种。另一方面，随着有机电子
的兴起以及印刷技术的进步，使得能够大面积、低成本地制造具有柔性特性的有机薄膜晶体管成为可能。得益于该技术的发展，基于有机薄膜晶体管的温度传感器将具有十足的吸引力和极大的应用需求。然而现阶段基于有机薄膜晶体管的温度传感器存在着操作电压高(>20V)、难以柔性化、有源矩阵工艺复杂等不足。尤其对于诸如电子皮肤之类的应用来讲，亟需能够低电压操作(〈5V)的柔性温度传感器。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于，提供一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其栅介质层中使用具有高介电常数且在一定温度范围内介电常数对温度敏感的绝缘材料，并且器件实现低电压工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器的器件工作电压低于5V且无电学迟滞效应，包括衬底、源电极、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述栅介质层具有大电容值且对温度敏感，该栅介质层的电容大于100nF/cm2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小军，唐伟，陈苏杰，赵家庆，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31