薄膜晶体管的制造方法技术

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极电极；于基板上形成栅极绝缘层覆盖栅极电极；于栅极绝缘层上形成通道层，且通道层位于栅极电极上方，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于栅极绝缘层上形成蚀刻阻挡层覆盖通道层并使通道层的第一部位显露于外；于栅极绝缘层上形成第一电极覆盖并接触第一部位；去除部分蚀刻阻挡层以暴露通道层的第二部位；于栅极绝缘层上形成第二电极覆盖并接触第二部位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示面板的制造方法，特别是一种显示面板的。
技术介绍
现今的显示面板多半具有多个呈阵列排列的薄膜晶体管来驱动液晶分子的偏转。而各个薄膜晶体管的源极电极与漏极电极可以是经由两次光刻(即微影与蚀刻)而分别形成，藉以避免各个薄膜晶体管的通道长度受限于曝光设备的曝光精准度(目前约为3μπι)。然而，在以往分别形成源极电极与漏极电极的过程中，大都未对薄膜晶体管中的通道层进行保护，使得对于水气、氧气、氢气、制程温度、蚀刻液等外在环境因素具有较高敏感性的通道层，易在薄膜晶体管的制造过程中，受到外在环境因素影响而产生损伤。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，以解决现有技术所面临的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种，包括下列步骤:于一基板上形成一栅极电极；于该基板上形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极；于该栅极绝缘层上形成一通道层，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层，其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位；于该栅极绝缘层上形成一第一电极，其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位；去除部分该蚀刻阻挡层，以暴露该通道层的该第二部位；以及于该栅极绝缘层上形成一第二电极，其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。上述的，其中，该第一电极为一源极电极，该第二电极为一漏极电极。上述的，其中，于形成该栅极电极的步骤中同时形成一栅极线，并且该栅极线一体相连于该栅极电极；于形成该源极电极的步骤中同时形成一源极线，并且该源极线一体相连于该源极电极；于形成该漏极电极的步骤中同时形成一像素电极，并且该像素电极一体相连于该漏极电极。上述的，其中，在形成该蚀刻阻挡层并暴露该通道层的该第一部位的步骤之后，包括下述步骤:于该栅极绝缘层上形成一第一导电层，其中该第一导电层覆盖该蚀刻阻挡层及该通道层的该第一部位；于该第一导电层上形成一第一图案化光阻层；蚀刻去除该第一导电层未被该第一图案化光阻层覆盖的部位，以使该第一导电层形成该源极电极与该源极线；以及去除该第一图案化光阻层。上述的，其中，在去除部分该蚀刻阻挡层以暴露该通道层的该第二部位的步骤之后，包括下述步骤:于该栅极绝缘层上形成一第二导电层，其中该第二导电层覆盖该源极电极、该源极线、该蚀刻阻挡层及该通道层的该第二部位；于该第二导电层上形成一第二图案化光阻层；蚀刻去除该第二导电层未被该第二图案化光阻层覆盖的部位，以使该第二导电层形成该漏极电极与该像素电极；以及去除该第二图案化光阻层。上述的，其中，该第一电极的材质不同于该第二电极的材质。上述的，其中，该通道层的材质包括金属氧化物半导体。上述的，其中，该蚀刻阻挡层的材质包括二氧化硅。上述的，其中，在形成该第二电极的步骤中，位在该蚀刻阻挡层上方的该第二电极部位与该第一电极部位彼此分离。上述的，其中，该第一电极与该第二电极两者彼此相邻的端缘之间的距离不大于3 μ m。本专利技术的技术效果在于:本专利技术的，于形成第一电极与第二电极之前，透过在通道层上分别形成不同图案的蚀刻阻挡层，藉以在先后形成第一电极与第二电极的湿蚀刻制程中，能经由蚀刻阻挡层来使通道层隔绝于蚀刻液，进而维持通道层的半导体特性。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【附图说明】图1A至图9B为本专利技术所提供的的制程过程示意图。其中，附图标记100薄膜晶体管10基板20栅极电极22栅极线24栅极绝缘层30通道层32第一部位34第二部位40、40’蚀刻阻挡层50第一导电层52源极电极(第一电极)54源极线60第二导电层62漏极电极(第二电极)64像素电极70第一图案化光阻层72第二图案化光阻层D1栅极线的长度方向D2源极线的长度方向L源极电极与漏极电极彼此相邻的端缘之间的距离(即通道长度)【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:请参阅图1A至图9B，其绘示了本专利技术的一实施例，本实施例提供一种薄膜晶体管100的制造方法。为便于理解，本实施例是以平面图作说明，而于说明时，请参阅对应的附图，并视需要一并参酌其他附图。请参阅图1A和图1B所示，其中，图1A为图1B沿1A-1A剖线的剖视示意图。于一基板10上形成一栅极电极20与一栅极线22，上述栅极线22电性连接于栅极电极20。其中，所述栅极电极20与栅极线22于本实施例是以一体相连的单一膜层为例。另，所述基板10的材质可为玻璃、石英或其他合适的材质。并且栅极电极20与栅极线22的材质可为金属材料或其合金或其他合适的材质。 请参阅图2所示，于所述基板10上形成一栅极绝缘层24，并且栅极绝缘层24覆盖上述栅极电极20与栅极线22。其中，栅极绝缘层24的材质可为氧化硅、氮化硅或其他合适的材质。请参阅图3A和图3B所示，其中，图3A为图3B沿3A-3A剖线的剖视示意图。于上述栅极绝缘层24上形成一通道层30，且通道层30位在栅极电极20的上方。更详细地说，本实施例中形成上述通道层30的方式可以是先经由溅镀法形成一金属氧化物半导体层(如:IGZ0、ΙΖ0)的镀膜，接着对上述金属氧化物半导体层进行微影蚀刻制程，藉以在所述栅极电极20上方的部分栅极绝缘层24上形成如图3B所示的通道层30的图案。其中，所述通道层30本身对于水汽、氧气、氢气、制程温度、蚀刻液等外在环境因素具有较高的敏感性，因而易受外在环境因素影响而损伤，因此在后续制程中将会避免通道层30受损伤，以维持通道层30的半导体特性。请参阅图4A和图4B所示，其中，图4A为图4B沿4A-4A剖线的剖视示意图。于所述栅极绝缘层24上形成一蚀刻阻挡层40，而蚀刻阻挡层40覆盖部分通道层30并仅使通道层30的一第一部位32显露于外。其中，所述蚀刻阻挡层40能保护其下方所覆盖的部分通道层30，藉以在经过后续制程(如:湿蚀刻制程)之后仍维持其半导体特性。更详细地说，本实施例中形成上述蚀刻阻挡层40的方式可以是先用化学气相沉积形成一蚀刻阻挡材料层(图略)，接着对上述蚀刻阻挡材料层进行微影蚀刻制程，以得到如图4B所示的蚀刻阻挡层40的图案。另，所述蚀刻阻挡层40的材质可为二氧化硅或其他合适的材质。请参阅图5所示，于所述栅极绝缘层24上形成一第一导电层50，并且第一导电层50覆盖上述蚀刻阻挡层40及通道层30的第一部位32 ;接着在第一导电层50上形成一第一图案化光阻层70，上述部分第一图案化光阻层70位于通道层30第一部位32及其邻近的蚀刻阻挡层40部位的上方。其中，所述第一图案化光阻层70所覆盖的第一导电层50部位即相当于下述图6A和图6B所示的源极电极52及源极线54。另，第一导电层50的材质可为金属材料或其他合适的材质。而第一导电层50的形成方式可以是溅镀、物理气相沉积或化学气相沉积等成膜方式。请参阅图6A和图6B所示，其中，图6A为图6B沿6A-6A剖线的剖视示意图。透过湿蚀刻制程，去除第一导电层50未被第一图案化光阻层70所覆盖的部位，以使第一导电层50经湿蚀刻制程之后，于所述栅极绝缘层24上同时形成一源极电极52以及一源极线54，亦即源极线54—本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一基板上形成一栅极电极；于该基板上形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极；于该栅极绝缘层上形成一通道层，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层，其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位；于该栅极绝缘层上形成一第一电极，其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位；去除部分该蚀刻阻挡层，以暴露该通道层的该第二部位；以及于该栅极绝缘层上形成一第二电极，其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张锡明，黄彦馀，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71