数组衬底的制造方法技术

本发明专利技术提供一种数组衬底的制造方法，包括以下步骤。形成主动组件于衬底上。形成第一绝缘层于所述主动组件上。形成共通电极层于所述第一绝缘层上。形成第二绝缘层于所述共通电极层上。在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件。形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中。形成第三绝缘层于所述导电层上。在第三绝缘层中形成第二接触窗以暴露出部分的所述导电层。形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。本发明专利技术提供的数组衬底的制造方法可确保像素电极层与主动组件电性连接而提升良率。

Manufacturing method of array substrate

【技术实现步骤摘要】
数组衬底的制造方法
本专利技术涉及一种数组衬底的制造方法。
技术介绍
在现有的应用于内嵌式触控面板的数组衬底的制造方法中，由于共通电极层与像素电极层之间需设置有多层绝缘层，因此，若需使像素电极层与主动组件电性连接，即需贯通厚度过厚的绝缘层而导致易于产生蚀刻不完全现象，使得像素电极层与主动组件电性连接不完全而降低良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种数组衬底的制造方法，其可确保像素电极层与主动组件电性连接而提升良率。根据本专利技术的实施例，本专利技术的数组衬底的制造方法包括以下步骤。形成主动组件于衬底上。形成第一绝缘层于所述主动组件上。形成共通电极层于所述第一绝缘层上。形成第二绝缘层于所述共通电极层上。在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件。形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中。形成第三绝缘层于所述导电层上。在第三绝缘层中形成第二接触窗以暴露出部分的所述导电层。形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。在根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数组衬底的制造方法，其特征在于，包括：/n形成主动组件于衬底上；/n形成第一绝缘层于所述主动组件上；/n形成共通电极层于所述第一绝缘层上；/n形成第二绝缘层于所述共通电极层上；/n在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件；/n形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中；/n形成第三绝缘层于所述导电层上；/n在第三绝缘层中形成第二接触窗，以暴露出部分的所述导电层；以及/n形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。/n

【技术特征摘要】
1.一种数组衬底的制造方法，其特征在于，包括：
形成主动组件于衬底上；
形成第一绝缘层于所述主动组件上；
形成共通电极层于所述第一绝缘层上；
形成第二绝缘层于所述共通电极层上；
在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件；
形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中；
形成第三绝缘层于所述导电层上；
在第三绝缘层中形成第二接触窗，以暴露出部分的所述导电层；以及
形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。


2.根据权利要求1所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，形成所述主动组件的步骤包括：
形成栅极层于所述衬底上；
形成栅极绝缘层于所述栅极层上；以及
形成源极层以及漏极层于所述栅极绝缘层上。


3.根据权利要求2所述的数组衬底的制造方法，其特征在于，在形成所述源极层以及所述漏极层于所述栅极绝缘层上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆富财，王豪，余彦霖，邱奕勋，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71