一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:24333032 阅读:62 留言:0更新日期:2020-05-29 20:41
本发明专利技术提供了一种显示面板及显示装置,其中,所述显示面板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区、包围所述显示区的非显示区以及围绕部分所述非显示区的绑定区;围绕所述非显示区设置的阻挡坝;在所述衬底基板上依次层叠的第一源漏电极层和第二源漏电极层,且所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层依次贯穿所述阻挡坝;在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层包括间隔设置的第一部分和第二部分,所述第二源漏电极层为一整层结构,且所述第二源漏电极层与所述第二部分电连接形成低电位走线,所述第一部分形成高电位走线。用于避免源漏电极层因侧面被腐蚀而产生不良,提高了显示面板的良率。

A display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
在显示
,与液晶显示面板(LiquidCrystallDisplay,LCD)相比,有机发光二极管显示面板(OrganicLightEmittingDiode,OLED)以自发光、能耗低、生产成本低、视角宽、对比度高、响应速度快、色彩展示更为逼真、更易于实现轻薄化和柔性化等优点,广泛应用在车载、手机、平板、电脑等显示装置上。OLED主流的驱动方式为电流驱动,工作电流由显示面板的下边框处(边框区)通过源漏极(Source/Drain,SD)进行传输,因SD自身存在一定电阻,信号传输存在电阻压降(IRDrop)现象,最终导致显示面板出现亮度不均现象,影响产品的使用性能。目前,常采用双层SD结构来保证显示面板的亮度均匀性。具体来讲,OLED显示面板包括上下层叠设置的两层源漏电极层,以及设置在两层源漏电极层上的阳极层,具体通过并联电路控制电压下降,从而改善产品亮度不均的现象。然而,在最上面的一层源漏电极层的图案上形成阳极层的图案过程中,最上面的一层源漏电极层的侧边缘很容易被湿刻药液腐蚀,在化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)时,会形成不正常状态,导致封装失效,进而导致来自外界的水氧极易沿着源漏电极层的边界进入显示区而造成黑点不良,从而降低显示面板的良率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种显示面板及显示装置,用于避免源漏电极层因侧面被腐蚀而产生不良,提高了显示面板的良率。第一方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板,包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区、包围所述显示区的非显示区以及围绕部分所述非显示区的绑定区;围绕所述非显示区设置的阻挡坝;在所述衬底基板上依次层叠的第一源漏电极层和第二源漏电极层,且所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层依次贯穿所述阻挡坝;在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层包括间隔设置的第一部分和第二部分,所述第二源漏电极层为一整层结构,且所述第二源漏电极层与所述第二部分电连接形成低电位走线,所述第一部分形成高电位走线。在一些可能的实施方式中,在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层之间设置有无机绝缘层。在一些可能的实施方式中,所述第一部分和所述第二部分之间设置有有机绝缘层。在一些可能的实施方式中,所述阻挡坝和所述第二部分之间设置有有机绝缘层。在一些可能的实施方式中,所述阻挡坝包括靠近所述显示区的第一阻挡坝和远离所述显示区的第二阻挡坝,所述第二阻挡坝和所述第二部分之间设置有有机绝缘层。在一些可能的实施方式中,所述高电位走线传输VDD信号,所述低电位走线传输VSS信号。在一些可能的实施方式中,所述有机绝缘层上依次设置有阳极层和封装层。在一些可能的实施方式中,所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层均为钛/铝/钛复合材料。在一些可能的实施方式中,在所述非显示区除靠近所述绑定区外的区域内,所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层形成所述低电位走线。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括如上面所述的显示面板。本专利技术的有益效果如下:本专利技术实施例提供的一种显示面板及显示装置,在衬底基板上依次层叠第一源漏电极层和第二源漏电极层,这样的话,第二源漏电极层可以将第一源漏电极层进行包裹,而且依次贯穿阻挡坝的第一源漏电极层和第二源漏电极层,在非显示区靠近绑定区的区域内,第一源漏电极层包括间隔设置的第一部分和第二部分,第二源漏电极层为一整层结构,第二源漏电极层与第二部分电连接形成低电位走线,第一部分形成高电位走线。由于在非显示区靠近绑定区的区域内,第二源漏电极层为一整层结构,无外边界,如此一来,第一源漏电极层和第二源漏电极层的边界的侧面在后续制备过程中不会被腐蚀。而且,由于信号走线包括双层结构,且双层结构的侧面都具有有效的保护措施,从而避免了源漏电极层因侧面被腐蚀而产生不良,提高了显示面板的良率。附图说明图1为相关技术中双层SD结构的其中一种结构示意图;图2为图1中SD2边界对应的区域1的FIB图;图3为本专利技术实施例提供的显示面板的一种区域划分示意图;图4为沿图3中aa’方向的一种剖面结构示意图;图5为沿图3中aa’方向的其中一种剖面结构示意图;图6为沿图3中bb’方向的其中一种剖面结构示意图;图7为沿图3中bb’方向的其中一种剖面结构示意图;图8为本专利技术实施例提供的显示面板中第二源漏电极层的边界侧面被腐蚀情况下的剖面结构示意图;图9为本专利技术实施例提供的显示面板中第二源漏电极层的边界侧面被腐蚀产生不良情况下的剖面结构示意图;图10为本专利技术实施例提供显示装置的一种结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例的附图,对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义,本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本
技术实现思路
。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。如图1所示为相关技术中双层SD结构的一种结构示意图,具体来讲,OLED显示面板包括上下层叠设置的两层源漏电极层SD1和SD2,其中,通过SD1和SD2分别形成贯穿阻挡坝(DAM)的VDD走线和VSS走线,由于有机层易吸水氧,因此在DAM两侧往往需要去除平坦层(PLN)、像素定义层(PDL)等有机层,这样的话,形成VDD走线和VSS走线的两层源漏电极层的边界将裸露在外,在这两层源漏电极层上形成阳极的图案时,边界处很容易出现侧腐蚀,从而导致封装失效,致使水氧沿两层源漏电极层的边界(比如,图1中区域1所标注的位置)进入显示区,从而影响显示面板的良率。如图2所示为图1中SD2边界对应的区域1的聚焦离子束(FocusedIonBeam,FIB)图,可以很明显地看到SD2边界处发生了侧腐蚀,如此一来将导致封装失效。鉴于此,本发本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n衬底基板,所述衬底基板包括显示区、包围所述显示区的非显示区以及围绕部分所述非显示区的绑定区;/n围绕所述非显示区设置的阻挡坝;/n在所述衬底基板上依次层叠的第一源漏电极层和第二源漏电极层,且所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层依次贯穿所述阻挡坝;/n在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层包括间隔设置的第一部分和第二部分,所述第二源漏电极层为一整层结构,且所述第二源漏电极层与所述第二部分电连接形成低电位走线,所述第一部分形成高电位走线。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区、包围所述显示区的非显示区以及围绕部分所述非显示区的绑定区;
围绕所述非显示区设置的阻挡坝;
在所述衬底基板上依次层叠的第一源漏电极层和第二源漏电极层,且所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层依次贯穿所述阻挡坝;
在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层包括间隔设置的第一部分和第二部分,所述第二源漏电极层为一整层结构,且所述第二源漏电极层与所述第二部分电连接形成低电位走线,所述第一部分形成高电位走线。


2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述非显示区靠近所述绑定区的区域内,所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层之间设置有无机绝缘层。


3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一部分和所述第二部分之间设置有有机绝缘层。


4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:张祎杨赵广洲张震
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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