微发光二极管显示面板及其制作方法技术

技术编号:15799611 阅读:189 留言:0更新日期:2017-07-11 13:38
本发明专利技术提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法。该微发光二极管显示面板通过在像素凹槽内填充树脂粘合层,并将微发光二极管压入并固定到树脂粘合层中,同时通过连接电极将微发光二极管的底部的电极引导到微发光二极管的顶部,使得微发光二极管两个电极都处于顶部,方便所述微发光二极管的电极与电极触点的连接,能够降低微发光二极管的电极邦定难度,提升微发光二极管的电极邦定的可靠性。

Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof

The invention provides a micro LED display panel and a manufacturing method thereof. The micro LED display panel by filling resin adhesive layer in the pixel groove, and the micro light emitting diode pressed and fixed to the resin adhesive layer, and through the connecting electrode electrode micro light emitting diode to the bottom of the guide to the top of micro light emitting diode, the micro light emitting diode with two electrodes in the top electrode connection with the convenience of the micro contact electrode of the light emitting diode can reduce the electrode state micro light emitting diode the difficulty, improve the reliability of light emitting diode micro electrode state set.

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种微发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。微发光二极管(MicroLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,MicroLED显示器和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但MicroLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。在微发光二极管显示面板的制作过程中,微发光二极管必须先在原始基板(如蓝宝石类基板)上通过分子束外延的方法生长出来,而做成显示面板,还必须要把微发光二极管器件原始基板上转移到用于形成显示面板的接收基板上排成显示阵列,具体为:先原始基板上形成微发光二极管,随后通过激光剥离技术(Laserlift-off,LLO)等方法将微发光二极管从原始基板上剥离开,并使用一个采用诸如聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)等材料制作的转印头,如将微发光二极管从原始基板上吸附到接收基板上预设的位置。目前,微发光二极管转印到接收基板上后,需要与接收基板上预安装的邦定(Bonding)材料进行粘合邦定,涉及邦定材料固相-液相-固相转化,邦定过程复杂,邦定难度大,可靠性低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微发光二极管显示面板,能够降低微发光二极管的电极邦定难度,提升微发光二极管的电极邦定的可靠性。本专利技术的目的还在于提供一种微发光二极管显示面板的制作方法,能够降低微发光二极管的电极邦定难度,提升微发光二极管的电极邦定的可靠性。为实现上述目的,本专利技术提供了一种微发光二极管显示面板,包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的像素定义层、形成于所述像素定义层中的像素凹槽、设于所述像素凹槽内的树脂粘合层、设于所述像素凹槽内并嵌入所述树脂粘合层中的微发光二极管、以及分别位于像素凹槽两侧的像素定义层上的第一电极触点和第二电极触点;所述微发光二极管包括:连接电极、设于所述连接电极的上方并与所述连接电极接触的LED半导体层、设于所述LED半导体层上方并与所述LED半导体层接触的第一电极、设于所述LED半导体层上方并与所述连接电极接触的第二电极、以及包围所述LED半导体层的绝缘保护层;所述连接电极与所述第二电极接触的部分以及所述LED半导体层的上表面均暴露于所述树脂粘合层外,所述第一电极和第二电极分别与所述第一电极触点和第二电极触点接触。还包括:设于所述衬底基板与像素定义层之间的TFT层;所述TFT层包括:设于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层与所述衬底基板的栅极绝缘层、设于所述有源层上方的栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述栅极以及栅极绝缘层的层间绝缘层、以及设于所述层间绝缘层上的与所述有源层的两端接触的源极和漏极;所述第一电极触点还与所述源极接触。所述树脂粘合层的材料为PMMA。本专利技术还提供一种微发光二极管显示面板的制作方法,包括如下步骤:步骤1、提供一原始基板,在所述原始基板上依次形成LED半导体层、覆盖所述LED半导体层和原始基板的第一绝缘层、以及设于所述第一绝缘层上并与所述LED半导体层和原始基板接触的连接电极;步骤2、提供一转运基板,将所述转运基板表面与连接电极粘合,剥离所述原始基板,使得所有的LED半导体层、第一绝缘层和连接电极均转移到转运基板上,暴露出所述LED半导体层、第一绝缘层、以及连接电极与原始基板接触的部分;步骤3、在所述暴露出的LED半导体层、第一绝缘层、以及连接电极上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层上形成有第一电极连接孔和第二电极连接孔,所述第一电极连接孔和第二电极连接孔分别暴露出所述LED半导体层的一部分和连接电极的一部分,得到微发光二极管的半成品;步骤4、提供一转印头和一接收基板,所述接收基板包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的像素定义层、形成于所述像素定义层中的像素凹槽、设于所述像素凹槽内的树脂粘合层、以及分别位于像素凹槽两侧的像素定义层上的第一电极触点和第二电极触点;步骤5、通过所述转印头将转运基板上的微发光二极管的半成品转印到接收基板上的像素凹槽内,使得所述微发光二极管的半成品压入并固定在所述树脂粘合层中,且所述连接电极被第二电极连接孔暴露出的部分以及所述LED半导体层的上表面均暴露于所述树脂粘合层外;步骤6、在所述微发光二极管的半成品上形成第一电极和第二电极,所述第一电极与所述LED半导体层和第一电极触点接触,所述第二电极与所述连接电极和第二电极触点接触。所述步骤1具体包括:步骤11、提供一原始基板,在所述原始基板上的形成LED半导体薄膜,在所述LED半导体薄膜上形成图案化的第一光阻层;步骤12、以所述第一光阻层为遮挡,对所述LED半导体薄膜进行刻蚀,形成LED半导体层;步骤13、在所述LED半导体层和原始基板上覆盖第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成图案化的第二光阻层;步骤14、以第二光阻层为遮挡,对所述第一绝缘层进行刻蚀,形成贯穿所述第一绝缘层的第一通孔和第二通孔,所述第一通孔和第二通孔分别暴露出所述LED半导体层的一部分以及原始基板的一部分;步骤15、在所述第一绝缘层、LED半导体层、及原始基板上形成第一金属薄膜,在所述第一金属薄膜上形成图案化的第三光阻层;步骤16、以第三光阻层为遮挡,对所述第一金属薄膜进行刻蚀,形成连接电极,所述连接电极分别通过第一通孔和第二通孔与LED半导体层和原始基板接触。所述步骤2中的转运基板为表面设有粘合层的硬质基板;所述步骤2中通过激光剥离工艺剥离原始基板。所述步骤3具体包括:步骤31、在所述LED半导体层、第一绝缘层、及连接电极上形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成图案化的第四光阻层;步骤32、以所述第四光阻层为遮挡,对所述第二绝缘层进行刻蚀,形成贯穿所述第二绝缘层的第一电极连接孔和第二电极连接孔,所述第一电极连接孔和第二电极连接孔分别暴露出所述LED半导体层的一部分和连接电极的一部分。所述步骤4中提供的接收基板还包括:位于所述衬底基板和像素定义层之间的TFT层;所述TFT层包括:设于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层与所述衬底基板的栅极绝缘层、设于所述有源层上方的栅极绝缘层上的栅极、覆盖所述栅极以及栅极绝缘层的层间绝缘层、以及设于所述层间绝缘层上的与所述有源层的两端接触的源极和漏极;所述第二电极触点还与所述源极接触。所述步骤6具体包括:步骤61、在所述微发光二极管的半成品、像素定义层、第一电极触点、第二电极触点、以及树脂粘合层上形成导电薄膜;步骤62、在所述导电薄膜上形成图案化的第五光阻层;步骤63、以所述第五光阻层为遮挡对所述导电薄膜进行刻蚀,形成第一电极和第二电极。所述树脂粘合层的材料为PMMA。本专利技术的有益效果:本专利技术提供一种本文档来自技高网
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微发光二极管显示面板及其制作方法

【技术保护点】
一种微发光二极管显示面板,其特征在于,包括:衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的像素定义层(45)、形成于所述像素定义层(45)中的像素凹槽(15)、设于所述像素凹槽(15)内的树脂粘合层(13)、设于所述像素凹槽(15)内并嵌入所述树脂粘合层(13)中的微发光二极管(200)、以及分别位于像素凹槽(15)两侧的像素定义层(45)上的第一电极触点(43)和第二电极触点(44);所述微发光二极管(200)包括:连接电极(6)、设于所述连接电极(6)的上方并与所述连接电极(6)接触的LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的第一电极(71)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述连接电极(6)接触的第二电极(72)、以及包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14);所述连接电极(6)与所述第二电极(72)接触的部分以及所述LED半导体层(2)的上表面均暴露于所述树脂粘合层(13)外,所述第一电极(71)和第二电极(72)分别与所述第一电极触点(43)和第二电极触点(44)接触。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示面板,其特征在于,包括:衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的像素定义层(45)、形成于所述像素定义层(45)中的像素凹槽(15)、设于所述像素凹槽(15)内的树脂粘合层(13)、设于所述像素凹槽(15)内并嵌入所述树脂粘合层(13)中的微发光二极管(200)、以及分别位于像素凹槽(15)两侧的像素定义层(45)上的第一电极触点(43)和第二电极触点(44);所述微发光二极管(200)包括:连接电极(6)、设于所述连接电极(6)的上方并与所述连接电极(6)接触的LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的第一电极(71)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述连接电极(6)接触的第二电极(72)、以及包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14);所述连接电极(6)与所述第二电极(72)接触的部分以及所述LED半导体层(2)的上表面均暴露于所述树脂粘合层(13)外,所述第一电极(71)和第二电极(72)分别与所述第一电极触点(43)和第二电极触点(44)接触。2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,还包括:设于所述衬底基板(41)与像素定义层(45)之间的TFT层(42);所述TFT层(42)包括:设于所述衬底基板(41)上的有源层(421)、覆盖所述有源层(421)与所述衬底基板(41)的栅极绝缘层(422)、设于所述有源层(421)上方的栅极绝缘层(422)上的栅极(423)、覆盖所述栅极(423)以及栅极绝缘层(422)的层间绝缘层(424)、以及设于所述层间绝缘层(424)上的与所述有源层(421)的两端接触的源极(425)和漏极(426);所述第一电极触点(43)还与所述源极(425)接触。3.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述树脂粘合层(13)的材料为PMMA。4.一种微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一原始基板(1),在所述原始基板(1)上依次形成LED半导体层(2)、覆盖所述LED半导体层(2)和原始基板(1)的第一绝缘层(3)、以及设于所述第一绝缘层(3)上并与所述LED半导体层(2)和原始基板(1)接触的连接电极(6);步骤2、提供一转运基板(8),将所述转运基板(8)表面与连接电极(6)粘合,剥离所述原始基板(1),使得所有的LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)和连接电极(6)均转移到转运基板(8)上,暴露出所述LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)、以及连接电极(6)与原始基板(1)接触的部分;步骤3、在所述暴露出的LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)、以及连接电极(6)上形成第二绝缘层(9),所述第二绝缘层(9)上形成有第一电极连接孔(11)和第二电极连接孔(12),所述第一电极连接孔(11)和第二电极连接孔(12)分别暴露出所述LED半导体层(2)的一部分和连接电极(6)的一部分,得到微发光二极管的半成品(100);步骤4、提供一转印头(300)和一接收基板(400),所述接收基板(400)包括:衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的像素定义层(45)、形成于所述像素定义层(45)中的像素凹槽(15)、设于所述像素凹槽(15)内的树脂粘合层(13)、以及分别位于像素凹槽(15)两侧的像素定义层(45)上的第一电极触点(43)和第二电极触点(44);步骤5、通过所述转印头(300)将转运基板(8)上的微发光二极管的半成品(100)转印到接收基板(400)上的像素凹槽(15)内,使得所述微发光二极管的半成品(100)压入并固定在所述树脂粘合层(13)中,且所述连接电极(6)被第二电极连接孔(12)暴露出的部分以及所述LED半...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢马才
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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